Nitrogen incorporation in SnO2 thin films grown by chemical vapor deposition

Physica Status Solidi (B) Basic Research

Volumn 253, Issue 6, 2016, Pages 1087-1092

  Jiang, Jie ^a   Lu, Yinmei ^a   Kramm, Benedikt ^a   Michel, Fabian ^a   Reindl, Christian T ^a   Kracht, Max E ^a   Klar, Peter J ^a   Meyer, Bruno K ^a   Eickhoff, Martin ^a  

^a JUSTUS LIEBIG UNIVERSITY   (Germany)

Author keywords

chemical composition; chemical vapor deposition; nitrogen; SnO2; structure; thin films

Indexed keywords

AMMONIA; BINDING ENERGY; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; CRYSTALLITE SIZE; MORPHOLOGY; NITROGEN; PHASE SEPARATION; STRUCTURE (COMPOSITION); X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; X RAY POWDER DIFFRACTION;

ATOMIC CONCENTRATION; CHEMICAL COMPOSITIONS; LATTICE EXPANSION; NITROGEN INCORPORATION; SNO2; SNO2 THIN FILMS; SUBSTITUTIONAL NITROGEN;

THIN FILMS;

EID: 84959017035     PISSN: 03701972     EISSN: 15213951     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssb.201552747     Document Type: Article

References (63)

1. H. Kim, C. M. Gilmore, A. Pique, J. S. Horwitz, H. Mattoussi, H. Murata, Z. H. Kafafi, and D. B. Chrisey, J. Appl. Phys. 86, 6451 (1999).
2. S. Pizzini, N. Butta, D. Narducci, and M. Palladino, J. Electrochem. Soc. 136, 1945 (1989).
3. J. C. Manifacier, M. Demurcia, J. P. Fillard, and E. Vicario, Thin Solid Films 41, 127 (1977).
4. A. M. Azad, S. A. Akbar, S. G. Mhaisalkar, L. D. Birkefeld, and K. S. Goto, J. Electrochem. Soc. 139, 3690 (1992).
5. R. E. Presley, C. L. Munsee, C. H. Park, D. Hong, J. F. Wager, and D. A. Keszler, J. Phys. D: Appl. Phys. 37, 2810 (2004).
6. Y. Tachibana, K. Hara, S. Takano, K. Sayama, and H. Arakawa, Chem. Phys. Lett. 364, 297 (2002).
7. A. N. Akin, G. Kilaz, A. I. Isli, and Z. I. Onsan, Chem. Eng. Sci. 56, 881 (2001).
8. X. Wang and Y. C. Xie, Appl. Catal. B-environ 35, 85 (2001).
9. S. J. Laverty and P. D. Maguire, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 1 (2001).
10. Y. I. Kim, W. H. Lee, H. S. Moon, K. S. Ji, S. H. Seong, and J. W. Park, J. Power Sources 101, 253 (2001).
11. R. G. Palgrave, A. Bourlange, D. J. Payne, J. S. Foord, and R. G. Egdell, Cryst. Growth Des. 9, 1793 (2009).
12. M. Kroneld, S. Novikov, S. Saukko, P. Kuivalainen, P. Kostamo, and V. Lantto, Sens. Actuators B, Chem. 118, 110 (2006).
13. M. E. White, M. Y. Tsai, F. Wu, and J. S. Speck, J. Vac. Sci. Technol. A 26, 1300 (2008).
14. M. Y. Tsai, M. E. White, and J. S. Speck, J. Cryst. Growth 310, 4256 (2008).
15. X. Q. Pan and L. Fu, J. Appl. Phys. 89, 6048 (2001).
16. J. E. Dominguez, L. Fu, and X. Q. Pan, Appl. Phys. Lett. 79, 614 (2001).
17. M. M. Bagheri-Mohagheghi and M. Shokooh-Saremi, J. Phys. D: Appl. Phys. 37, 1248 (2004).
18. Y. R. Park and K. J. Kim, J. Appl. Phys. 94, 6401 (2003).
19. M. Becker, R. Hamann, A. Polity, and B. K. Meyer, Thin Solid Films 553, 26 (2014).
20. M.-J. Choi, C. J. Cho, K.-C. Kim, J. J. Pyeon, H.-H. Park, H.-S. Kim, J. H. Han, C. G. Kim, T.-M. Chung, T. J. Park, B. Kwon, D. S. Jeong, S.-H. Baek, C.-Y. Kang, J.-S. Kim, and S. K. Kim, Appl. Surf. Sci. 320, 188 (2014).
21. D. H. Kim, J.-H. Kwon, M. Kim, and S.-H. Hong, J. Cryst. Growth 322, 33 (2011).
22. J. Sundqvist, J. Lu, M. Ottosson, and A. Harsta, Thin Solid Films 514, 63 (2006).
23. D. H. Liu, Q. Wang, H. L. M. Chang, and H. Chen, J. Mater. Res. 10, 1516 (1995).
24. R. Y. Korotkov, R. Gupta, P. Ricou, R. Smith, and G. Silverman, Thin Solid Films 516, 4720 (2008).
25. J. Zhao, S. Wu, J. Liu, H. Liu, S. Gong, and D. Zhou, Sens. Actuators B, Chem. 145, 788 (2010).
26. M. Kwoka, N. Waczyńska, P. Kościelniak, M. Sitarz, and J. Szuber, Thin Solid Films 520, 913 (2011).
27. S. Eisermann, A. Kronenberger, A. Laufer, J. Bieber, G. Haas, S. Lautenschlaeger, G. Homm, P. J. Klar, and B. K. Meyer, Phys. Status Solidi A 209, 531 (2012).
28. T. Muranoi and M. Furukoshi, Thin Solid Films 48, 309 (1978).
29. M. Maleki and S. M. Rozati, Bull. Mater. Sci. 36, 217 (2013).
30. J. Sundqvist, M. Ottosson, and A. Harsta, Chem. Vapor Depos. 10, 77 (2004).
31. A. E. Rakhshani, Y. Makdisi, and H. A. Ramazaniyan, J. Appl. Phys. 83, 1049 (1998).
32. O. Bierwagen, T. Nagata, M. E. White, M.-Y. Tsai, and J. S. Speck, J. Mater. Res. 27, 2232 (2012).
33. U. Dagkaldiran, A. Gordijn, F. Finger, H. M. Yates, P. Evans, D. W. Sheel, Z. Remes, and M. Vanecek, Mater. Sci. Eng. B 159, 6 (2009).
34. M. E. White, O. Bierwagen, M. Y. Tsai, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 106, 093704 (2009).
35. S. Yu, W. Zhang, L. Li, D. Xu, H. Dong, and Y. Jin, Appl. Surf. Sci. 286, 417 (2013).
36. C.-Y. Tsay and S.-C. Liang, J. Alloys Compd. 622, 644 (2015).
37. A. K. Singh, A. Janotti, M. Scheffler, and C. G. Van de Walle, Phys. Rev. Lett. 101, 055502 (2008).
38. Y. F. Yan, S. B. Zhang, and S. T. Pantelides, Phys. Rev. Lett. 86, 5723 (2001).
39. S. S. Pan, C. Ye, X. M. Teng, H. T. Fan, and G. H. Li, Appl. Phys. A 85, 21 (2006).
40. J. Jiang, L. Zhu, Y. Li, Y. Guo, W. Zhou, L. Cao, H. He, and Z. Ye, J. Alloys Compd. 547, 59 (2013).
41. J. F. Scott, J. Chem. Phys. 53, 852 (1970).
42. L. S. Chuah, Z. Hassan, S. S. Ng, and H. Abu Hassan, J. Mater. Res. 22, 2623 (2007).
43. Z. W. Chen, J. K. L. Lai, and C. H. Shek, Phys. Rev. B 70, 165314 (2004).
44. S. Vijayalakshmi, S. Venkataraj, M. Subramanian, and R. Jayavel, J. Phys. D: Appl. Phys. 41, 035505 (2008).
45. M. N. Rumyantseva, O. V. Safonova, M. N. Boulova, L. I. Ryabova, and A. M. Gas'kov, Russ. Chem. Bull., Int. Ed. 52, 1217 (2003).
46. I. H. Campbell and P. M. Fauchet, Solid State Commun. 58, 739 (1986).
47. L. Abello, B. Bochu, A. Gaskov, S. Koudryavtseva, G. Lucazeau, and M. Roumyantseva, J. Solid State Chem. 135, 78 (1998).
48. X. S. Peng, L. D. Zhang, G. W. Meng, Y. T. Tian, Y. Lin, B. Y. Geng, and S. H. Sun, J. Appl. Phys. 93, 1760 (2003).
49. J. M. Themlin, M. Chtaib, L. Henrard, P. Lambin, J. Darville, and J. M. Gilles, Phys. Rev. B 46, 2460 (1992).
50. Y. Wang and T. Chen, Electrochim. Acta 54, 3510 (2009).
51. S. S. Pan, S. Wang, Y. X. Zhang, Y. Y. Luo, F. Y. Kong, S. C. Xu, J. M. Xu, and G. H. Li, Appl. Phys. A 109, 267 (2012).
52. J. C. Fuggle and N. Martensson, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 21, 275 (1980).
53. C. D. Wagner, Anal. Chem. 44, 967 (1972).
54. W. C. Lin, N. R. Armstrong, and T. Kuwana, Anal. Chem. 49, 1228 (1977).
55. K. R. Hallam and G. C. Allen, Fresenius J. Anal. Chem. 355, 654 (1996).
56. F. Yubero, V. M. Jiménez, and A. R. González-Elipe, Surf. Sci. 400, 116 (1998).
57. H. Mahmoudi Chenari, L. Weinhardt, N. S. Rodriguez Lastra, M. A. Ernst, F. Reinert, M. M. Golzan, and A. Hassanzadeh, Mater. Lett. 85, 168 (2012).
58. C. L. Perkins, S. H. Lee, X. N. Li, S. E. Asher, and T. J. Coutts, J. Appl. Phys. 97, (2005).
59. J. M. Bian, X. M. Li, X. D. Gao, W. D. Yu, and L. D. Chen, Appl. Phys. Lett. 84, 541 (2004).
60. N. C. Saha and H. G. Tompkins, J. Appl. Phys. 72, 3072 (1992).
61. Z. Y. Xiao, Y. C. Liu, J. Y. Zhang, D. X. Zhao, Y. M. Lu, D. Z. Shen, and X. W. Fan, Semicond. Sci. Technol. 20, 796 (2005).
62. R. Asahi, T. Morikawa, T. Ohwaki, K. Aoki, and Y. Taga, Science 293, 269 (2001).
63. J. Torres, C. C. Perry, S. J. Bransfield, and D. H. Fairbrother, J. Phys. Chem. B 107, 5558 (2003).