Dopants in nanocrystalline tin dioxide

Russian Chemical Bulletin

Volumn 52, Issue 6, 2003, Pages 1217-1238

  Rumyantseva, M N ^a   Safonova, O V ^a   Boulova, M N ^a   Ryabova, L I ^a   Gas'kov, A M ^a  

^a MOSCOW STATE UNIVERSITY   (Russian Federation)

Author keywords

Adsorption; Doping; Microstructure; Nanocrystalline tin dioxide; Sensor properties; Surface state

Indexed keywords

COPPER; IRON; NICKEL; PALLADIUM; PLATINUM; RHODIUM; RUTHENIUM; TIN DERIVATIVE;

AEROSOL; AUGER ELECTRON SPECTROSCOPY; CONDUCTOMETRY; ELECTRONIC SENSOR; FILM; MOLECULAR INTERACTION; MOSSBAUER SPECTROSCOPY; NANOPARTICLE; PYROLYSIS; RAMAN SPECTROMETRY; REVIEW; SYNTHESIS; WETTABILITY; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

EID: 0042209838     PISSN: 10665285     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1023/A:1024916020690     Document Type: Review

References (76)

1. W. Gopel, Sens. Actuators, A, 1996, 56, 83.
2. D. E. Williams, Sens. Actuators, B, 1999, 57, 1.
3. N. Yamazoe and N. Miura, in Chemical Sensor Technology, Ed. S. Yamauchi, Kodansha, Tokyo, 1992, 19.
4. D. Kohl, Sens. Actuators, B, 1990, 1, 158.
5. N. Yamazoe, Sens. Actuators, B, 1992, 6, 9.
6. W. Fliegel, G. Behr, J. Werner, and G. Krabbs, Sens. Actuators, B, 1994, 18-19, 474.
7. I. Matko, M. Gaidi, B. Chenevier, A. Charai, W. Saikaly, and M. Labeau, J. Electrochem. Soc., 2002, 149, H153.
8. G. K. Boreskov, Kataliz. Voprosy teorii i praktiki. Izbrannye trudy [Catalysis. Theoretical and Practical Problems. Selected Works], Nauka, Novosibirsk, 1987, 536 pp. (in Russian).
9. L. Abello, B. Bochu, A. Gaskov, S. Kudryavtseva, G. Lucazeau, and M. Rumyantseva, J. Solid State Chem., 1998, 135, 78.
10. T. Ressler, M. Hagelstehi, U. Hatje, and W. Metz, J. Phys. Chem., B, 1997, 101, 6680.
11. Z. M. Jarzebski and J. P. Marton, J. Electrochem. Soc., 1976, 123, 199C.
12. J. Mizusaki, H. Koinuma, J. I. Shimoyama, M. Kawasaki, and K. Fueki, J. Solid State Chem., 1990, 8, 443.
13. C. G. Fonstad and R. H. Rediker, J. Appl. Phys., 1971, 42, 2911.
14. J. F. McAleer, A. Maignan, P. T. Moseley, and D. E. Williams, J. Chem. Soc., Faraday Trans. 1, 1989, 85, 783.
15. J. N. Zemel, Thin Solid Films, 1988, 163, 189.
16. S. Lenaerts, J. Roggen, and G. Maes, Spectrochim. Acta, 1995, 51A, 883.
17. O. V. Safonova, G. Delabouglise, B. Chenevier, A. M. Gaskov, and M. Labeau, Mater. Sci. Eng., C, 2002, 21, 105.
18. M. N. Rumyantseva, M. Labeau, J. P. Senateur, G. Delabouglise, M. N. Boulova, and A. M. Gaskov, Mater. Sci. Eng., B, 1996, 41, 228.
19. M. N. Rumyantseva, M. Labeau, G. Delabouglise, L. I. Ryabova, I. B. Kutsenok, and A. M. Gaskov, J. Mater. Chem., 1997, 7, 1785.
20. O. V. Safonova, M. N. Rumyantseva, R. I. Kozlov, M. Labeau, G. Delabouglise, L. I. Ryabova, and A. M. Gaskov, Mater. Sci. Eng., B, 2000, 77, 159.
21. M. N. Rumyantseva, L. I. Ryabova, T. A. Kuznetsova, M. Labeau, G. Delabouglise, and A. M. Gas'kov, Neorg. Mater., 1999, 35, 68 [Inorg. Mater., 1999, 35, 54 (Engl. Transl.)].
22. M. N. Rumyantseva, L. I. Ryabova, T. A. Kuznetsova, M. Labeau, G. Delabouglise, and A. M. Gas'kov, Neorg. Mater., 1999, 35, 68 [Inorg. Mater., 1999, 35, 54 (Engl. Transl.)].
23. M. N. Rumyantseva, A. M. Gaskov, L. I. Ryabova, J. P. Senateur, B. Chenevier, and M. Labeau, Mater. Sci. Eng., B, 1996, 41, 333.
24. J. L. Pouchou and F. Pichoir, Rech. Aerosp., 1984, 5, 349.
25. B. Gautheron, M. Labeau, G. Delabouglise, and U. Schmatz, Sens. Actuators, B, 1993, 15-16, 357.
26. A. V. Tadeev, G. Delabouglise, and M. Labeau, Thin Solid Films, 1999, 337, 163.
27. H. Gleiter, Acta Mater., 2000, 48, 1.
28. S. M. Kudryavtseva, A. A. Vertegel, S. V. Kalinin, N. N. Oleynikov, L. I. Ryabova, L. L. Meshkov, S. N. Nesterenko, M. N. Rumyantseva, and A. M. Gaskov, J. Mater. Chem., 1997, 7, 2269.
29. O. Safonova, I. Bezverkhy, P. Fabritchny, M. Rumyantseva, and A. Gaskov, J. Mater. Chem., 2002, 12, 1174.
30. Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy, Eds. C. D. Wagner, W. M. Riggs, L. E. Davis, and G. F. Moulder, Perkin Elmer Co, New York, 1979, 261.
31. M. S. Hegde and M. Ayyoob, Surf. Sci., 1986, 173, L635.
32. Y. Nagasawa, T. Choso, T. Karasuda, S. Shimomura, F. Ouyang, K. Tabata, and Y. Yamaguchi, Surf. Sci., 1999, 433-435, 226.
33. Q. Li, X. Yuan, G. Zeng, and S. Xi, Mater. Chem. Phys., 1997, 47, 239.
34. W. Epling, C. K. Mount, and G. B. Hoflund, Appl. Surf. Sci., 1998, 134, 187.
35. D. E. Ramaker, J. Electron. Spectrosc. Relation Phenom., 1994, 66, 269.
36. R. D. Shannon and C. T. Prewitt, Acta Cryst., 1969, B25, 925.
37. M. Gaidi, J. L. Hazemann, I. Matko, B. Chenevier, M. Rumyantseva, A. Gaskov, and M. Labeau, J. Electrochem. Soc., 2000, 147, 3131.
38. M. Labeau, A. M. Gaskov, B. Gautheron, and J. P. Senateur, Thin Solid Films, 1994, 248, 6.
39. G. B. Hoflund, Chem. Mater., 1994, 6, 562.
40. C. R. Henry, Surf. Sci. Rep., 1998, 31, 235.
41. Fiziko-khimicheskie svoistva oksidov. Spravochnik [Physicochemical Properties of Oxides. Handbook], Ed. G. V. Samsonov, Metallurgiya, Moscow, 1978, 472 pp. (in Russian).
42. J. O. Nell and H. St. S. O'Neill, Geochim. Cosmochim. Acta, 1996, 60, 2487.
43. K. T. Jacob, T. Uda, T. H. Okabe, and Y. Waseda, High Temp. Mater. Processes, 2000, 19, 11.
44. K. T. Jacob, S. Mishra, and Y. Waseda, J. Am. Ceram. Soc., 2000, 83, 1745.
45. I. Matko, M. Gaidi, J. L. Hazemann, B. Chenevier, and M. Labeau, Sens. Actuators, B, 1999, 59, 210.
46. J. Tamaki, T. Maekawa, N. Miura, and N. Yamazoe, Sens. Actuators, B, 1992, 9, 197.
47. S. Manorama, G. Salara Devi, and V. J. Rao, Appl. Phys. Lett., 1994, 64, 3163.
48. G. Salara Devi, S. Manorama, and V. J. Rao, J. Electrochem. Soc., 1995, 142, 2754.
49. T. Pagnier, M. Boulova, A. Galerie, A. Gaskov, and G. Lucazeau, Sens. Actuators, B, 2000, 71, 134.
50. T. Pagnier, M. Boulova, A. Galerie, A. Gaskov, and G. Lucazeau, J. Solid State Chem., 1999, 143, 86.
51. J. C. Irwin, J. Chrzanovski, T. Wei, D. J. Lockwood, and A. Wold, Physica, C, 1990, 166, 456.
52. J. F. Xu, W. Li, Z. X. Shen, W. S. Li, S. H. Tang, X. R. Ye, D. Z. Jia, and X. Q. Xin, J. Roman Spectrosc., 1999, 30, 413.
53. S. D. Ross, in The Infrared Spectra of Minerals, Ed. V. C. Farmer, Mineralogical Society Monograph 4, The Mineralogical Society, London, 1974, p. 423.
54. F. Kh. Chibirova and E. E. Gutman, Zh. Fiz. Khim., 1999, 73, 292 [Russ. J. Phys. Chem., 1999, 73 (Engl. Transl.)].
55. F. Kh. Chibirova and E. E. Gutman, Zh. Fiz. Khim., 1999, 73, 292 [Russ. J. Phys. Chem., 1999, 73 (Engl. Transl.)].
56. A. J. F. Boyle, B. S. P. Bunbury, and C. Edwards, Proc. Phys. Soc. London, 1962, 79, 416.
57. M. I. Afanasov and P. B. Fabrichnyi, Ross. Khim. Zh., 1996, 40, 54 [Mendeleev Chem. J., 1996, 40 (Engl. Transl.)].
58. M. I. Afanasov and P. B. Fabrichnyi, Ross. Khim. Zh., 1996, 40, 54 [Mendeleev Chem. J., 1996, 40 (Engl. Transl.)].
59. B. P. Kryzhanovskii and A. Ya. Kuznetsov, Zh. Fiz. Khim., 1961, 35, 80 [J. Phys. Chem. USSR, 1961, 35 (Engl. Transl.)].
60. B. P. Kryzhanovskii and A. Ya. Kuznetsov, Zh. Fiz. Khim., 1961, 35, 80 [J. Phys. Chem. USSR, 1961, 35 (Engl. Transl.)].
61. O. V. Safonova, M. N. Rumyantseva, M. Labeau, and A. M. Gaskov, J. Mater. Chem., 1998, 8, 1577.
62. J. W. Gardner, Semicond. Sci. Technol., 1989, 4, 345.
63. C. Descorme and D. Duprez, Appl. Catal., A, 2000, 202, 231.
64. D. Martin and D. Duprez, J. Phys. Chem., 1996, 100, 9429.
65. C. Canevali, N. Chiondini, F. Marazzoni, and R. Scotti, J. Mater. Chem., 2000, 10, 773.
66. T. Jirsak, J. Dvorak, and J. A. Rodriguez, Surf. Sci., 1999, 436, L683.
67. K. D. Gibson, J. I. Colonell, and S. J. Sibener, Surf. Sci., 1999, 443, 125.
68. G. K. Reeves and H. B. Harrison, IEEE Electron Dev. Lett., 1982, 5, 111.
69. B. A. Akimov, A. M. Gas'kov, S. E. Podguzova, M. N. Rumyantseva, L. I. Ryabova, M. Labeau, and A. Tadeev, Fiz. Tekhn. Polupr., 1999, 33, 205 [Semiconductors, 1999, 33, 175 (Engl. Transl.)].
70. B. A. Akimov, A. M. Gas'kov, S. E. Podguzova, M. N. Rumyantseva, L. I. Ryabova, M. Labeau, and A. Tadeev, Fiz. Tekhn. Polupr., 1999, 33, 205 [Semiconductors, 1999, 33, 175 (Engl. Transl.)].
71. B. A. Akimov, A. V. Albul, A. M. Gas'kov, V. Yu. Il'in, M. N. Rumyantseva, L. I. Ryabova, and M. Labeau, Fiz. Tekhn. Polupr., 1997, 31, 400 [Semiconductors, 1997, 31, 335 (Engl. Transl.)].
72. B. A. Akimov, A. V. Albul, A. M. Gas'kov, V. Yu. Il'in, M. N. Rumyantseva, L. I. Ryabova, and M. Labeau, Fiz. Tekhn. Polupr., 1997, 31, 400 [Semiconductors, 1997, 31, 335 (Engl. Transl.)].
73. O. V. Safonova, M. N. Rumyantseva, L. I. Ryabova, M. Labeau, G. Delabouglise, and A. M. Gaskov, Mater. Sci. Eng., B, 2001, 85, 43.
74. R. B. Vasiliev, L. I. Ryabova, M. N. Rumyantseva, A. M. Gaskov, and B. A. Akimov, Phys. Stat. Sol. (a), 2001, 188, 1093.
75. B. A. Akimov, A. M. Gas'kov, M. Labeau, M. M. Osipova, M. N. Rumyantseva, and L. I. Ryabova, Vestn. Mosk. Univ., Ser. Fiz. Astron., 1996, 37, 60 [Moscow Univ. Bull., Ser. Phys. Astron., 1996, 37 (Engl. Transl.)].
76. B. A. Akimov, A. M. Gas'kov, M. Labeau, M. M. Osipova, M. N. Rumyantseva, and L. I. Ryabova, Vestn. Mosk. Univ., Ser. Fiz. Astron., 1996, 37, 60 [Moscow Univ. Bull., Ser. Phys. Astron., 1996, 37 (Engl. Transl.)].