Charge-Trap Flash-Memory Oxide Transistors Enabled by Copper-Zirconia Composites

Advanced Materials

Volumn 26, Issue 42, 2014, Pages 7170-7177

  Baeg, Kang Jun ^a   Kim, Myung Gil ^a,b   Song, Charles K ^a   Yu, Xinge ^a   Facchetti, Antonio ^c,d   Marks, Tobin J ^a  

^a NORTHWESTERN UNIVERSITY   (United States)

^b Chung Ang University   (South Korea)

^c POLYERA CORPORATION   (United States)

^d Korea Electrotechnology Research Institute (KERI)   (South Korea)

Author keywords

amorphous oxides; data storage; dielectrics; self assembly; semiconductors; thin films

Indexed keywords

AMORPHOUS FILMS; CHARGE TRAPPING; COPPER; COPPER OXIDES; DIELECTRIC MATERIALS; DIGITAL STORAGE; INDIUM; METALS; MONOLITHIC MICROWAVE INTEGRATED CIRCUITS; MOS DEVICES; OXIDE FILMS; OXIDE SEMICONDUCTORS; SELF ASSEMBLY; SEMICONDUCTOR MATERIALS; THIN FILM TRANSISTORS; THIN FILMS; TRANSISTORS; ZIRCONIA; ZIRCONIUM ALLOYS;

AMORPHOUS OXIDES; CHARGE TRAP FLASH MEMORY; CHARGE TRAPPING LAYERS; DATA STORAGE; ELECTROCHEMICAL CHARGE; METAL OXIDE SEMICONDUCTOR; OXIDE TRANSISTORS; SOLUTION-PROCESSED;

FLASH MEMORY;

EID: 84941092573     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201401354     Document Type: Article

References (57)

1. K. Song, J. Noh, T. Jun, Y. Jung, H.-Y. Kang, J. Moon, Adv. Mater. 2010, 22, 4308.
2. D. H. Lee, Y. J. Chang, G. S. Herman, C. H. Chang, Adv. Mater. 2007, 19, 843.
3. Y. H. Kim, J. S. Heo, T. H. Kim, S. Park, M. H. Yoon, J. Kim, M. S. Oh, G. R. Yi, Y. Y. Noh, S. K. Park, Nature 2012, 489, 128.
4. S. Jeong, J. Moon, J. Mater. Chem. 2012, 22, 1243.
5. K. K. Banger, R. L. Peterson, K. Mori, Y. Yamashita, T. Leedham, H. Sirringhaus, Chem. Mater. 2014, 26, 1195.
6. J. W. Hennek, J. Smith, A. Yan, M.-G. Kim, W. Zhao, V. P. Dravid, A. Facchetti, T. J. Marks, J. Am. Chem. Soc. 2013, 135, 10729.
7. J. W. Hennek, Y. Xia, K. Everaerts, M. C. Hersam, A. Facchetti, T. J. Marks, ACS Appl. Mater. Interfaces 2012, 4, 1614.
8. H.-W. Zan, C.-C. Yeh, H.-F. Meng, C.-C. Tsai, L.-H. Chen, Adv. Mater. 2012, 24, 3509.
9. Y. Hanyu, K. Domen, K. Nomura, H. Hiramatsu, H. Kumomi, H. Hosono, T. Kamiya, Appl. Phys. Lett. 2013, 103, 202114.
10. S. Yang, J. Y. Bak, S.-M. Yoon, M. K. Ryu, H. Oh, C.-S. Hwang, G. H. Kim, S.-H. Ko Park, J. Jang, IEEE Electron Device Lett. 2011, 32, 1692.
11. B. S. Ong, C. S. Li, Y. N. Li, Y. L. Wu, R. Loutfy, J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 2750.
12. Y. H. Hwang, J.-S. Seo, M. Y. Je, H. Park, S. Yang, S.-H. Ko Park, B.-S. Bae, NPG Asia Mater. 2013, 5, e45.
13. K. K. Banger, Y. Yamashita, K. Mori, R. L. Peterson, T. Leedham, J. Rickard, H. Sirringhaus, Nat. Mater. 2011, 10, 45.
14. M.-G. Kim, M. G. Kanatzidis, A. Facchetti, T. J. Marks, Nat. Mater. 2011, 10, 382.
15. C. G. Lee, A. Dodabalapur, Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 243501.
16. J. C. Park, S. Kim, S. Kim, C. Kim, I. Song, Y. Park, U. I. Jung, D. H. Kim, J. S. Lee, Adv. Mater. 2010, 22, 5512.
17. Y.-H. Kim, J.-I. Han, S. K. Park, IEEE Electron Device Lett. 2012, 33, 50.
18. J.-S. Seo, J.-H. Jeon, Y. H. Hwang, H. Park, M. Ryu, S.-H. K. Park, B.-S. Bae, Sci. Rep. 2013, 3, 2085, 10.1038/srep02085.
19. T. Kamiya, K. Nomura, H. Hosono, Sci. Technol. Adv. Mater. 2010, 11, 044305.
20. H. Ozaki, T. Kawamura, H. Wakana, T. Yamazoe, H. Uchiyama, IEICE Electron. Expr. 2011, 8, 225.
21. S.-M. Yoon, S. Yang, C. Byun, S.-H. Ko Park, D.-H. Cho, S.-W. Jung, O.-S. Kwon, C.-S. Hwang, Adv. Funct. Mater. 2010, 20, 921.
22. R. Bez, E. Camerlenghi, A. Modelli, A. Visconti, Proc. IEEE 2003, 91, 489.
23. P. Pavan, R. Bez, P. Olivo, E. Zanoni, Proc. IEEE 1997, 85, 1248.
24. M. H. White, D. A. Adams, J. K. Bu, IEEE Circuits Device 2000, 16, 22.
25. R. Ebrahim, A. Zomorrodian, N. Wu, A. Ignatiev, Thin Solid Films 2013, 539, 337.
26. A. A. Ogwu, T. H. Darma, J. Appl. Phys. 2013, 113, 183522.
27. C. H. Kim, Y. H. Jang, H. J. Hwang, Z. H. Sun, H. B. Moon, J. H. Cho, Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 102107.
28. Y.-T. Wu, S. Jou, P.-J. Yang, Thin Solid Films 2013, 544, 24.
29. X. Yu, N. Zhou, J. Smith, H. Lin, K. Stallings, J. Yu, T. J. Marks, A. Facchetti, ACS Appl. Mater. Interfaces 2013, 5, 7983.
30. E. Lee, J. Ko, K.-H. Lim, K. Kim, S. Y. Park, J. M. Myoung, Y. S. Kim, Adv. Funct. Mater. 2014, 24, 4689.
31. K. T. Wojciechowski, A. Malecki, Thermochim. Acta 1999, 331, 73.
32. C. Ehrhardt, M. Gjikaj, W. Brockner, Thermochim. Acta 2005, 432, 36.
33. W. Brockner, C. Ehrhardt, M. Gjikaj, Thermochim. Acta 2007, 456, 64.
34. J. T. Kummer, Prog. Energy Combust. 1980, 6, 177.
35. R. X. Zhou, X. Y. Jiang, J. X. Mao, X. M. Zheng, Appl. Catal. A 1997, 162, 213.
36. K. V. R. Chary, G. V. Sagar, C. S. Srikanth, V. V. Rao, J. Phys. Chem. B 2007, 111, 543.
37. R. Bechara, A. Aboukais, J. P. Bonnelle, J. Chem. Soc. Faraday Trans. 1993, 89, 1257.
38. L. Kundakovic, M. Flytzani-Stephanopoulos, Appl. Catal. A 1998, 171, 13.
39. P. Heremans, G. H. Gelinck, R. Muller, K.-J. Baeg, D.-Y. Kim, Y.-Y. Noh, Chem. Mater. 2011, 23, 341.
40. P.-T. Liu, Y.-T. Chou, L.-F. Teng, Appl. Phys. Lett. 2009, 95.
41. C. Janowitz, V. Scherer, M. Mohamed, A. Krapf, H. Dwelk, R. Manzke, Z. Galazka, R. Uecker, K. Irmscher, R. Fornari, M. Michling, D. Schmeißer, J. R. Weber, J. B. Varley, C. G. Van der Walle, New J. Phys. 2011, 13, 085014.
42. S. Jeong, Y. G. Ha, J. Moon, A. Facchetti, T. J. Marks, Adv. Mater. 2010, 22, 1346.
43. J.-S. Lee, Electron. Mater. Lett. 2011, 7, 175.
44. K.-J. Baeg, Y.-Y. Noh, H. Sirringhaus, D.-Y. Kim, Adv. Funct. Mater. 2010, 20, 224.
45. K.-J. Baeg, Y.-Y. Noh, J. Ghim, S.-J. Kang, H. Lee, D.-Y. Kim, Adv. Mater. 2006, 18, 3179.
46. M. Kang, K.-J. Baeg, D. Khim, Y.-Y. Noh, D.-Y. Kim, Adv. Funct. Mater. 2013, 23, 3503.
47. S. Kolliopoulou, P. Dimitrakis, P. Normand, H.-L. Zhang, N. Cant, S. D. Evans, S. Paul, C. Pearson, A. Molloy, M. C. Petty, D. Tsoukalas, J. Appl. Phys. 2003, 94, 5234.
48. Y. G. Ha, J. D. Emery, M. J. Bedzyk, H. Usta, A. Facchetti, T. J. Marks, J. Am. Chem. Soc. 2011, 133, 10239.
49. H. S. Kim, P. D. Byrne, A. Facchetti, T. J. Marks, J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 12580.
50. J. W. Hennek, M.-G. Kim, M. G. Kanatzidis, A. Facchetti, T. J. Marks, J. Am. Chem. Soc. 2012, 134, 9593.
51. K. Everaerts, L. Zeng, J. W. Hennek, D. I. Camacho, D. Jariwala, M. J. Bedzyk, M. C. Hersam, T. J. Marks, ACS Appl. Mater. Interfaces 2013, 5, 11884.
52. Y.-G. Ha, K. Everaerts, M. C. Hersam, T. J. Marks, Acc. Chem. Res. 2014, 47, 1019.
53. Q. D. Ling, D. J. Liaw, C. X. Zhu, D. S. H. Chan, E. T. Kang, K. G. Neoh, Prog. Polym. Sci. 2008, 33, 917.
54. S. J. Kang, I. Bae, Y. J. Shin, Y. J. Park, J. Huh, S.-M. Park, H.-C. Kim, C. Park, Nano Lett. 2010, 11, 138.
55. G. Xia, S. Wang, X. Zhao, L. Zhou, J. Mater. Chem. C 2013, 1, 3291.
56. T. Sekitani, T. Yokota, U. Zschieschang, H. Klauk, S. Bauer, K. Takeuchi, M. Takamiya, T. Sakurai, T. Someya, Science 2009, 326, 1516.
57. S. M. Sze, K. K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, Wiley-Interscience, Hoboken, NJ, USA 2007.