Highly stable transparent amorphous oxide semiconductor thin-film transistors having double-stacked active layers

Advanced Materials

Volumn 22, Issue 48, 2010, Pages 5512-5516

  Park, Jae Chul ^a   Kim, Sangwook ^a   Kim, Sunil ^a   Kim, Changjung ^a   Song, Ihun ^a   Park, Youngsoo ^a   Jung, U In ^a   Kim, Dae Hwan ^b   Lee, Jang Sik ^b  

^a Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

^b Kookmin University   (South Korea)

Author keywords

amorphous oxide semiconductor; Hafnium Indium Zinc Oxide; negative bias illumination stress; stability; thin film transistors

Indexed keywords

ACTIVE LAYER; AMORPHOUS OXIDE SEMICONDUCTORS; NEGATIVE BIAS; NOVEL DEVICES; STRESS STABILITY;

DISPLAY DEVICES; HAFNIUM; SEMICONDUCTING INDIUM; THIN FILM TRANSISTORS; ZINC;

AMORPHOUS FILMS;

HAFNIUM; INDIUM; OXIDE; ZINC OXIDE;

ARTICLE; CHEMISTRY; SEMICONDUCTOR;

HAFNIUM; INDIUM; OXIDES; TRANSISTORS, ELECTRONIC; ZINC OXIDE;

EID: 78650380269     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201002397     Document Type: Article

References (26)

1. a) K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono, Nature, 2004, 432, 488
2. b) A. Takagi, K. Nomura, H. Ohta, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono, Thin Solid Films 2005, 486, 38
3. c) H. Hosono, Journal of Non-Crystalline Solids 2006, 352, 851
4. d) K. Nomura, A. Takagi, T. Kamiya, H. Ohta, M. Hirano, H. Hosono, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1-Regul. Pap. Brief Commun. Rev. Pap. 2006, 45, 4303
5. e) H. Hosono, Thin Solid Films 2007, 515, 6000.
6. J. K. Jeong, J. H. Jeong, J. H. Choi, J. S. Im, S. H. Kim, H. W. Yang, K. N. Kang, K. S. Kim, T. K. Ahn, H.-J. Chung, H. K. Chung, SID Int. Symp. Digest Technical Papers 2008, 1.
7. J.-H. Lee, D.-H. Kim, D.-J. Yang, S.-Y. Hong, K.-S. Yoon, P.-S. Hong, C.-O. Jeong, H.-S. Park, S. Y. Kim, S. K. Lim, S. S. Kim, SID Int. Symp. Digest Technical Papers 2008, 625.
8. H. Ohara, T. Sasaki, K. Noda, S. Ito, M. Sasaki, Y. Toyosumi, Y. Endo, S. Yoshitomi, J. Sakata, T. Serikawa, S. Yamazaki, SID Int. Symp. Digest Technical Papers 2009, 284.
9. H. N. Lee, J. W. Kyung, S. K. Kang, D. Y. Kim, M. C. Sung, S. J. Kim, C. N. Kim, H. G. Kim, S. T. Kim, Proc. Int. Display Workshop 2006, 663.
10. M. Ito, M. Kon, T. Okubo, M. Ishizaki, N. Sekine, Proc. IDW/AD'05 2005, 845.
11. M. Ito, M. Kon, N. Ikeda, M. Ishizaki, Y. Ugajin, N. Sekine, IEICE Trans. Electron. 2007, E90-C, 2105.
12. M. Ito, C. Miyazaki, M. Ishizaki, M. Kon, N. Ikeda, T. Okubo, R. Matsubara, K. Hatta, Y. Ugajin, N. Sekine, J. Non-Cryst. Sol. 2008, 354, 2777.
13. M.-C. Sung, H.-N. Lee, C. N. Kim, S. K. Kang, D. Y. Kim, S.-J. Kim, S. K. Kim, S.-K. Kim, H.-G. Kim, S.-T. Kim, Proc. Int. Meeting on Inf. Display 2007, 9.
14. T. Riedl, P. Görrn, P. Hölzer, W. Kowalsky, Phys. Status Solidi RRL 2007, 1, 175.
15. J.-M. Lee, I.-T. Cho, J.-H. Lee, H.-I. Kwon, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 093504-1.
16. A. Suresh, J. F. Muth, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 033502-1.
17. W. Lim, S.-H. Kim, Y.-L. Wang, J. W. Lee, D. P. Norton, S. J. Pearton, J. Vac. Sci. Technol. B 2008, 26, 959.
18. J.-S. Park, K. S. Kim, Y.-G. Park, Y.-G. Mo, H. D. Kim, J. K. Jeong, Adv. Mater. 2008, 20, 1.
19. G. R. Chaji, S. Alexander, A. Nathan, C. Church, S. J. Tang, SID Symposium Digest of Technical Papers 2007, 38, 1580.
20. T. Kamiya, K. Nomura, H. Hosono, J. Display Tech. 2009, 5, 273.
21. C.-J. Kim, S. Kim, J.-H. Lee, J.-S. Park, S. Kim, J. Park, E. Lee, J. Lee, Y. Park, J. H. Kim, S. T. Shin, U.-I. Chung, Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 252103-1.
22. W. H. Jeong, G. H. Kim, H. S. Shin, B. D. Ahn, H. J. Kim, M.-K. Ryu, K.-B. Park, J.-B. Seon, S. Y. Lee, Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 093503-1.
23. S. Lee, S. Kim, Y. W. Jeon, D. M. Kim, D. H. Kim, J.-H. Lee, B. D. Ahn, S. Y. Park, J.-H. Park, J. H. Kim, J. Park, SID Int. Symp. Digest Technical Papers 2010, 1389.
24. T. Kamiya, K. Nomura, M. Hirano, H. Hosono, Phys. Status Solidi C 2008, 5, 3098.
25. T. Kamiya, K. Nomura, H. Hosono, Phys. Status Solidi A 2009, 206, 860.
26. B. Ryu, H. K. Noh, E. A. Choi, K. J. Chang, Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 022108.