Review paper: Nano-floating gate memory devices

Electronic Materials Letters

Volumn 7, Issue 3, 2011, Pages 175-183

  Lee, Jang Sik ^a  

^a Kookmin University   (South Korea)

Author keywords

flash memory; flexible electronics; memory devices; nanoparticles; organic transistors

Indexed keywords

DEVICE ARCHITECTURES; DEVICE FABRICATION STRATEGIES; DEVICE STRUCTURES; INNOVATIVE TECHNOLOGY; MEMORY DEVICE; NANOFLOATING GATE MEMORY; NONVOLATILE MEMORY DEVICES; NOVEL APPLICATIONS; ORGANIC TRANSISTOR; RESEARCH ACTIVITIES; TRAP LEVELS; TRAP SITES;

EQUIPMENT; INNOVATION; NANOCRYSTALS; NONVOLATILE STORAGE;

FLASH MEMORY;

EID: 80054096580     PISSN: 17388090     EISSN: 20936788     Source Type: Journal    
DOI: 10.1007/s13391-011-0901-5     Document Type: Review

References (54)

1. J. S. Lee, J. Mater. Chem. 21, 14097 (2011).
2. K. Kim and S. Y. Lee, Microelectron. Eng. 84, 1976 (2007).
3. R. Bez, E. Camerlenghi, A. Modelli, and A. Visconti, P. IEEE91, 489 (2003).
4. S. Aritome, R. Shirota, G. Hemink, T. Endoh, and F. Masuoka, P. IEEE81, 776 (1993).
5. C. A. P. Dearaujo, J. D. Cuchiaro, L. D. McMillan, M. C. Scott, and J. F. Scott, Nature374, 627 (1995).
6. A. Fazio, MRS Bull. 29, 814 (2004).
7. H. F. Hamann, M. O'Boyle, Y. C. Martin, M. Rooks, and K. Wickramasinghe, Nat. Mater. 5, 383 (2006).
8. P. Pavan, R. Bez, P. Olivo, and E. Zanoni, P. IEEE85, 1248 (1997).
9. R. Waser and M. Aono, Nat. Mater. 6, 833 (2007).
10. C. Golla P. Cappelletti, P. Olivo, E. Zanoni, Flash Memories, Kluwer Academic Publishers, Dordrecht, Netherlands (1999).
11. C. G. Hwang, P. IEEE91, 1765 (2003).
12. Y. M. Kim and J. S. Lee, J. Appl. Phys. 104, 114115 (2008).
13. J. S. Lee and Q. X. Jia, Electron. Mater. Lett. 4, 95 (2008).
14. J. S. Lee, Gold Bull. 43, 189 (2010).
15. J. S. Lee et al., Jpn. J. Appl. Phys. Part 145, 3213 (2006).
16. S. Tiwari, F. Rana, H. Hanafi, A. Hartstein, E. F. Crabbe, and K. Chan, Appl. Phys. Lett. 68, 1377 (1996).
17. S. Tiwari, F. Rana, K. Chan, L. Shi, and H. Hanafi, Appl. Phys. Lett. 69, 1232 (1996).
18. H. I. Hanafi, S. Tiwari, and I. Khan, IEEE T. Electron Dev. 43, 1553 (1996).
19. Y. C. King, T. J. King, and C. M. Hu, IEEE T. Electron Dev. 48, 696 (2001).
20. J. De Blauwe, IEEE T. Nanotechnol. 1, 72 (2002).
21. Z. T. Liu, C. Lee, V. Narayanan, G. Pei, and E. C. Kan, IEEE T. Electron. Dev. 49, 1606 (2002).
22. Q. D. Ling, D. J. Liaw, C. X. Zhu, D. S. H. Chan, E. T. Kang, and K. G. Neoh, Prog. Polym. Sci. 33, 917 (2008).
23. D. V. Talapin, J. S. Lee, M. V. Kovalenko, and E. V. Shevchenko, Chem. Rev. 110, 389 (2010).
24. C. H. Lee, J. Meteer, V. Narayanan, and E. C. Kan, J. Electron. Mater. 34, 1 (2005).
25. K. C. Chan, P. F. Lee, and J. Y. Dai, Appl. Phys. Lett. 92, 223105 (2008).
26. Y. S. Lo, K. C. Liu, J. Y. Wu, C. H. Hou, and T. B. Wu, Appl. Phys. Lett. 93, 132907 (2008).
27. J. H. Kim, K. H. Baek, C. K. Kim, Y. B. Kim, and C. S. Yoon, Appl. Phys. Lett. 90, 123118 (2007).
28. H. Park, A. Kim, C. Lee, J. S. Lee, and J. Lee, Appl. Phys. Lett. 94, 213508 (2009).
29. D. J. Lee, S. S. Yim, K. S. Kim, S. H. Kim, and K. B. Kim, J. Appl. Phys. 107, 013707 (2010).
30. W. L. Leong, P. S. Lee, S. G. Mhaisalkar, T. P. Chen, and A. Dodabalapur, Appl. Phys. Lett. 90, 042906 (2007).
31. C. Lee, J. H. Kwon, J. S. Lee, Y. M. Kim, Y. Choi, H. Shin, J. Lee, and B. H. Sohn, Appl. Phys. Lett. 91, 153506 (2007).
32. J. S. Lee, Y. M. Kim, J. H. Kwon, H. Shin, B. H. Sohn, and J. Lee, Adv. Mater. 21, 178 (2009).
33. J. S. Lee, Y. M. Kim, J. H. Kwon, J. S. Sim, H. Shin, B. H. Sohn, and Q. X. Jia, Adv. Mater. 23, 2064 (2011).
34. W. L. Leong, P. S. Lee, A. Lohani, Y. M. Lam, T. Chen, S. Zhang, A. Dodabalapur, and S. G. Mhaisalkar, Adv. Mater. 20, 2325 (2008).
35. J. S. Lee, J. Cho, C. Lee, I. Kim, J. Park, Y. M. Kim, H. Shin, J. Lee, and F. Caruso, Nat. Nanotechnol. 2, 790 (2007).
36. S. Kolliopoulou et al., J. Appl. Phys. 94, 5234 (2003).
37. S. Koliopoulou, P. Dimitrakis, D. Goustouridis, P. Normand, C. Pearson, M. C. Petty, H. Radamson, and D. Tsoukalas, Microelectron. Eng. 83, 1563 (2006).
38. R. Muralidhar et al., Technical Digest of International Electron Devices Meeting, p. 601, IEEE, Washington, DC (2003).
39. C. Gerardi et al., IEEE T. Electron Dev. 54, 1376 (2007).
40. C. Gerardi, S. Lombardo, G. Ammendola, G. Costa, V. Ancarani, D. Mello, S. Giuffrida, and M. C. Plantamura, Microelectron. Reliab. 47, 593 (2007).
41. J. Sarkar, S. Dey, D. Shahrjerdi, and S. K. Banerjee, IEEE T. Electron Dev. 28, 449 (2007).
42. S. Jacob et al., Solid-State Electron. 52, 1452 (2008).
43. Z. C. Liu, F. L. Xue, Y. Su, Y. M. Lvov, and K. Varahramyan, IEEE T. Nanotechnol. 5, 379 (2006).
44. C. Novembre, D. Guerin, K. Lmimouni, C. Gamrat, and D. Vuillaume, Appl. Phys. Lett. 92, 103314 (2008).
45. M. F. Mabrook, Y. J. Yun, C. Pearson, D. A. Zeze, and M. C. Petty, Appl. Phys. Lett. 94, 173302 (2009).
46. Y. M. Kim, Y. S. Park, A. O'Reilly, and J. S. Lee, Electrochem. Solid-State Lett. 13, H134 (2010).
47. S. J. Kim, Y. S. Park, S. H. Lyu, and J. S. Lee, Appl. Phys. Lett. 96, 033302 (2010).
48. L. J. Zhen, W. H. Guan, L. W. Shang, M. Liu, and G. Liu, J. Phys. D-Appl. Phys. 41, 135111 (2008).
49. W. L. Leong, N. Mathews, S. Mhaisalkar, Y. M. Lam, T. P. Chen, and P. S. Lee, J. Mater. Chem. 19, 7354 (2009).
50. Y. M. Kim, S. J. Kim, and J. S. Lee, IEEE Electr. Device L. 31, 503 (2010).
51. S. J. Kim and J. S. Lee, Nano Lett. 10, 2884 (2010).
52. Y. S. Park, S. Chung, S. J. Kim, S. H. Lyu, J. W. Jang, S. K. Kwon, Y. Hong, and J. S. Lee, Appl. Phys. Lett. 96, 213107 (2010).
53. Y. S. Park, S. Y. Lee, and J. S. Lee, IEEE Electr. Device L. 31, 1134 (2010).
54. J. C. Park, S. Kim, C. Kim, I. Song, Y. Park, U. I. Jung, D. H. Kim, and J. S. Lee, Adv. Mater. 22, 5512 (2010).