Observation of single electron transport via multiple quantum states of a silicon quantum dot at room temperature

Nano Letters

Volumn 14, Issue 1, 2014, Pages 71-77

  Lee, Sejoon ^a   Lee, Youngmin ^a   Song, Emil B ^b   Hiramoto, Toshiro ^c  

^a Dongguk University   (South Korea)

^b Engineering IV   (United States)

^c INSTITUTE OF INDUSTRIAL SCIENCE   (Japan)

Author keywords

large quantum level spacings; quantum dot; room temperature; Silicon

Indexed keywords

ELEVATED TEMPERATURE; LARGE QUANTUM-LEVEL SPACINGS; QUANTUM DOT; ROOM TEMPERATURE; ROOM-TEMPERATURE CONDITIONS; SILICON QUANTUM DOTS; SINGLE-ELECTRON TRANSPORT; TRANSPORT BEHAVIOR;

ELECTRON TRANSPORT PROPERTIES; QUANTUM CHEMISTRY; QUANTUM THEORY; SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS; SILICON;

QUANTUM OPTICS;

EID: 84892180140     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl403204k     Document Type: Article

References (42)

1. Morton, J. J. L.; McCamey, D. R.; Eriksson, M. A.; Lyon, S. A. Nature 2011, 479, 345-353
2. Hogan, J. Nature 2003, 424, 484-486
3. Tan, K. Y.; Chan, K. W.; Möttönen, M.; Morello, A.; Yang, C.; Donkelaar, J. v.; Alves, A.; Pirkkalainen, J.-M.; Jamieson, D. N.; Clark, R. G.; Dzurak, A. S. Nano Lett. 2010, 10, 11-15
4. Verduijn, J.; Tettamanzi, G. C.; Rogge, S. Nano Lett. 2013, 13, 1476-1480
5. Culcer, D.; Saraiva, A. L.; Koiller, B.; Hu, X.; Das Sarma, S. Phys. Rev. Lett. 2012, 108, 126804
6. Shi, Z.; Simmons, C. B.; Prance, J. R.; Gamble, J. K.; Koh, T. S.; Shim, Y.-P.; Hu, X.; Savage, D. E.; Lagally, M. G.; Eriksson, M. A.; Friesen, M.; Coppersmith, S. N. Phys. Rev. Lett. 2012, 108, 140503
7. Ono, Y.; Fujiwara, A.; Nishiguchi, K.; Inokawa, H.; Takahashi, Y. J. Appl. Phys. 2005, 97, 031101
8. Oda, S.; Ferry, D. K. Silicon Nanoelectronics; Taylor & Francis: New York, 2006.
9. Lee, C. K.; Kim, S. J.; Shin, S. J.; Choi, J. B.; Takahashi, Y. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 093101
10. Kim, S.-J.; Lee, C.-K.; Chung, R.-S.; Park, E.-S.; Shin, S.-J.; Choi, J.-B.; Yu, Y.-S.; Kim, N.-S.; Lee, H. G.; Park, K.-H. IEEE Trans. Electron. Devices 2009, 56, 1048-1055
11. Miyamoto, S.; Nishiguchi, K.; Ono, Y.; Itoh, K. M.; Fujiwara, A. Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 222103
12. Miyamoto, S.; Nishiguchi, K.; Ono, Y.; Itoh, K. M.; Fujiwara, A. Phys. Rev. B 2010, 82, 033303
13. Chan, K. W.; Mottonen, M.; Kemppinen, A.; Lai, N. S.; Tan, K. Y.; Lim, W. H.; Dzurak, A. S. Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 212103
14. Yamahata, G.; Nishiguchi, K.; Fujiwara, A. Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 222104
15. Nishiguchi, K.; Fujiwara, A. Nanotechnology 2009, 20, 175201
16. Nishiguchi, K.; Ono, Y.; Fujiwara, A.; Inokawa, H.; Takahashi, Y. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 062105
17. Mitic, M.; Cassidy, M. C.; Petersson, K. D.; Starrett, R. P.; Gauja, E.; Brenner, R.; Clark, R. G.; Dzurak, A. S.; Yang, C.; Jamieson, D. N. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 013503
18. Shin, S. J.; Lee, J. J.; Kang, H. J.; Choi, J. B.; Yang, S. R. E.; Takahashi, Y.; Hasko, D. G. Nano Lett. 2011, 11, 1591-1597
19. Kobayashi, M.; Hiramoto, T. J. Appl. Phys. 2008, 103, 053709
20. Lee, S.; Lee, Y.; Song, E. B.; Wang, K. L.; Hiramoto, T. Appl. Phys. Lett. 2013, 102, 083504
21. Lee, S.; Hiramoto, T. Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 043508
22. Lee, S.; Miyaji, K.; Kobayashi, M.; Hiramoto, T. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 073502
23. Lee, S.; Lee, Y.; Song, E. B.; Hiramoto, T. J. Appl. Phys. 2013, 114, 164513
24. Morgan, N. Y.; Abusch-Magder, D.; Kastner, M. A.; Takahashi, Y.; Tamura, H.; Murase, K. J. Appl. Phys. 2001, 89, 410-419
25. Dutta, A.; Oda, S.; Fu, Y.; Willander, M. Jpn. J. Appl. Phys. 2000, 39, 4647-4650
26. De Franceschi, S.; Sasaki, S.; Elzerman, J. M.; van der Wiel, W. G.; Tarucha, S.; Kouwenhoven, L. P. Phys. Rev. Lett. 2001, 86, 878-881
27. Takahashi, Y.; Horiguchi, S.; Fujiwara, A.; Murase, K. Physica B 1996, 227, 105-108
28. Amman, M.; Wilkins, R.; Ben-Jacob, E.; Maker, P. D.; Jaklevic, R. C. Phys. Rev. B 1991, 43, 1146-1149
29. Hanna, A. E.; Tinkham, M. Phys. Rev. B 1991, 44, 5919-5922
30. Jdira, L.; Liljeroth, P.; Stoffels, E.; Vanmaekelbergh, D.; Speller, S. Phys. Rev. B 2006, 73, 115305
31. Li, B.; Zeng, C.; Zhao, J.; Yang, J.; Hou, J. G.; Zhu, Q. J. Chem. Phys. 2006, 124, 064709-064711
32. Chen, G.-L.; Kuo, D. M. T.; Lai, W.-T.; Li, P.-W. Nanotechnology 2007, 18, 475402
33. Kuo, D. M. T.; Chang, Y.-C. Phys. Rev. Lett. 2007, 99, 086803
34. Negishi, R.; Hasegawa, T.; Terabe, K.; Aono, M.; Tanaka, H.; Ogawa, T.; Ozawa, H. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 223112-223113
35. Escott, C. C.; Zwanenburg, F. A.; Morello, A. Nanotechnology 2010, 21, 274018
36. Hada, Y.; Eto, M. Phys. Status Solidi C 2005, 2, 3035-3038
37. Zaknoon, B.; Bahir, G.; Saguy, C.; Edrei, R.; Hoffman, A.; Rao, R. A.; Muralidhar, R.; Chang, K.-M. Nano Lett. 2008, 8, 1689-1694
38. Rahman, R.; Verduijn, J.; Kharche, N.; Lansbergen, G. P.; Klimeck, G.; Hollenberg, L. C. L.; Rogge, S. Phys. Rev. B 2011, 83, 195323
39. Neophytou, N.; Paul, A.; Lundstrom, M. S.; Klimeck, G. IEEE Trans. Electron Devices 2008, 55, 1286-1297
40. Yi, K. S.; Trivedi, K.; Floresca, H. C.; Yuk, H.; Hu, W.; Kim, M. J. Nano Lett. 2011, 11, 5465-5470
41. Saitoh, M.; Hiramoto, T. IEICE Trans. Electron. 2001, E84-C, 1071-1076
42. Miyaji, K.; Saitoh, M.; Hiramoto, T. IEEE Trans. Nanotechnol. 2006, 5, 167-173