Control of GaN surface morphologies using plasma-assisted molecular beam epitaxy

Journal of Applied Physics

Volumn 88, Issue 4, 2000, Pages 1855-1860

  Heying, B ^a   Averbeck, R ^b   Chen, L F ^a   Haus, E ^a   Riechert, H ^b   Speck, J S ^a  

^a University of California   (United States)

^b INFINEON TECHNOLOGIES AG   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0011796924     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1305830     Document Type: Article

References (21)

1. S. M. Newstead, R. A. A. Kubiak, and E. H. C. Parker, J. Cryst. Growth 81, 49 (1987).
2. S. Y. Karpov, Y. V. Kovalchuk, V. E. Myachin, and Y. V. Pogorelskii, J. Cryst. Growth 129, 563 (1993).
3. A. Kikuchi, H. Hoshi, and K. Kishino, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 34, 1153 (1995).
4. H. Okumura, K. Balakrishnan, H. Hamaguchi, T. Koizumi, S. Chichibu, H. Nakanishi, T. Nagatomo, and S. Yoshida, J. Cryst. Growth 189/190, 364 (1998).
5. R. Held, D. E. Crawford, A. M. Johnston, A. M. Dabiran, and P. I. Cohen, J. Electron. Muter. 26, 272 (1997).
6. R. Held and D. E. Crawford, Surf. Rev. Lett. 5, 913 (1998).
7. R. Held, G. Nowak, B. E. Ishaug, S. M. Seutter, A. Parkhomovsky, A. M. Dabiran, P. I. Cohen, I. Grzegory, and S. Porowski, J. Appl. Phys. 85, 7697 (1999).
8. K. Iwata, H. Asahi, Y. Soon Jae, K. Asami, H. Fujita, M. Fushida, and S. I. Gonda, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L289 (1996).
9. A. R. Smith et al., MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 12 (1998).
10. A. R. Smith, V. Ramachandran, R. M. Feenstra, D. W. Greve, M. S. Shin, M. Skowronski, J. Neugebauer, and J. E. Northrup, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 1641 (1998).
11. A. R. Smith, R. M. Feenstra, D. W. Greve, M. S. Shin, M. Skowronski, J. Neugebauer, and J. E. Northrup, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2242 (1998).
12. P. Hacke, G. Feuillet, H. Okumura, and S. Yoshida, Appl. Phys. Lett. 69, 2507 (1996).
13. O. H. Hughes, D. Korakakis, T. S. Cheng, A. V. Blant, N. J. Jeffs, and C. T. Foxon, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2237 (1998).
14. Y. Zhonghai, S. L. Buczlowski, N. C. Gifes, T. H. Myers, and M. R. Richards-Babb, Appl. Phys. Lett. 69, 2731 (1996).
15. E. J. Tarsa, B. Heying, X. H. Wu, P. Fini, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 82, 5472 (1997).
16. B. Heying, E. J. Tarsa, C. R. Elsass, P. Fini, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 85, 6470 (1999).
17. H. Riechert, R. Averbeck, A. Graber, M. Schienle, U. Strauss, and H. Tews, in MBE Growth of (In) GaN for LED Applications (Materials Research Society, Boston, 1997), pp. 149-159.
18. T. Zywietz, J. Neugebauer, and M. Scheffler, Appl. Phys. Lett. 73, 487 (1998).
19. Y. Chen, T. Takeuchi, H. Amano, I. Akasaki, N. Yamada, Y. Kaneko, and S. Y. Wang, Appl. Phys. Lett. 72, 710 (1998).
20. I. H. Kim, H. S. Park, Y. J. Park, and T. Kim, Appl. Phys. Lett. 73, 1634 (1998).
21. X. H. Wu, C. R. Elsass, A. Abare, M. Mack, S. Keller, P. M. Petroff, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and S. J. Rosner, Appl. Phys. Lett. 72, 692 (1998).