High-mobility organic thin-film transistors based on α,α′-didecyloligothiophenes

Journal of Applied Physics

Volumn 93, Issue 5, 2003, Pages 2977-2981

  Halik, Marcus ^a   Klauk, Hagen ^a   Zschieschang, Ute ^a   Schmid, Günter ^a   Radlik, Wolfgang ^a   Ponomarenko, Sergei ^b   Kirchmeyer, Stephan ^b   Weber, Werner ^a  

^a INFINEON TECHNOLOGIES AG   (Germany)

^b Ctr Res and Development Division   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARRIER MOBILITY; CROSSLINKING; EVAPORATION; INTEGRATED CIRCUITS; SEMICONDUCTING ORGANIC COMPOUNDS;

BOTTOM-CONTACT TRANSISTORS;

THIN FILM TRANSISTORS;

EID: 0037349789     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1543246     Document Type: Article

References (26)

1. M. G. Kane, J. Campi, M. S. Hammond, F. P. Cuomo, B. Greening, C. D. Sheraw, J. A. Nichols, D. J. Gundlach, J. R. Huang, C. C. Kuo, L. Jia, H. Klauk, and T. N. Jackson, IEEE Electron Device Lett. 21, 534 (2000).
2. G. H. Gelinck, T. C. T. Geuns, and D. M. de Leeuw, Appl. Phys. Lett. 77, 1487 (2000).
3. H. E. A. Huitema, G. H. Gelinck, J. B. P. H. van der Putten, K. E. Kuijk, K. M. Hart, E. Cantatore, and D. M. de Leeuw, Adv. Mater. 14, 1201 (2002).
4. C. D. Sheraw, L. Zhou, J. R. Huang, D. J. Gundlach, T. N. Jackson, M. G. Kane, I. G. Hill, M. S. Hammond, J. Campi, B. K. Greening, J. Francl, and J. West, Appl. Phys. Lett. 80, 1088 (2002).
5. B. Crone, A. Dodabalapur, R. Sarpeshkar, A. Gelperin, H. E. Katz, and Z. Bao, J. Appl. Phys. 91, 10140 (2002).
6. M. Madru, G. Guillaud, M. Al Sadoun, M. Maitrot, C. Clarisse, M. Le Contellec, J. J. Andre, and J. Simon, Chem. Phys. Lett. 142, 103 (1987).
7. C. Clarisse, M. T. Riou, M. Gauneau, and M. Le Contellec, Electron. Lett. 24, 674 (1988)
8. R. Madru, G. Guillaud, M. Al Sadoun, M. Maitrot, J. J. Andre, J. Simon, and R. Even, Chem. Phys. Lett. 145, 343 (1988).
9. G. Guillaud, R. Madru, M. Al Sadoun, and M. Maitrot, J. Appl. Phys. 66, 4554 (1989).
10. G. Horowitz, D. Fichou, X. Peng, Z. Xu, and F. Garnier, Solid State Commun. 72, 381 (1989).
11. G. Horowitz, X. Z. Peng, D. Fichou, and F. Garnier, J. Mol. Electron. 7. 85 (1991).
12. F. Garnier, G. Horowitz, X. Z. Peng, and D. Fichou, Synth. Met. 45, 163 (1991).
13. A. Dodabalapur, L. Torsi, and H. E. Katz, Science 268, 270 (1995).
14. G. Horowitz and M. E. Hajlaoui, Adv. Mater. 12, 1046 (2000).
15. G. Horowitz, R. Hajlaoui, and F. Kouki, Eur. Phys. J.: Appl. Phys. 1, 361 (1998).
16. J. H. Schön, A. Dodabalapur, C. Kloc, and B. Batlogg, Science 290, 963 (2000).
17. F. Garnier, A. Yassar, R. Hajlaoui, G. Horowitz, F. Deloffre, B. Servet, S. Ries, and P. Alnot, J. Am. Chem. Soc. 115, 8716 (1993).
18. C. D. Dimitrakopoulos, B. K. Furman, T. Graham, S. Hedge, and S. Purushothaman, Synth. Met. 92, 47 (1998).
19. B. K. Crone, A. Dodabalapur, R. Sarpeshkar, R. W. Filas, Y. Y. Lin, Z. Bao, J. H. O'Neill, W. Li, and H. E. Katz, J. Appl. Phys. 89. 5125 (2001).
20. S. Ponomarenko and S. Kirchmeyer, J. Mater. Chem. 13/2 (2003); also published online at :http://www.rsc.org/(Frmuscat/intermediate_abstract.cfm?FURL=/ej/JM/2003/B209176 C/index.htm&TYP=ADV)
21. H. Klauk, M. Halik, U. Zschieschang, G. Schmid, W. Radlik, and W. Weber, J. Appl. Phys. 92, 5259 (2002).
22. J. H. Schön, C. Kloc, and B. Batlogg, Synth. Met, 122, 195 (2001).
23. H. Klauk, G. Schmid, L. Zhou, C. D. Sheraw, J. R. Huang, J. A. Nichols, and T. N. Jackson, Solid State Electron. 47, 297 (2003).
24. P. V. Necliudov, M. S. Shur, D. J. Gundlach, and T. N. Jackson, J. Appl. Phys. 88, 6594 (2000).
25. D. J. Gundlach, Y. Y. Lin, T. N. Jackson, S. F. Nelson, and D. G. Schlom, IEEE Electron Device Lett. 18, 87 (1997).
26. H. E. Katz, Z. Bao, and S. L. Gilat, Acc. Chem. Res. 34, 359 (2001).