Thickness dependence of the ambipolar charge transport properties in organic field-effect transistors based on a quinoidal oligothiophene derivative

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 115, Issue 42, 2011, Pages 20703-20709

  Ribierre, J C ^a,b   Watanabe, S ^a,c   Matsumoto, M ^c   Muto, T ^a   Hashizume, D ^a   Aoyama, T ^a  

^a RIKEN   (Japan)

^b Ewha Womans University   (South Korea)

^c TOKYO UNIVERSITY OF SCIENCE   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMBIPOLAR; CONTACT RESISTANCE EFFECTS; CRYSTALLINE GRAIN SIZE; DICYANOMETHYLENE; ELECTRON TRAPPING; FIELD-EFFECT MOBILITIES; FILM MORPHOLOGY; FILMS THINNER; OLIGOTHIOPHENE DERIVATIVE; OLIGOTHIOPHENES; OPTIMIZED STRUCTURES; SATURATION REGIME; SOLUTION-PROCESSED; THICKNESS DEPENDENCE; X-RAY DIFFRACTION TECHNIQUES;

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; ELECTRON MOBILITY; ELECTRON TRANSPORT PROPERTIES; GRAIN BOUNDARIES; GRAIN SIZE AND SHAPE; HOLE MOBILITY; MORPHOLOGY; THIN FILMS; TRANSISTORS; TRANSPORT PROPERTIES; X RAY DIFFRACTION;

ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 80054949923     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp206129g     Document Type: Article

References (60)

1. Zaumseil, J.; Sirringhaus, H. Chem. Rev. 2007, 107, 1296
2. Meijer, E. J.; de Leeuw, D. M.; Setayesh, S.; Van Veenendaal, E.; Huisman, B.-H.; Blom, P. W. M.; Hummelen, J. C.; Scherf, U.; Klapwijk, T. M. Nat. Mater. 2003, 2, 678
3. Anthopoulos, T. D.; Setayesh, S.; Smits, E.; Cölle, M.; Cantatore, E.; de Boer, B.; Blom, P. W. M.; de Leeuw, D. M. Adv. Mater. 2006, 18, 1900
4. Cornil, J.; Brédas, J. L.; Zaumseil, J.; Sirringhaus, H. Adv. Mater. 2007, 19, 1791
5. Muccini, M. Nat. Mater. 2006, 5, 605
6. Dinelli, F.; Capelli, R.; Loi, M. A.; Murgia, M.; Muccini, M.; Facchetti, A.; Marks, T. J. Adv. Mater. 2006, 18, 1416
7. Kim, F. S.; Guo, X.; Watson, M. D.; Jenekhe, S. A. Adv. Mater. 2010, 22, 478
8. Babel, A.; Wind, J. D.; Jenekhe, S. A. Adv. Funct. Mater. 2004, 14, 891
9. Shkunov, M.; Simms, R.; Heeney, M.; Tierney, S.; McCulloch, I. Adv. Mater. 2005, 17, 2608
10. Tada, K.; Harada, H.; Yoshino, K. Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 1996, 35, L944
11. Anthopoulos, T. D.; de Leeuw, D. M.; Cantatore, E.; Setayesh, S.; Meijer, E. J.; Tanase, C.; Hummelen, J. C.; Blom, P. W. M. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 4205
12. Chikamatsu, M.; Mikami, T.; Chisaka, J.; Yoshida, Y.; Shimizu, A.; Kubo, T.; Morita, Y.; Nakasuji, K. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 043506
13. Anthopoulos, T. D.; Tanase, C.; Setayesh, S.; Meijer, E. J.; Hummelen, J. C.; Blom, P. W. M.; de Leeuw, D. M. Adv. Mater. 2004, 16, 2174
14. Cicoira, F.; Coppedé, N.; Iannota, S.; Martel, R. Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 183303
15. Pappenfus, T. M.; Chesterfield, R. J.; Frisbie, C. D.; Mann, K. R.; Casado, J.; Raff, J. D.; Miller, L. L. J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 4184
16. Chesterfield, R. J.; Newman, C. R.; Pappenfus, T. M.; Ewbank, P. C.; Haukaas, M. H.; Mann, K. R.; Miller, L. L.; Frisbie, C. D. Adv. Mater. 2003, 15, 1278
17. Ortiz, R. P.; Facchetti, A.; Marks, T. J.; Casado, J.; Zgierski, M. Z.; Kozaki, M.; Hernandez, V.; Lopez Navarrete, J. T. Adv. Funct. Mater. 2009, 19, 386
18. Handa, S.; Miyazaki, E.; Takimiya, K.; Kunugi, Y. J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 11684
19. Suzuki, Y.; Miyazaki, E.; Takimiya, K. J. Am. Chem. Soc. 2010, 132, 10453
20. Handa, S.; Miyazaki, E.; Takimiya, K. Chem. Commun. 2009, 3919
21. Suzuki, Y.; Shimawaki, M.; Miyazaki, E.; Osaka, I.; Takimiya, K. Chem. Mater. 2011, 23, 795
22. Ribierre, J. C.; Watanabe, S.; Matsumoto, M.; Muto, T.; Aoyama, T. Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 083303
23. Ribierre, J. C.; Fujihara, T.; Watanabe, S.; Matsumoto, M.; Muto, T.; Nakao, A.; Aoyama, T. Adv. Mater. 2010, 22, 1722
24. Ribierre, J. C.; Fujihara, T.; Muto, T; Aoyama, T. Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 233302
25. Ribierre, J. C.; Takaishi, K.; Muto, T; Aoyama, T. Opt. Mater. 2011, 33, 1415
26. Ribierre, J. C.; Watanabe, S.; Matsumoto, M.; Muto, T; Nakao, A.; Aoyama, T. Adv. Mater. 2010, 22, 4044
27. Ribierre, J. C.; Fujihara, T.; Muto, T; Aoyama, T. Org. Electron. 2010, 11, 1469
28. Tsao, H. N.; Cho, D.; Wenzel Andreasen, J.; Rouhanipour, A.; Breiby, D. W.; Pisula, W.; Müllen, K. Adv. Mater. 2009, 21, 209
29. Chang, P. C.; Lee, J.; Huang, D.; Subramanian, V.; Murphy, A. R.; Fréchet, J. M. J. Chem. Mater. 2004, 16, 4783
30. Yang, S. Y.; Shin, K.; Park, C. E. Adv. Funct. Mater. 2005, 15, 1806
31. Singh, T. B.; Günes, S.; Marjanovic, N.; Sariciftci, N. S.; Menon, R. J. Appl. Phys. 2005, 97, 114508
32. Kim, C.; Facchetti, A.; Marks, T. J. Science 2007, 318, 76
33. Ribierre, J. C.; Ghosh, S.; Takaishi, K.; Muto, T; Aoyama, T. J. Phys. D: Appl. Phys. 2011, 44, 205102
34. Higuchi, H.; Nakayama, T.; Koyama, H.; Ojima, J.; Wada, T.; Sasabe, H. Bull. Chem. Soc. Jpn. 1995, 68, 2363
35. Nguyen, T. Q.; Doan, V.; Schwartz, B. J. J. Chem. Phys. 1999, 110, 4068
36. Patterson, A. L. Phys. Rev. 1939, 56, 978
37. Casado, J.; Miller, L. L.; Mann, K. R.; Pappenfus, T. M.; Higuchi, H.; Orti, E.; Milian, B.; Pou-Amerigo, R.; Hernandez, V.; Lopez Navarrete., J. T. J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 12380
38. Ribierre, J. C.; Aoyama, T.; Watanabe, S.; Gu, J.; Muto, T.; Matsumoto, M.; Nakao, A.; Wada, T. Jpn. J. Appl. Phys. 2010, 49, 01AB06
39. Cicoira, F.; Aguirre, C. M.; Martel, R. ACS Nano 2011, 5, 283
40. Schroeder, R.; Majewski, L. A.; Grell, M. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 3201
41. Singh, V.; Yano, M.; Takashima, W.; Kaneto, K. Jpn. J. Appl. Phys. 2006, 45, 534
42. Horowitz, G. J. Mater. Chem. 1999, 9, 2021
43. Bain, S.; Smith, D. C.; Wilson, N. R.; Carrasco-Orozco, M. Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 143304
44. Gowrisanker, S.; Ai, Y.; Qevedo-Lopez, A.; Jia, H.; Alshareef, H. N.; Vogel, E.; Gnade, B. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 153305
45. Pesavento, P. V.; Puntambekar, K. P.; Frisbie, C. D.; McKeen, J. C.; Ruden, P. P. J. Appl. Phys. 2006, 99, 094504
46. Lee, J.; Kim, K.; Kim, J. H.; Im, S.; Jung, D. Y. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 4169
47. Choi, J. M.; Im, S. Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 043309
48. Hoshino, S.; Kamata, T.; Yase, K. J. Appl. Phys. 2002, 92, 6028
49. Jia, H.; Gowrisanker, S.; Pant, G. K.; Wallace, R. M.; Gnade, B. E. J. Vac. Sci. Technol., A 2006, 24, 1228
50. Boudinet, D.; Benwadih, M.; Altazin, S.; Gwoziecki, R.; Verilhac, J. M.; Coppard, R.; Le Blevennec, G.; Chartier, I.; Horowitz, G. Org. Electron. 2010, 11, 291
51. Blanchet, G. B.; Fincher, C. R.; Lefenfeld, M.; Rogers, J. A. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 296
52. Yagi, I.; Tsukagoshi, K.; Aoyagi, Y. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 813
53. Gundlach, D. J.; Zhou, L.; Nichols, J. A.; Jackson, T. N.; Necliudov, P. V.; Shur, M. S. J. Appl. Phys. 2006, 100, 024509
54. Kline, R. J.; McGehee, M. D.; Toney, M. F. Nat. Mater. 2006, 5, 222
55. Umeda, T.; Tokito, S.; Kumaki, D. J. Appl. Phys. 2007, 101, 054517
56. Verlaak, S.; Arkhipov, W.; Heremans, P. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 745
57. Di Carlo, A.; Piacenza, F.; Bolognesi, A.; Stadlober, B.; Maresh, H. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 263501
58. Matsushima, T.; Yahiro, M.; Adachi, C. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 103505
59. Ling, M. M.; Erk, P.; Koenemann, M.; Locklin, J.; Bao, Z. Adv. Mater. 2007, 19, 1123
60. Wen, Y.; Liu, Y.; Di, C.; Wang, Y.; Sun, X.; Guo, Y.; Zheng, J.; Wu, W.; Ye, S.; Yu, G. Adv. Mater. 2009, 21, 1631