Improvements in stability and performance of N,N'-dialkyl perylene diimide-based n-type thin-film transistors

Advanced Materials

Volumn 21, Issue 16, 2009, Pages 1631-1635

  Wen, Yugeng ^a,b   Liu, Yunqi ^a   Di, Chong An ^a   Wang, Ying ^a   Sun, Xiangnan ^a,b   Guo, Yunlong ^a,b   Zheng, Jian ^a,b   Wu, Weiping ^a,b   Ye, Shanghui ^a,b   Yu, Gui ^a  

^a INSTITUTE OF CHEMISTRY   (China)

^b UNIVERSITY OF CHINESE ACADEMY OF SCIENCES   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMBIENT CONDITIONS; GATE INSULATOR; MODIFIED ELECTRODES; OCTADECYL; ORGANIC SEMICONDUCTOR; PERFORMANCE IMPROVEMENTS; PERYLENEDIIMIDE; SHADOW MASK; SULFUR DEPOSITIONS; TRICHLOROSILANE;

ELECTRON TRANSITIONS; FABRICATION; FILM GROWTH; MONOLAYERS; SEMICONDUCTING ORGANIC COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR GROWTH; SILICON COMPOUNDS; THIN FILM DEVICES; THIN FILM TRANSISTORS; TRANSISTORS;

SULFUR;

EID: 66149146262     PISSN: 09359648     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.200802934     Document Type: Article

References (29)

1. H. Klauk, U. Zschieschang, J. Pflaum, M. Halik, Nature 2007, 445, 745.
2. C. D. Dimitrakopoulos, P. R. L. Malenfant, Adv. Mater. 2002, 14, 99.
3. A. L. Briseno, S. C. B. Mannsfeld, M. M. Ling, S. Liu, R. J. Tseng, C. Reese, M. E. Roberts, Y. Yang, F. Wudl, Z. Bao, Nature 2006, 444, 913.
4. B. Yoo, B. A. Jones, D. Basu, D. Fine, T. Jung, S. Mohapatra, A. Facchetti, K. Dimmler,M. R. Wasielewski, T. J. Marks, A. Dodabalapur, Adv. Mater. 2007, 19, 4028.
5. H. E. Katz, A. J. Lovinger, J. Johnson, C. Kloc, T. Siegrist, W. Li, Y. Y. Lin, A. Dodabalapur, Nature 2000, 404, 478.
6. S. Tatemichi, M. Ichikawa, T. Koyama, Y. Taniguchi, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 112108.
7. B. A. Jones, M. J. Ahrens, M. H. Yoon, A. Facchetti, T. J. Marks, M. R. Wasielewski, Angew. Chem. Int. Ed. 2004, 43, 6363.
8. R. J. Chesterfield, J. C. McKeen, C. R. Newman, P. C. Ewbank, D. A. da Silva Filho, J.-L. Brédas, L. L. Miller, K. R. Mann, C. D. Frisbie, J. Phys. Chem. B 2004, 108, 19281.
9. B. Yoo, T. Jung, D. Basu, A. Dodabalapur, B. A. Jones, A. Facchetti, M. R. Wasielewski, T. J. Marks, Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 082104.
10. P. R. L. Malenfant, C. D. Dimitrakopoulos, J. D. Gelorme, L. L. Kosbar, A. Graham, T. O. Curioni, W. Andreoni, Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 2517.
11. M. M. Ling, P. Erk, M. Gomez, M. Koenemann, J. Locklin, Z. Bao, Adv. Mater. 2007, 19, 1123.
12. D. J. Gundlach, K. P. Pernstich, G.Wilckens, M. Grüter, S. Haas, B. Batlogg, J. Appl. Phys. 2005, 98, 064502.
13. B. A. Jones, A. Facchetti, M. R. Wasielewski, T. J. Marks, J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 15259.
14. G. S. Tulevski, Q. Miao, A. Afzali, T. O. Graham, C. R. Kagan, C. Nuckolls, J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 1788.
15. H. E. Katz, J. Johnson, A. J. Lovinger, W. J. Li, J. Am. Chem. Soc. 2000, 122, 7787.
16. R. W. Zehner, B. F. Parsons, R. P. Hsung, L. R. Sita, Langmuir 1999, 15, 1121.
17. M. H. Yoon, C. Kim, A. Facchetti, T. J. Marks, J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 12851.
18. K. Itaka, M. Yamashiro, J. Yamaguchi, M. Haemori, S. Yaginuma, Y. Matsumoto, M. Kondo, H. Koinuma, Adv. Mater. 2006, 18, 1713.
19. S. Ando, R. Murakami, J. Nishida, H. Tada, Y. Inoue, S. Tokito, Y. Yamashita, J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 14996.
20. D. Kumaki, S. Ando, S. Shimono, Y. Yamashita, T. Umeda, S. Tokito, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 053506.
21. D. Käfer, G. Witte, P. Cyganik, A. Terfort, C. Wöll, J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 1723.
22. T. Laiho, J. A. Leiro, J. Lukkari, Appl. Surf. Sci. 2003, 212, 525.
23. M. C. Bourg, A. Badia, R. B. Lennox, J. Phys. Chem. B 2000, 104, 6562.
24. R. J. Chesterfield, J. McKeen, C. R. Newman, C. D. Frisbie, J. Appl. Phys. 2004, 95, 6396.
25. S. Verlaak, W. Arkhipov, P. Heremans, Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 745.
26. Z. Bao, A. J. Lovinger, A. Dodabalapur, Appl. Phys. Lett. 1996, 69, 3066.
27. L. Torsi, A. Dodabalapur, L. J. Rothberg, A. W. P. Fung, H. E. Katz, Science 1996, 272, 1462.
28. A. Facchetti, M. Mushrush, H. E. Katz, T. J. Marks, Adv. Mater. 2003, 15, 33.
29. R. Ruiz, A. Papadimitratos, A. C. Mayer, G. G. Malliaras, Adv. Mater. 2005, 17, 1795.