Formation of high-quality GaN microcrystals by pendeoepitaxial overgrowth of GaN nanowires on Si(111) by molecular beam epitaxy

Crystal Growth and Design

Volumn 11, Issue 10, 2011, Pages 4257-4260

  Dogan, Pinar ^a   Brandt, Oliver ^a   Pfüller, Carsten ^a   Lähnemann, Jonas ^a   Jahn, Uwe ^a   Roder, Claudia ^a   Trampert, Achim ^a   Geelhaar, Lutz ^a   Riechert, Henning ^a  

^a PAUL DRUDE INSTITUT FÜR FESTKÖRPERELEKTRONIK   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMICALLY SMOOTH SURFACE; DONOR-BOUND EXCITON; GAN NANOWIRES; HEXAGONAL GAN; HIGH QUALITY; PHOTOLUMINESCENCE SPECTRUM; SI (1 1 1); STRAIN-FREE; STRUCTURAL QUALITIES; THREADING DISLOCATION;

EPITAXIAL GROWTH; MICROCRYSTALS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; NANOWIRES; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 80053503810     PISSN: 15287483     EISSN: 15287505     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cg200801x     Document Type: Article

References (32)

1. Simeonov, D.; Feltin, E.; Altoukhov, A.; Castiglia, A.; Carlin, J. F.; Butte, R.; Grandjean, N. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 171102
2. Tamboli, A. C.; Haberer, E. D.; Sharma, R.; Lee, K. H.; Nakamura, S.; Hu, E. L. Nat. Photonics 2007, 1, 61
3. Choi, H. W.; Hui, K. N.; Lai, P. T.; Chen, P.; Zhang, X. H.; Tripathy, S.; Teng, J. H.; Chua, S. J. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 211101
4. Tripathy, S.; Sale, T. E.; Dadgar, A.; Lin, V. K. X.; Zang, K. Y.; Teo, S. L.; Chua, S. J.; Blaesing, J.; Krost, A. J. Appl. Phys. 2008, 104, 053106
5. Bidnyk, S.; Little, B.; Cho, Y.; Krasinski, J.; Song, J.; Yang, W.; McPherson, S. Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 2242
6. Kusakabe, K.; Kikuchi, A.; Kishino, K. Jpn. J. Appl. Phys. 2001, 40, L192
7. Tang, T.-Y.; Shiao, W.-Y.; Lin, C.-H.; Shen, K.-C.; Huang, J.-J.; Ting, S.-Y.; Liu, T.-C.; Yang, C. C.; Yao, C.-L.; Yeh, J.-H.; Hsu, T.-C.; Chen, W.-C.; Hsu, H.-C.; Chen, L.-C. J. Appl. Phys. 2009, 105, 023501
8. Chen, Y.-S.; Shiao, W.-Y.; Tang, T.-Y.; Chang, W.-M.; Liao, C.-H.; Lin, C.-H.; Shen, K.-C.; Yang, C. C.; Hsu, M.-C.; Yeh, J.-H.; Hsu, T.-C. J. Appl. Phys. 2009, 106, 023521
9. Tang, T.-Y.; Lin, C.-H.; Chen, Y.-S.; Shiao, W.-Y.; Chang, W.-M.; Liao, C.-H.; Shen, K.-C.; Yang, C.-C.; Hsu, M.-C.; Yeh, J.-H.; Hsu, T.-C. IEEE Trans. Electron Devices 2010, 57, 71
10. Meshi, L.; Cherns, D.; Griffiths, I.; Khongphetsak, S.; Gott, A.; Liu, C.; Denchitcharoen, S.; Shields, P.; Wang, W.; Campion, R.; Novikov, S.; Foxon, T. Phys. Status Solidi C 2008, 5, 1645
11. Cherns, D.; Meshi, L.; Griffiths, I.; Khongphetsak, S.; Novikov, S. V.; Farley, N.; Cam- pion, R. P.; Foxon, C. T. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 121902
12. Chao, C. L.; Chiu, C. H.; Lee, Y. J.; Kuo, H. C.; Liu, P.-C.; Tsay, J. D.; Cheng, S. J. Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 051905
13. Li, Q.; Lin, Y.; Creighton, J. R.; Figiel, J. J.; Wang, G. T. Adv. Mater. 2009, 21, 2416
14. Cherns, D.; Meshi, L.; Griffiths, I.; Khongphetsak, S.; Novikov, S. V.; Campion, R. P.; Foxon, C. T.; Liu, C.; Shields, P.; Wang, W. N. J. Phys.: Conf. Ser. 2010, 209, 012001
15. Bougrioua, Z.; Gibarta, P.; Calleja, E.; Jahn, U.; Trampert, A.; Ristic, J.; Utrera, M.; Nataf, G. J. Cryst. Growth 2007, 309, 113
16. Kato, K.; Kishino, K.; Sekiguchi, H.; Kikuchi, A. J. Cryst. Growth 2009, 311, 2956
17. Yang, T. H.; Ku, J. T.; Chang, J.-R.; Shen, S.-G.; Chen, Y.-C.; Wong, Y. Y.; Chou, W. C.; Chen, C.-Y.; Chang, C.-Y. J. Cryst. Growth 2009, 311, 1997
18. Ku, J.-T.; Yang, T.-H.; Chang, J.-R.; Wong, Y.-Y.; Chou, W.-C.; Chang, C.-Y.; Chen, C.-Y. Jpn. J. Appl. Phys. 2010, 49, 04DH06
19. Calleja, E.; Sánchez-García, M. A.; Sánchez, F. J.; Calle, F.; Naranjo, F. B.; Muñoz, E.; Jahn, U.; Ploog, K. Phys. Rev. B 2000, 62, 16826
20. Brandt, O.; Pfüller, C.; Cheze, C.; Geelhaar, L.; Riechert, H. Phys. Rev. B 2010, 81, 045302
21. Geelhaar, L. IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 2011, 17, 878-888
22. Consonni, V.; Knelangen, M.; Jahn, U.; Trampert, A.; Geelhaar, L.; Riechert, H. Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 241910
23. Kornitzer, K.; Ebner, T.; Grehl, M.; Thonke, K.; Sauer, R.; Kirchner, C.; Schwegler, V.; Kamp, M.; Leszczynski, M.; Grzegory, I.; Porowski, S. Phys. Status Solidi B 1999, 216, 5
24. Grundmann, M. Phys. Status Solidi B 2011, 248, 805
25. Wysmolek, A.; Korona, K.; Stepniewski, R.; Baranowski, J.; Bloniarz, J.; Potemski, M.; Jones, R.; Look, D.; Kuhl, J.; Park, S.; Lee, S. Phys. Rev. B 2002, 66, 245317
26. Bai, J.; Dudley, M.; Raghothamachar, B.; Gouma, P.; Skromme, B.; Chen, L.; Hartlieb, P.; Michaels, E.; Kolis, J. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 3289
27. Calleja, E.; Sanchez-Garcia, M.; Sanchez, F.; Calle, F.; Naranjo, F.; Munoz, E.; Molina, S.; Sanchez, A.; Pacheco, F.; Garcia, R. J. Cryst. Growth 1999, 201, 296
28. Dadgar, A.; Poschenrieder, M.; Reiher, A.; Blasing, J.; Christen, J.; Krtschil, A.; Finger, T.; Hempel, T.; Diez, A.; Krost, A. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 28
29. Schumann, T.; Gotschke, T.; Limbach, F.; Stoica, T.; Calarco, R. Nanotechnology 2011, 22, 095603
30. Songmuang, R.; Landre, O.; Daudin, B. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 251902
31. Landre, O.; Bougerol, C.; Renevier, H.; Daudin, B. Nano Technol. 2009, 20, 415602
32. Wu, C.; Chou, L.; Gwo, S. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 2071