Epitaxial overgrowth of gallium nitride nano-rods on silicon (111) substrates by RF-plasma-assisted molecular beam epitaxy

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 49, Issue 4 PART 2, 2010, Pages

  Ku, Jui Tai ^a   Yang, Tsung Hsi ^a   Chang, Jet Rung ^a   Wong, Yuen Yee ^a   Chou, Wu Ching ^a   Chang, Chun Yen ^a   Chen, Chiang Yao ^b  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b Ulvac Taiwan Inc   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BLUE SHIFT; CRITICAL DIAMETER; EPITAXIAL OVERGROWTH; PEAK ENERGY; RAMAN SHIFT; RF PLASMA; SILICON (111) SUBSTRATES; SILICON SUBSTRATES; STRAIN-FREE;

EPITAXIAL GROWTH; GALLIUM NITRIDE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MOLECULAR BEAMS; NANORODS; PHONONS; SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS; SUBSTRATES;

GALLIUM ALLOYS;

EID: 77952707250     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.49.04DH06     Document Type: Article

References (27)

1. E. Bahat-Treidel, R. Lossy, J. Würfl, and G. Tränkle: IEEE Electron Device Lett. 30 (2009) 901.
2. M. Funato, T. Kondou, K. Hayashi, S. Nishiura, M. Ueda, Y. Kawakami, Y. Narukawa, and T. Mukai: Appl. Phys. Express 1 (2008) 011106.
3. O. H. Nam, M. D. Bremser, T. S. Zheleva, and R. F. Davis: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 2638.
4. K. Y. Zang, Y. D. Wang, S. J. Chua, and L. S. Wang: Appl. Phys. Lett. 87 (2005) 193106.
5. J. Wang, L. W. Guo, H. Q. Jia, Y. Wang, Z. G. Xing, W. Li, H. Chen, and J. M. Zhou: J. Electrochem. Soc. 153 (2006) C182.
6. K. Y. Zang, Y. D. Wang, S. J. Chua, L. S. Wang, S. Tripathy, and C. V. Thompson: Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 141925.
7. Y. D. Wang, K. Y. Zang, S. J. Chua, S. Tripathy, H. L. Zhou, and C. G. Fonstad: Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 211908.
8. C. L. Chao, C. H. Chiu, Y. J. Lee, H. C. Kuo, P. C. Liu, J. D. Tsay, and S. J. Cheng: Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 051905.
9. Y. S. Chen, W. Y. Shiao, T. Y. Tang, W. M. Chang, C. H. Liao, C. H. Lin, K. C. Shen, C. C. Yang, M. C. Hsu, J. H. Yeh, and T. C. Hsu: J. Appl. Phys. 106 (2009) 023521.
10. M. Yoshizawa, A. Kikuchi, M. Mori, N. Fujita, and K. Kishino: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L459.
11. J. E. Van Nostranda, K. L. Averett, R. Cortez, J. Boeckl, C. E. Stutz, N. A. Sanford, A. V. Davydov, and J. D. Albrecht: J. Cryst. Growth 287 (2006) 500.
12. C. L. Hsiao, L. W. Tu, T. W. Chi, H. W. Seo, Q. Y. Chen, and W. K. Chu: J. Vac. Sci. Technol. B 24 (2006) 845.
13. R. Calarco, R. J. Meijers, R. K. Debnath, T. Stoica, E. Sutter, and H. Lth: Nano Lett. 7 (2007) 2248.
14. K. Kuskabe, A. Kikuchi, and K. Kishino: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) L192.
15. D. Cherns, L. Meshi, I. Griffiths, S. Khongphetsak, S. V. Novikov, N. Farley, R. P. Campion, and C. T. Foxon: Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 121902.
16. T. H. Yang, J. T. Ku, J. R. Chang, S. G. Shen, Y. C. Chen, Y. Y. Wong, W. C. Chou, C. Y. Chen, and C. Y. Chang: J. Cryst. Growth 311 (2009) 1997.
17. J. F. Muth, J. H. Lee, I. K. Shmagin, R. M. Kolbas, H. C. Casey, Jr., B. P. Keller, U. K. Mishra, and S. P. DenBaars: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 2572.
18. A. Kar, D. Alexson, M. Dutta, and M. A. Stroscio: J. Appl. Phys. 104 (2008) 073502.
19. M. A. Reshchikov and H. Morkoç: J. Appl. Phys. 97 (2005) 061301.
20. V. Kirilyuk, P. R. Hageman, P. C. M. Christianen, P. K. Larsen, and M. Zielinski: Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 4109.
21. P. P. Paskov, T. Paskova, P. O. Holtz, and B. Monemar: Phys. Rev. B 70 (2004) 035210.
22. M. Tchernycheva, C. Sartel, G. Cirlin, L. Travers, G. Patriarche, J. C. Harmand, L. S. Dang, J. Renard, B. Gayral, L. Nevou, and F. Julien: Nanotechnology 18 (2007) 385306.
23. D. G. Zhao, S. J. Xu, M. H. Xie, S. Y. Tong, and Hui Yang: Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 677.
24. A. R. Goñi, H. Siegle, K. Syassen, C. Thomsen, and J.-M. Wagner: Phys. Rev. B 64 (2001) 035205.
25. A. Krost, A. Dadgar, G. Strassburger, and R. Clos: Phys. Status Solidi A 200 (2003) 26.
26. A. F. Wright: J. Appl. Phys. 82 (1997) 2833.
27. O. Landré, C. Bougerol, H. Renevier, and B. Daudin: Nanotechnology 20 (2009) 415602.