Capacitance-voltage and interface defect density characteristics of GaAs and In0.53Ga0.47As MOS capacitors incorporating a PECVD Si3N4 dielectric

ECS Transactions

Volumn 35, Issue 3, 2011, Pages 415-430

  O'Connor, E ^a   Djara, V ^a   Monaghan, S ^a   Hurley, P K ^a   Cherkaoui, K ^a  

^a UNIVERSITY COLLEGE CORK   (Ireland)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CAPACITANCE VOLTAGE; DEFECT STATE; DIELECTRIC FORMATION; FORMING GAS ANNEALING; GAAS; INTERFACE DEFECTS; PLASMA EXPOSURE;

DEFECT DENSITY; DEFECTS; DIELECTRIC MATERIALS; FILMS; GALLIUM ARSENIDE; GRAPHENE; MOS CAPACITORS; NANOWIRES; PHASE INTERFACES; SEMICONDUCTING GALLIUM; SEMICONDUCTING SILICON;

GALLIUM ALLOYS;

EID: 79960765702     PISSN: 19385862     EISSN: 19386737     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1149/1.3569934     Document Type: Conference Paper

References (36)

1. C. L. Hinkle, A. M. Sonnett, E. M. Vogel, S. McDonnell, G. Hughes, M. Milojevic, B.Lee, F. S. Aguirre-Tostado, K. J. Choi, and R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett., 91 163512 (2007).
2. Y. C. Chang, M. L. Huang, K. Y. Lee, Y. J. Lee, T. D. Lin, M. Hong, J. Kwo, T. S.Lay, C. C. Liao, K. Y. Cheng, Appl. Phys. Lett., 92 072901 (2006).
3. H. S. Kim, I. Ok, M. Zhang, T. Lee, F. Zhu, L. Yu, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett., 89 222903 (2008).
4. B. Shin, D. Choi, J. S. Harris, and P. C. McIntyre, Appl. Phys. Lett. 93, 052911 (2008).
5. É. O'Connor, S. Monaghan, R. D. Long, A. O'Mahony, I. M. Povey, K. Cherkaoui, M. E. Pemble, G. Brammertz, M. Heyns, S. B. Newcomb, V. V. Afanas'ev, and P. K. Hurley, Appl. Phys. Lett., 94 102902 (2009).
6. N. Goel, P. Majhi, C. O. Chui, W. Tsai, D. Choi, and J. S. Harris, Appl. Phys. Lett., 89 163517 (2006).
7. N. Goel, P. Majhi, W. Tsai, M. Warusawithana, D. G. Schlom, M. B Santos, D. Choi, J. S. Harris, and Y. Nishi, Appl. Phys. Lett., 91 093509 (2007).
8. G. Brammertz, H. C. Lin, K. Martens, D. Mercier, C. Merckling, J. Penaud, C.Adelmann,, S. Sioncke, W. E. Wang, M. Caymax, M. Meuris and M. Heyns, J. Electrochem. Soc., 155 (12) H945-H950 (2008)
9. D. S. L. Mui, Z. Wang and H. Morkoc, Thin Solid Films, 231, 107 (1993).
10. C. L. Hinkle, M. Milojevic, B. Brennan, A. M. Sonnett, F. S. Aguirre, G. Hughes, E. M. Vogel, and R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett., 91 162101 (2009).
11. G. Brammertz, H.-C. Lin, K. Martens, D. Mercier, S. Sioncke, A. Delabie, W. E. Wang, M. Caymax, M. Meuris, and M. Heyns Appl. Phys. Lett., 93 183504 (2006).
12. P. K. Hurley, É. O'Connor, S. Monaghan, R. D. Long, A. O'Mahony, I. M. Povey, K. Cherkaoui, J. MacHale, A. J. Quinn, G. Brammertz, M. Heyns, S. B. Newcomb, V. V. Afanas'ev, A. M. Sonnet, R. V. Galatage, M. N. Jivani, E. M. Vogel, R. M. Wallace, and M. E. Pemble, ECS Trans. 25, 113 (2009).
13. H. D. Trinh, E. Y. Chang, P. W. Wu, Y. Y. Wong, C. T. Chang, Y. F. Hsieh, C. C. Yu, H. Q. Nguyen, Y. C. Lin, K. L. Lin, and M. K. Hudait, Appl. Phys. Lett., 97 042903 (2010).
14. D. Lin, N. Waldron, G. Brammertz, K. Martens, W.-E Wang, S. Sioncke, A. Delabie, H. Bender, T. Conard, W. H. Tseng, J. C. Lin, K. Temst, A Vantomme, J. Mitard, M. Caymax, M. Meuris, M. Heyns, T. Hoffmann, ECS Trans., 28 (5) 173 (2010).
15. A. O'Mahony, S. Monaghan, G. Provenzano, I. M. Povey, M. G. Nolan, É. O'Connor, K. Cherkaoui, S. B. Newcomb, F. Crupi, P. K. Hurley, and M. E. Pemble, Appl. Phys. Lett., 97 052904 (2010).
16. E. O'Connor, R. D. Long, K. Cherkaoui, K. K. Thomas, F. Chalvet, I. M. Povey, M. E. Pemble, P. K. Hurley, B. B. Brennan, G, Hughes, S. Newcomb, Appl. Phys. Lett., 92 22902 (2008).
17. E. J. Kim L. Wang, P. M. Asbeck, K. C. Saraswat, and P. C. McIntyre, Appl. Phys. Lett., 96, 012906 (2010).
18. B. Shin, J. R. Weber, R. D. Long, P. K. Hurley, C. G. Van de Walle, and P. C. McIntyre, Appl. Phys. Lett., 96, 152908 (2010).
19. S. Monaghan, A. O'Mahony, K. Cherkaoui, É. O'Connor, I. M. Povey, M. G. Nolan, D. O'Connell, G. Provenzano, F. Crupi, S. B. Newcomb, M. E. Pemble, and P. K. Hurley, J. Vac. Sci. Tech.B, 29 01A807-1 (2011).
20. G. Brammertz, H. C. Lin, K. Martens, A. Alian, C. Merckling, J. Penaud, D. Kohen, W.-E Wang, S. Sioncke, A. Delabie, M. Meuris, M. Caymax, M. Heyns. ECS Trans., 19 (5) 375-386 (2009).
21. A. Ali, S. Koveshnikov, S. Oktyabrsky, R. Kambhampati,T. Heeg, D. Schlom, and S.Datta, IEEE Transactions on Electon Devices, 57 (4) 742 (2010).
22. É. O'Connor, B. Brennan, V. Djara, K. Cherkaoui, S. Monaghan,, S. B. Newcomb, R. Contreras, M. Milojevic, G. Hughes, M. E. Pemble, R. M. Wallacee, and P.K. Hurley. J. Appl. Phys. 109 024101 (2011).
23. T. O'Regan P. K. Hurley, B. Sorée, and M. V. Fischetti, Appl. Phys. Lett., 96 213514 (2010).
24. G. Brammertz, H.-C. Lin, M. Caymax, M. Meuris, M. Heyns, and M. Passlack, Appl. Phys. Lett., 95 202109 (2009).
25. P. K. Hurley É. O'Connor, T. O'Regan, S. Monaghan, R. D. Long, V. Djara, M. A. Negara, A. O'Mahony, I. M. Povey, A. Blake, R. E. Nagle, D. O'Connell, M. E. Pemble, and K. Cherkaoui, ECS Trans., 33 (3) 433-444 (2010).
26. V .V. Afanas'ev, A. Stesmans, G. Brammertz, A. Delabie, S. Sionke, A. O'Mahony, I. M. Povey, M. E. Pemble, E. O'Connor, P. K. Hurley, S. B. Newcomb, Microelectron. Eng. 86, 1550-1553, (2009).
27. V. V. Afanas'ev, A. Stesmans, G. Brammertz, A. Delabie, S. Sionke, A. O'Mahony, I. M. Povey, M. E. Pemble, E. O'Connor, P. K. Hurley, and S. B. Newcomb, Appl. Phys. Lett. 94, 202110 (2009).
28. J. B. Theeten, S. Gourrier, P. Friedel; M. Taillepied, D. Arnoult, D. Benarroche, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 38 100 (1985).
29. H. Hasegawa, M. Akazawa, H. Ishii, and K. Matsuzaki J. Vac. Sci. Technol. B 7 870 (1989).
30. H.-C. Chin, M. Zhu, Z.i-C. Lee, X. Liu, K.-M. Tan, H. K. Lee, L. Shi, L.-J. Tang, C.-H. Tung, G.-Q. Lo, L.-S. Tan, and Y.-C. Yeo. IEDM (2009).
31. M. D. Clark, C. L. Anderson, J. Vac. Sci. Tech., 21 453 (1982).
32. S. Pal, D. N. Bose, Appl. Surf. Sci., 181 179 (2001)
33. J. P. de Souza, E. Kiewra,l Y. Sun, A. Callegari, D. K. Sadana, G. Shahidi, D. J. Webb, J. Fompeyrine, R. Germann, C. Rossel, and C. Marchiori, Appl. Phys. Lett., 92, 153508 (2008).
34. E. H. Nicollian and J. R. Brews, Page 331, MOS Physics and Technology, New York, Wiley, (1982).
35. E. H. Nicollian, A. Goetzberger, Bell Systems Technical Journal, 156 1055 (1967).
36. G. N. Parsons, J. H. Souk, and J. Batey, J. Appl. Phys. 70 (1991).