Properties of Si-doped a-plane GaN grown with different SiH4 flow rates

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 50, Issue 5 PART 1, 2011, Pages

  Song, Keun Man ^a,b   Kim, Chang Zoo ^a   Kim, Jong Min ^a   Yoon, Dae Ho ^b   Hwang, Sung Min ^c   Kim, Hogyoung ^d  

^a Korea Advanced Nano Fab Center (KANC)   (South Korea)

^b Sungkyunkwan University   (South Korea)

^c Korea Electronic Technology Institute (KETI)   (South Korea)

^d Hanbat National University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

A-PLANE GAN; BLUE-SHIFTED; EDGE DISLOCATION DENSITY; EDGE THREADING; GAN LAYERS; METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; NON-POLAR; OFF-AXIS; PEAK POSITION; PHOTOLUMINESCENCE SPECTRUM; RED-SHIFTED; SI-DOPING; X RAY ROCKING CURVE;

CARRIER CONCENTRATION; CARRIER MOBILITY; EDGE DISLOCATIONS; FLOW RATE; FULL WIDTH AT HALF MAXIMUM; GALLIUM NITRIDE; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ORGANIC CHEMICALS; ORGANOMETALLICS; SEMICONDUCTOR DOPING; SINGLE CRYSTALS;

SILICON;

EID: 79957587899     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.50.055502     Document Type: Article

References (33)

1. S. Nakamura and G. Fasol: The Blue Laser Diode (Berlin, Springer, 1997).
2. S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. J. Ren: J. Appl. Phys. 86 (1999) 1.
3. T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L382.
4. F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt: Phys. Rev. B 56 (1997) R10024.
5. E. T. Yu, G. J. Sullivan, P. M. Asbeck, C. D. Wang, D. Qiao, and S. S. Lau: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 2794.
6. C. Chen, A. Vdivarahan, J. Yang, M. Shatalov, E. Kuokstis, and M. Asif Khan: Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003) L1039.
7. K. Matocha, V. Tilak, and G. Dunne: Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 123511.
8. Z. H. Wu, A. M. Fischer, F. A. Ponce, T. Yokogawa, S. Yoshida, and R. Kato: Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 011901.
9. M. Araki, K. Hoshino, and K. Tadatomo: Phys. Status Solidi C 4 (2007) 2540.
10. V. Jindal, J. Grandusky, M. Jamil, E. Irissou, F. S. Sandvik, K. Matocha, and V. Tilak: Phys. Status Solidi C 3 (2006) 1792.
11. H. B. Yu, H. Chen, Dongsheng Li, Y. J. Han, X. H. Zheng, Q. Huang, and J. M. Zhou: J. Cryst. Growth 263 (2004) 94.
12. S. N. Lee, H. S. Paek, J. K. Son, T. Sakong, O. H. Nam, and Y. Park: J. Cryst. Growth 307 (2007) 358.
13. D. Li, B. Ma, R. Miyagawa, W. Hu, M. Narukawa, H. Miyake, and K. Hiramatsu: J. Cryst. Growth 311 (2009) 2906.
14. H. Wang, C. Chen, Z. Gong, J. Zhang, M. Gaevski, M. Su, J. Yang, and M. Asif Khan: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 499.
15. D. S. Li, H. Chen, H. B. Yu, X. H. Zheng, Q. Huang, and J. M. Zhou: J. Cryst. Growth 265 (2004) 107.
16. T. S. Ko, T. C. Wang, R. C. Gao, H. G. Chen, G. S. Huang, T. C. Lua, H. C. Kuo, and S. C. Wang: J. Cryst. Growth 300 (2007) 308.
17. J. J. Huang, T. Y. Tang, C. F. Huang, and C. C. Yang: J. Cryst. Growth 310 (2008) 2712.
18. X. Ni, Y. Fu, Y. T. Moon, N. Biyikli, and H. Morkoc: J. Cryst. Growth 290 (2006) 166.
19. D. S. Li, H. Chen, H. B. Yu, Y. J. Han, X. H. Zheng, Q. Huang, and J. M. Zhou: J. Cryst. Growth 263 (2004) 76.
20. B. Ma, R. Miyagawa, W. Hu, D.-B. Li, H. Miyake, and K. Hiramatsu: J. Cryst. Growth 311 (2009) 2899.
21. M. D. Craven, S. H. Lim, F. Wu, J. S. Speck, and S. P. DenBaars: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 469.
22. E. Calleja, M. A. Sánchez-Garćia, F. Calle, F. B. Naranjo, E. Muñoz, U. Jahn, K. Ploog, J. Sánchez, J. M. Calleja, K. Saarinen, and P. Hautojärvi: Mater. Sci. Eng. B 82 (2001) 2.
23. Y. B. Pan, Z. J. Yang, Z. T. Chen, Y. Lu, T. J. Yu, X. D. Hu, K. Xu, and G. Y. Zhang: J. Cryst. Growth 286 (2006) 255.
24. S. Ruvimov, Z. Liliental-Weber, T. Suski, J. W. Ager III, J. Washburn, J. Krueger, C. Kisielowski, E. R. Weber, H. Amano, and I. Akasaki: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 990.
25. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, A. V. Markov, Q. Sun, Y. Zhang, C. D. Yerino, T.-S. Ko, I.-H. Lee, and J. Han: Mater. Sci. Eng. B 166 (2010) 220.
26. M. D. Craven, A. Chakraborty, B. Imer, F. Wu, S. Keller, U. K. Mishra, J. S. Speck, and S. P. DenBaars: Phys. Status Solidi C 0 (2003) 2132.
27. H. M. Ng, D. Doppalapudi, T. D. Moustakas, N. G. Weimann, and L. F. Eastman: Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 821.
28. N. G. Weimann, L. F. Eastman, D. Doppalapudi, H. M. Ng, and T. D. Moustakas: J. Appl. Phys. 83 (1998) 3656.
29. E. F. Sschubert, I. D. Goepfert, W. Grieshaber, and J. M. Redwing: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 921.
30. D. C. Reynolds, D. C. Look, and B. Jogai: J. Appl. Phys. 88 (2000) 5760.
31. J. Neugebauer and C. G. Van de Walle: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 503.
32. M. Yoshikawa, M. Kunzer, J. Wagner, H. Obloh, P. Schlotter, R. Schmidt, N. Herres, and U. Kaufmann: J. Appl. Phys. 86 (1999) 4400.
33. J. Alam, R. Bathe, R. D. Vispute, J. M. Zavada, C. W. Litton, A. A. Iiiadis, and S. N. Mohammad: J. Vac. Sci. Technol. B 22 (2004) 624.