Semi-polar nitride surfaces and heterostructures

Physica Status Solidi (B) Basic Research

Volumn 248, Issue 3, 2011, Pages 561-573

  Strittmatter, André ^a,b   Northrup, John E ^a   Johnson, Noble M ^a   Kisin, Mikhail V ^c   Spiberg, Philippe ^c   El Ghoroury, Hussein ^c   Usikov, Alexander ^d   Syrkin, Alexander ^d  

^a PALO ALTO RESEARCH CENTER   (United States)

^b TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERLIN   (Germany)

^c Ostendo Technologies Inc   (United States)

^d OXFORD INSTRUMENTS PLASMA TECHNOLOGY   (United Kingdom)

Author keywords

Epitaxial growth; Interfaces; Nitrides; Optical properties

Indexed keywords

EID: 79951748895     PISSN: 03701972     EISSN: 15213951     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssb.201046422     Document Type: Article

References (44)

1. T. Mukai, M. Yamada, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 38, 3976 (1999).
2. M. R. Krames, O. B. Shchekin, R. Mueller-Mach, G. O. Mueller, L. Zhou, G. Harbers, and M. G. Craford, J. Display Technol. 3, 160 (2007).
3. M. H. Kim, M. F. Schubert, Q. Dai, J. K. Kim, E. F. Schubert, J. Piprek, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 91, 183507 (2007).
4. Y. C. Shen, G. O. Mueller, S. Watanabe, N. F. Gardner, A. Munkholm, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 91, 141101 (2007).
5. J. Hader, J. V. Moloney, and S. W. Koch, Appl. Phys. Lett. 90, 259901 (2007).
6. D. Queren, A. Avramescu, M. Schillgalies, M. Peter, T. Meyer, G. Brüderl, S. Lutgen, and U. Strauß, Phys. Status Solidi C 6, S826 (2009).
7. J. E. Northrup, L. T. Romano, and J. Neugebauer, Appl. Phys. Lett. 74, 2319 (1999).
8. J. E. Northrup, Appl. Phys. Lett. 95, 133107 (2009).
9. S. Y. Karpov, R. A. Talalaev, I. Y. Evstratov, and Y. N. Makarov, Phys. Status Solidi A 192, 417 (2002).
10. S. Kim, K. Lee, K. Park, and C.-S. Kim, J. Cryst. Growth 247, 62 (2003).
11. J. S. Speck and S. F. Chichibu (eds.), Nonpolar and Semipolar Group III Nitride-Based Materials, MRS Bulletin, Vol. 34, No. 5 (Materials Research Society, Warrendale, PA, 2009).
12. A. Avramescu, T. Lermer, J. Muller, C. Eichler, G. Bruederl, M. Sabathil, S. Lutgen, and U. Strauss, Appl. Phys. Express 3, 061033 (2010).
13. Y. Enya, Y. Yoshizumi, T. Kyono, K. Akita, M. Ueno, M. Adachi, T. Sumitomo, S. Tokuyama, T. Ikegami, K. Katayama, and T. Nakamura, Appl. Phys. Express 2, (2009).
14. E. C. Young, F. Wu, A. E. Romanov, A. Tyagi, C. S. Gallinat, S. P. DenBaars, S. Nakamura, and J. S. Speck, Appl. Phys. Express 3, (2010).
15. A. Tyagi, F. Wu, E. C. Young, A. Chakraborty, H. Ohta, R. Bhat, K. Fujito, S. P. DenBaars, S. Nakamura, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 95, (2009).
16. A. E. Romanov, T. J. Baker, S. Nakamura, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 100, 023522 (2006).
17. T. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 39, 413 (2000).
18. H. Shen, M. Wraback, H. Zhong, A. Tyagi, S. P. DenBaars, S. Nakamura, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 95, 033503 (2009).
19. T. Wunderer, P. Bruckner, J. Hertkorn, F. Scholz, G. J. Beirne, M. Jetter, P. Michler, M. Feneberg, and K. Thonke, Appl. Phys. Lett. 90, 171123 (2007).
20. M. Feneberg and K. Thonke, J. Phys.: Condens. Matter 19, 403201 (2007).
21. M. Feneberg, K. Thonke, T. Wunderer, F. Lipski, and F. Scholz, J. Appl. Phys. 107, 103517 (2010).
22. F. Bernardini, in: Nitride Semiconductor Devices: Principles Simulations, edited by J. Piprek (Wiley-VCH, Weinheim, 2007), p. 49.
23. J. E. Northrup and J. Neugebauer, Phys. Rev. B 60, R8473 (1999).
24. A. Das, S. Magalhaes, Y. Kotsar, P. K. Kandaswamy, B. Gayral, K. Lorenz, E. Alves, P. Ruterana, and E. Monroy, Appl. Phys. Lett. 96, 181907 (2010).
25. 0.75N system the InN bond is ∼11% longer than the GaN bond, these values are a factor 1.028 larger than the corresponding theoretical lattice constants of bulk GaN, 6.07Å and 5.49Å.
26. H. Masui, H. Asamizu, T. Melo, H. Yamada, K. Iso, S. C. Cruz, S. Nakamura, and S. P. DenBaars, J. Phys. D 42, 135106 (2009).
27. M. V. Kisin and H. S. El-Ghoroury, J. Appl. Phys. 107, 103106 (2010).
28. M. V. Kisin, R. G. W. Brown, and H. S. El-Ghoroury, Appl. Phys. Lett. 94, 021108 (2009).
29. M. V. Kisin, R. G. W. Brown, and H. S. El-Ghoroury, J. Appl. Phys. 105, 013112 (2009).
30. A. Tyagi, R. M. Farrell, K. M. Kelchner, C. Y. Huang, P. S. Hsu, D. A. Haeger, M. T. Hardy, C. Holder, K. Fujito, D. A. Cohen, H. Ohta, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and S. Nakamura, Appl. Phys. Express 3, 011002 (2010).
31. M. Feneberg, F. Lipski, R. Sauer, K. Thonke, P. Bruckner, B. Neubert, T. Wunderer, and F. Scholz, J. Appl. Phys. 101, 103517 (2007).
32. P. S. Hsu, K. M. Kelchner, A. Tyagi, R. M. Farrell, D. A. Haeger, K. Fujito, H. Ohta, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and S. Nakamura, Appl. Phys. Express 3, 052702 (2010).
33. M. V. Kisin and H. S. El-Ghoroury, Solid-State Electron. 54, 801 (2010).
34. T. K. Sharma and E. Towe, J. Appl. Phys. 107, 024516 (2010).
35. A. Usikov, L. Shapovalov, V. Ivantsov, O. Kovalenkov, A. Syrkin, P. Spiberg, and R. G. W. Brown, Phys. Status Solidi C 6, S321 (2009).
36. A. Usikov, V. Soukhoveev, L. Shapovalov, A. Syrkin, V. Ivantsov, B. Scanlan, A. Nikiforov, A. Strittmatter, N. M. Johnson, J.-G. Zheng, P. Spiberg, and H. El-Ghoroury, Phys. Status Solidi A (207). 1295 (2010).
37. T. J. Baker, B. A. Haskell, F. Wu, J. S. Speck, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 45, L154 (2006).
38. T. Zhu, D. Martin, and N. Grandjean, Jpn. J. Appl. Phys. 48, 020226 (2009).
39. T. B. Wei, R. F. Duan, J. X. Wang, J. M. Li, Z. Q. Huo, J. K. Yang, and Y. P. Zeng, Jpn. J. Appl. Phys. 47, 3346 (2008).
40. X. Ni, U. Ozgur, A. A. Baski, H. Morkoc, L. Zhou, D. J. Smith, and C. A. Tran, Appl. Phys. Lett. 90, 182109 (2007).
41. A. Strittmatter, M. Teepe, Z. Yang, C. Chua, J. Northrup, N. M. Johnson, P. Spiberg, R. G. W. Brown, V. Ivantsov, A. Syrkin, L. Shapovalov, and A. Usikov, Phys. Status Solidi C 7, 1814 (2010).
42. J. Rass, T. Wernicke, W. G. Scheibenzuber, U. T. Schwarz, J. Kupec, B. Witzigmann, P. Vogt, S. Einfeldt, M. Weyers, and M. Kneissl, Phys. Status Solidi RRL 4, 1 (2010).
43. W. G. Scheibenzuber, U. T. Schwarz, R. G. Veprek, B. Witzigmann, and A. Hangleiter, Phys. Rev. B 80, (2009).
44. P. de Mierry, N. Kriouche, M. Nemoz, and G. Nataf, Appl. Phys. Lett. 94, 191903 (2009).