GaInN-based LED structures on selectively grown semi-polar crystal facets

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science

Volumn 207, Issue 6, 2010, Pages 1407-1413

  Scholz, Ferdinand ^a   Wunderer, Thomas ^a   Feneberg, Martin ^a   Thonke, Klaus ^a   Chuvilin, Andrei ^a   Kaiser, Ute ^a   Metzner, Sebastian ^b   Bertram, Frank ^b   Christen, Jürgen ^b  

^a UNIVERSITY OF ULM   (Germany)

^b OTTO VON GUERICKE UNIVERSITY   (Germany)

Author keywords

GaInN; Growth; LEDs; Morphology; Selective area epitaxy

Indexed keywords

FLAT SURFACES; GROWTH; GROWTH MECHANISMS; HIGH QUALITY; INTERNAL ELECTRIC FIELDS; INTERNAL FIELD; LED STRUCTURE; PLANE LAYERS; POLAR CRYSTALS; POLAR MATERIALS; QUANTUM WELL; SELECTIVE AREA EPITAXY; SPECTRAL RANGE; SPECTROSCOPIC METHOD; STARK SHIFT;

CRYSTAL GROWTH; CRYSTALLOGRAPHY; DEFECT DENSITY; ELECTRIC FIELDS; GALLIUM NITRIDE; MORPHOLOGY; SPECTROSCOPIC ANALYSIS;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 77954246261     PISSN: 18626300     EISSN: 18626319     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssa.200983633     Document Type: Article

References (46)

1. I. H. Ho and G. B. Stringfellow, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 871 (1997).
2. T. Matsuoka, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 54 (1998).
3. F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 56, R10024 (1997).
4. T. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 39, 413 (2000).
5. Y. Enya, Y. Yoshizumi, T. Kyono, K. Akita, M. Ueno, M. Adachi, T. Sumitomo, S. Tokuyama, T. Ikegami, K. Katayama, and T. Nakamura, Appl. Phys. Express 2, 082101 (2009).
6. K. Fujito, S. Kubo, and I. Fujimura, MRS Bull. 34, 313 (2009).
7. P. Waltereit, O. Brandt, M. Ramsteiner, R. Uecker, P. Reiche, and K. H. Ploog, J. Cryst. Growth 218, 143 (2000).
8. T. Takeuchi, S. Lester, D. Basile, G. Girolami, R. Twist, F. Mertz, M. Wong, R. Schneider, H. Amano, and I. Akasaki, Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors, IPAP Conf. Series 1, 137 (2000).
9. K. Nishizuka, M. Funato, Y. Kawakami, S. Fujita, Y. Narukawa, and T. Mukai, Appl. Phys. Lett. 85, 3122 (2004).
10. S. Khatsevich, D. H. Rich, X. Zhang, W. Zhou, and P. D. Dapkus, J. Appl. Phys. 95, 1832 (2004).
11. F. Scholz, T. Wunderer, B. Neubert, M. Feneberg, and K. Thonke, MRS Bull. 34, 328 (2009).
12. K. Hiramatsu, K. Nishiyama, A. Motogaito, H. Miyake, Y. Iyechika, and T. Maeda, Phys. Status Solidi A 176, 535 (1999).
13. B. Neubert, F. Habel, P. Brückner, F. Scholz, T. Riemann, and J. Christen, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 831, E11.32.1 (2005).
14. J. Hertkorn, P. Brückner, S. B. Thapa, T. Wunderer, F. Scholz, M. Feneberg, K. Thonke, R. Sauer, M. Beer, and J. Zweck, J. Cryst. Growth 308, 30 (2007).
15. T. Wunderer, F. Lipski, J. Hertkorn, P. Brückner, F. Scholz, M. Feneberg, M. Schirra, K. Thonke, A. Chuvilin, and U. Kaiser, Phys. Status Solidi C 5, 2059 (2008).
16. H. Shen, M. Wraback, H. Zhong, A. Tyagi, S. P. DenBaars, S. Nakamura, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 95, 033503 (2009).
17. M. Feneberg, F. L. M. Schirra, R. Sauer, K. Thonke, T. Wunderer, P. Brückner, and F. Scholz, Phys. Status Solidi C 5, 2089 (2008).
18. E. J. Thrush, J. P. Stagg, M. A. Gibbon, R. E. Mallard, B. Hamilton, J. M. Jowett, and E. M. Allen, Mater. Sci. Eng. B 21, 130 (1993).
19. B. Neubert, GaInN/GaN LEDs auf semipolaren Seitenfacetten mittels selektiver Epitaxie hergestellter GaN-Streifen, Ph. D. thesis, Universität Ulm (2008).
20. S. M. O'Malley, P. Bonanno, T. Wunderer, P. Brückner, B. Neubert, F. Scholz, A. Kazimirov, and A. A. Sirenko, Phys. Status Solidi C 5, 1655 (2008).
21. W. V. Lundin, A. E. Nikolaev, A. V. Sakharov, and A. F. Tsatsul'nikov, Semiconductors 42, 232 (2008).
22. T. Wunderer, P. Brückner, B. Neubert, F. Scholz, M. Feneberg, F. Lipski, M. Schirra, and K. Thonke, Appl. Phys. Lett. 89, 041121 (2006).
23. B. Neubert, P. Brückner, F. Habel, F. Scholz, T. Riemann, J. Christen, M. Beer, and J. Zweck, Appl. Phys. Lett. 87, 182111 (2005).
24. B. Neubert, F. Habel, P. Brückner, F. Scholz, M. Schirra, M. Feneberg, K. Thonke, T. Riemann, J. Christen, M. Beer, J. Zweck, G. Moutchnik, and M. Jetter, Phys. Status Solidi C 3, 1587 (2006).
25. P. L. Bonanno, S. M. O'Malley, A. A. Sirenko, A. Kazimirov, Z. Cai, T. Wunderer, P. Brückner, and F. Scholz, Appl. Phys. Lett. 92, 123106 (2008).
26. T. Wunderer, J. Hertkorn, F. Lipski, P. Brückner, M. Feneberg, M. Schirra, K. Thonke, I. Knoke, E. Meissner, A. Chuvilin, U. Kaiser, and F. Scholz, Gallium Nitride Materials and Devices III, edited by H. Morkoc et al., Proc. SPIE 6894, 68940V-1 (2008).
27. J. E. Northrup, L. T. Romano, and J. Neugebauer, Appl. Phys. Lett. 74, 2319 (1999).
28. P. De Mierry, T. Guehne, M. Nemoz, S. Chenot, E. Beraudo, and G. Nataf, Jpn. J. Appl. Phys. 48, 031002 (2009).
29. B. Neubert, T. Wunderer, P. Brückner, F. Scholz, M. Feneberg, F. Lipski, M. Schirra, and K. Thonke, J. Cryst. Growth 298, 706 (2007).
30. M. Aoki, H. Yamane, M. Shimada, S. Sarayama, H. Iwata, and F. J. Disalvo, Jpn. J. Appl. Phys. 42, 5445 (2003).
31. M. Funato, T. Kutani, T. Kondou, Y. Kawakami, Y. Narukawa, and T. Mukai, Appl. Phys. Lett. 88, 261920 (2006).
32. W. Feng, V. V. Kuryatkov, A. Chandolu, D. Y. Song, M. Pandikunta, S. A. Nikishin, and M. Holtz, J. Appl. Phys. 104, 103530 (2008).
33. H. Fang, Z. J. Yang, Y. Wang, T. Lai, L. W. Sang, L. B. Zhao, T. J. Yu, and G. Y. Zhang, J. Appl. Phys. 103, 014908 (2008).
34. K. Nishizuka, M. Funato, Y. Kawakami, Y. Narukawa, and T. Mukai, Appl. Phys. Lett. 87, 231901 (2005).
35. S. Srinivasan, M. Stevens, F. Ponce, and T. Mukai, Appl. Phys. Lett. 87, 131911 (2005).
36. M. Feneberg and K. Thonke, J. Phys.: Condens. Matter 19, 403201 (2007).
37. T. Wunderer, P. Brückner, J. Hertkorn, F. Scholz, G. J. Beirne, M. Jetter, P. Michler, M. Feneberg, and K. Thonke, Appl. Phys. Lett. 90, 171123 (2007).
38. F. Scholz, Prog. Cryst. Growth Charact. 35, 243 (1997).
39. A. E. Romanov, T. J. Baker, S. Nakamura, J. S. Speck, and E. U. Group, J. Appl. Phys. 100, 023522 (2006).
40. M. Feneberg, F. Lipski, R. Sauer, K. Thonke, T. Wunderer, B. Neubert, P. Brückner, and F. Scholz, Appl. Phys. Lett. 86, 242112 (2006).
41. D. Fuhrmann, U. Rossow, C. Netzel, H. Bremers, G. Ade, P. Hinze, and A. Hangleiter, Phys. Status Solidi C 3, 1966 (2006).
42. O. Nam, M. D. Bremser, T. S. Zheleva, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2638 (1997).
43. K. Hiramatsu, K. Nishiyama, M. Onishi, H. Mizutani, M. Narukawa, A. Motogaito, H. Miyake, Y. Iyechika, and T. Maeda, J. Cryst. Growth 221, 316 (2000).
44. T. Wunderer, F. Lipski, S. Schwaiger, J. Hertkorn, M. Wiedenmann, M. Feneberg, and K. T. F. Scholz, Jpn. J. Appl. Phys. 48, 060201 (2009).
45. T. Wunderer, J. Wang, F. Lipski, S. Schwaiger, A. Chuvilin, U. Kaiser, S. Metzner, F. Bertram, J. Christen, S. S. Shirokov, A. E. Yunovich, and F. Scholz, Phys. Status Solidi C 7, No. 7-8 (2010), these proceedings.
46. S. Metzner, F. Bertram, and J. Christen, to be published.