Growth of M-plane GaN(1 1̄ 0 0) on γ-LiAlO2(1 0 0)

Journal of Crystal Growth

Volumn 218, Issue 2, 2000, Pages 143-147

  Waltereit, P ^a   Brandt, O ^a   Ramsteiner, M ^a   Uecker, R ^b   Reiche, P ^b   Ploog, K H ^a  

^a PAUL DRUDE INSTITUT FÜR FESTKÖRPERELEKTRONIK   (Germany)

^b LEIBNIZ INSTITUTE FOR CRYSTAL GROWTH   (Germany)

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ANISOTROPY; ATOMIC FORCE MICROSCOPY; CRYSTAL ORIENTATION; HIGH ENERGY ELECTRON DIFFRACTION; LITHIUM COMPOUNDS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY; PLASMA APPLICATIONS; SEMICONDUCTING FILMS; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR GROWTH; STRESS ANALYSIS;

GALLIUM NITRIDE; LITHIUM ALUMINUM DIOXIDE;

CRYSTAL GROWTH;

EID: 0034274702     PISSN: 00220248     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0022-0248(00)00605-9     Document Type: Article

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