Strain relaxation in short-period polar GaN/AlN superlattices

Journal of Applied Physics

Volumn 106, Issue 1, 2009, Pages

  Kandaswamy, P K ^a   Bougerol, C ^a   Jalabert, D ^a   Ruterana, P ^b   Monroy, E ^a  

^a CEA GRENOBLE   (France)

^b UNIVERSITÉ DE CAEN   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ABSORPTION LINE WIDTHS; ALN; BASAL AND PRISMATIC STACKING FAULTS; BASAL STACKING FAULTS; GAN TEMPLATE; GROWTH CONDITIONS; IN-PLANE; INTERSUBBAND TRANSITIONS; OPTICAL PERFORMANCE; PERIODIC RELAXATION; PLASMA-ASSISTED MOLECULAR BEAM EPITAXY; POISSON SOLVERS; QUANTUM WELL; QUANTUM WELL INTERFACES; STEADY-STATE CONDITION; STRAIN RELAXATION MECHANISM; STRAIN STATE; STRAINED SUPERLATTICE; SURFACE FREE ENERGY;

CRYSTAL GROWTH; ELECTRONIC STRUCTURE; GALLIUM NITRIDE; HIGH RESOLUTION TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; SEMICONDUCTING GALLIUM; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; STACKING FAULTS; STRAIN CONTROL; STRAIN RELAXATION; SUPERLATTICES; SURFACE RELAXATION;

GALLIUM ALLOYS;

EID: 67650733241     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3168431     Document Type: Article

References (59)

1. M. Tchernycheva, L. Nevou, L. Doyennette, F. H. Julien, E. Warde, F. Guillot, E. Monroy, E. Bellet-Amalric, T. Remmele, and M. Albrecht, Phys. Rev. B 0163-1829 73, 125347 (2006). 10.1103/PhysRevB.73.125347
2. N. Iizuka, K. Kaneko, and N. Suzuki, J. Appl. Phys. 0021-8979 99, 093107 (2006). 10.1063/1.2195422
3. Y. Li, A. Bhattacharyya, C. Thomidis, T. D. Moustakas, and R. Paiella, Opt. Express 1094-4087 15, 17922 (2007). 10.1364/OE.15.017922
4. D. Hofstetter, S. -S. Schad, H. Wu, W. J. Schaff, and L. F. Eastman, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 83, 572 (2003). 10.1063/1.1594265
5. N. Iizuka, K. Kaneko, and N. Suzuki, Opt. Express 1094-4087 13, 3835 (2005). 10.1364/OPEX.13.003835
6. D. Hofstetter, E. Baumann, F. R. Giorgetta, F. Guillot, S. Leconte, and E. Monroy, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 91, 131115 (2007). 10.1063/1.2793190
7. A. Vardi, N. Akopian, G. Bahir, L. Doyennette, M. Tchernycheva, L. Nevou, F. H. Julien, F. Guillot, and E. Monroy, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 88, 143101 (2006). 10.1063/1.2186108
8. A. Vardi, G. Bahir, F. Guillot, C. Bougerol, E. Monroy, S. E. Schacham, M. Tchernycheva, and F. H. Julien, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 92, 011112 (2008). 10.1063/1.2830704
9. E. Baumann, F. R. Giorgetta, D. Hofstetter, S. Leconte, F. Guillot, E. Bellet-Amalric, and E. Monroy, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 89, 101121 (2006). 10.1063/1.2348759
10. L. Nevou, N. Kheirodin, M. Tchernycheva, L. Meignien, P. Crozat, A. Lupu, E. Warde, F. H. Julien, G. Pozzovivo, S. Golka, G. Strasser, F. Guillot, E. Monroy, T. Remmele, and M. Albrecht, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 90, 223511 (2007). 10.1063/1.2745211
11. N. Kheirodin, L. Nevoum, H. Machhadani, P. Crozat, L. Vivien, M. Tchernycheva, A. Lupu, F. H. Julien, G. Pozzovivo, S. Golka, G. Strasser, F. Guillot, and E. Monroy, IEEE Photonics Technol. Lett. 1041-1135 20, 724 (2008). 10.1109/LPT.2008.919595
12. N. Iizuka, K. Kaneko, N. Suzuki, T. Asano, S. Noda, and O. Wada, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 77, 648 (2000). 10.1063/1.127073
13. J. D. Heber, C. Gmachl, H. M. Ng, and A. Y. Cho, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 81, 1237 (2002). 10.1063/1.1500412
14. N. Iizuka, K. Kaneko, and N. Suzuki, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 81, 1803 (2002). 10.1063/1.1505116
15. J. Hamazaki, S. Matsui, H. Kunugita, K. Ema, H. Kanazawa, T. Tachibana, A. Kikuchi, and K. Kishino, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 84, 1102 (2004). 10.1063/1.1647275
16. S. Valdueza-Felip, F. B. Naranjo, M. González-Herráez, H. Fernández, J. Solis, F. Guillot, E. Monroy, L. Nevou, M. Tchernycheva, and F. H. Julien, IEEE Photonics Technol. Lett. 1041-1135 20, 1366 (2008). 10.1109/LPT.2008.926842
17. P. Boguslawski, K. Rapcewicz, and J. J. Bernholc, Phys. Rev. B 0163-1829 61, 10820 (2000). 10.1103/PhysRevB.61.10820
18. S. Nicolay, E. Feltin, J. -F. Carlin, N. Grandjean, L. Nevou, F. H. Julien, M. Schmidbauer, T. Remmele, and M. Albrecht, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 91, 061927 (2007). 10.1063/1.2769399
19. P. M. J. Maŕe, J. C. Barbour, J. F. van der Veen, K. L. Kavanagh, C. W. T. Bulle-Lieuwma, and M. P. A. Viegers, J. Appl. Phys. 0021-8979 62, 4413 (1987). 10.1063/1.339078
20. J. W. Matthews and A. E. Blakeslee, J. Cryst. Growth 0022-0248 27, 118 (1974).
21. F. A. Ponce, MRS Bull. 0883-7694 22, 51 (1997).
22. S. Srinivasan, L. Geng, R. Liu, F. A. Ponce, Y. Narukawa, and S. Tanaka, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 83, 5187 (2003). 10.1063/1.1633029
23. R. Liu, J. Mei, S. Srinivasan, H. Omiya, F. A. Ponce, D. Cherns, Y. Narukawa, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 0021-4922 45, L549 (2006). 10.1143/JJAP.45.L549
24. R. Liu, J. Mei, S. Srinivasan, F. A. Ponce, H. Omiya, Y. Narukawa, and T. Mukai, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 89, 201911 (2006). 10.1063/1.2388895
25. J. Mei, R. Liu, F. A. Ponce, H. Omiya, and T. Mukai, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 90, 171922 (2007). 10.1063/1.2732817
26. A. D. Bykhovski, B. L. Gelmont, and M. S. Shur, J. Appl. Phys. 0021-8979 81, 6332 (1997). 10.1063/1.364368
27. S. Einfeldt, H. Heinke, V. Kirchner, and D. Hommel, J. Appl. Phys. 0021-8979 89, 2160 (2001). 10.1063/1.1342020
28. S. J. Hearne, J. Han, S. R. Lee, J. A. Floro, D. M. Follstaedt, E. Chason, and I. S. T. Tsong, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 76, 1534 (2000). 10.1063/1.126087
29. J. A. Floro, D. M. Follstaedt, P. Provencio, S. J. Hearne, and S. R. Lee, J. Appl. Phys. 0021-8979 96, 7087 (2004). 10.1063/1.1812361
30. P. K. Kandaswamy, F. Guillot, E. Bellet-Amalric, E. Monroy, L. Nevou, M. Tchernycheva, A. Michon, F. H. Julien, E. Baumann, F. R. Giorgetta, D. Hofstetter, T. Remmele, M. Albrecht, S. Bilner, and L. Si Dang, J. Appl. Phys. 0021-8979 104, 093501 (2008). 10.1063/1.3003507
31. F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Venderbilt, Phys. Rev. B 0163-1829 56, R10024 (1997). 10.1103/PhysRevB.56.R10024
32. E. Bellet-Amalric, C. Adelmann, E. Sarigiannidou, J. L. Rouvìre, G. Feuillet, E. Monroy, and B. Daudin, J. Appl. Phys. 0021-8979 95, 1127 (2004). 10.1063/1.1637934
33. C. Adelmann, J. Brault, G. Mula, B. Daudin, L. Lymperakis, and J. Neugebauer, Phys. Rev. B 0163-1829 67, 165419 (2003). 10.1103/PhysRevB.67.165419
34. J. Neugebauer, T. K. Zywietz, M. Scheffler, J. E. Northrup, H. Chen, and R. M. Feenstra, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 90, 056101 (2003). 10.1103/PhysRevLett.90.056101
35. R. M. Feenstra, J. E. Northrup, and J. Neugebauer, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1092-5783 7, 3 (2002).
36. B. Heying, R. Averbeck, L. F. Chen, E. Haus, H. Riechert, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 0021-8979 88, 1855 (2000). 10.1063/1.1305830
37. J. E. Northrup, J. Neugebauer, R. M. Feenstra, and A. R. Smith, Phys. Rev. B 0163-1829 61, 9932 (2000). 10.1103/PhysRevB.61.9932
38. T. Nakamura, S. Mochizuki, S. Terao, T. Sano, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth 0022-0248 237-239, 1129 (2002). 10.1016/S0022-0248(01)02069-3
39. M. Hermann, E. Monroy, A. Helman, B. Baur, M. Albrecht, B. Daudin, O. Ambacher, M. Stutzmann, and M. Eickhoff, Phys. Status Solidi C 1610-1634 1, 2210 (2004). 10.1002/pssc.200404771
40. T. L. Song, J. Appl. Phys. 0021-8979 98, 084906 (2005). 10.1063/1.2108148
41. J. E. Northrup and J. Neugebauer, Phys. Rev. B 0163-1829 60, R8473 (1999). 10.1103/PhysRevB.60.R8473
42. A. L. Rosa and J. Neugebauer, Phys. Rev. B 0163-1829 73, 205346 (2006). 10.1103/PhysRevB.73.205346
43. E. Iliopoulos and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 81, 295 (2002). 10.1063/1.1492853
44. T. Zywietz, J. Neugebauer, and M. Scheffler, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 73, 487 (1998). 10.1063/1.121909
45. N. Gogneau, G. Jalabert, E. Monroy, E. Sarigiannidou, J. -L. Rouvìre, T. Shibata, M. Tanaka, J. -M. Ǵrard, and B. Daudin, J. Appl. Phys. 0021-8979 96, 1104 (2004). 10.1063/1.1759785
46. L. Sugiura, J. Appl. Phys. 0021-8979 81, 1633 (1997). 10.1063/1.364018
47. D. Jalabert, J. Coraux, H. Renevier, B. Daudin, M. -H. Cho, K. B. Chung, D. W. Moon, J. M. Llorens, N. Garro, A. Cros, and A. García- Cristóbal, Phys. Rev. B 0163-1829 72, 115301 (2005). 10.1103/PhysRevB.72. 115301
48. E. Sarigiannidou, E. Monroy, N. Gogneau, G. Radtke, P. Bayle-Guillemaud, E. Bellet-Amalric, B. Daudin, and J. L. Rouvìre, Semicond. Sci. Technol. 0268-1242 21, 612 (2006). 10.1088/0268-1242/21/5/008
49. C. M. Drum, Philos. Mag. 1478-6435 11, 313 (1965). 10.1080/ 14786436508221859
50. P. Vermaut, G. Nouet, and P. Ruterana, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 74, 694 (1999). 10.1063/1.122990
51. P. Ruterana and G. Nouet, Phys. Status Solidi B 0370-1972 227, 177 (2001). 10.1002/1521-3951(200109)227:1<177::AID-PSSB177>3.0.CO;2-7
52. S. Tanaka, R. S. Kern, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 66, 37 (1995). 10.1063/1.114173
53. B. N. Sverdlov, G. A. Martin, H. Morko̧, and D. J. Smith, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 67, 2063 (1995). 10.1063/1.115079
54. P. Ruterana, B. Barbaray, A. B́ŕ, P. Vermaut, A. Haire, E. Paurmier, G. A. Nouet, A. Salvador, A. Botchkarev, and H. Morko̧, Phys. Rev. B 0163-1829 59, 15917 (1999). 10.1103/PhysRevB.59.15917
55. Y. Xin, P. D. Brown, C. J. Humphreys, T. S. Cheng, and C. T. Foxon, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 70, 1308 (1997). 10.1063/1.118520
56. J. E. Northrup, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 72, 2316 (1998). 10.1063/1.121347
57. C. Stampfl and C. G. Van de Walle, Phys. Rev. B 0163-1829 57, R15052 (1998). 10.1103/PhysRevB.57.R15052
58. S. Kret, P. Ruterana, and G. Nouet, J. Phys.: Condens. Matter 0953-8984 12, 10249 (2000). 10.1088/0953-8984/12/49/325
59. R. Liu, A. Bell, F. A. Ponce, C. Q. Chen, J. W. Yang, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 86, 021908 (2005). 10.1063/1.1852085