Unexpected benefits of rapid growth rate for III-V nanowires

Nano Letters

Volumn 9, Issue 2, 2009, Pages 695-701

  Joyce, Hannah J ^a   Gao, Qiang ^a   Tan, H Hoe ^a   Jagadish, Chennupati ^a   Kim, Yong ^b   Fickenscher, Melodie A ^c   Perera, Saranga ^c   Hoang, Thang Ba ^c   Smith, Leigh M ^c   Jackson, Howard E ^c   Yarrison Rice, Jan M ^d   Zhang, Xin ^e   Zou, Jin ^e  

^a AUSTRALIAN NATIONAL UNIVERSITY   (Australia)

^b Dong A University   (South Korea)

^c UNIVERSITY OF CINCINNATI   (United States)

^d MIAMI UNIVERSITY   (United States)

^e UNIVERSITY OF QUEENSLAND   (Australia)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

GALLIUM ARSENIDE; GOLD COMPOUNDS; GROWTH RATE; III-V SEMICONDUCTORS;

DEVICE APPLICATION; DOPANT INCORPORATION; HIGH PURITY; NANOSCALE MATERIAL; OPTICAL PURITY; OPTICAL QUALITIES; RAPID GROWTH; RESULTING MATERIALS; SLOW GROWTH RATES;

NANOWIRES;

EID: 65249142719     PISSN: 15306984     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl803182c     Document Type: Article

References (73)

1. Law, M.; Greene, L. E.; Johnson, J. C.; Saykally, R.; Yang, P. Nat. Mater. 2005, 4, 455-459.
2. (a) Huang, M. H.; Mao, S.; Feick, H.; Yan, H.; Wu, Y.; Kind, H.; Weber, E.; Russo, R.; Yang, P. Science 2001, 292, 1897-1899.
3. (b) Duan, X. F.; Huang, Y.; Agarwal, R.; Lieber, C. M. Nature 2003, 421, 241-245.
4. Park, H.-G.; Barrelet, C. J.; Wu, Y.; Tian, B.; Qian, F.; Lieber, C. M. Nat. Photon. 2008, 2, 622-626.
5. (a) Wang, J.; Gudiksen, M. S.; Duan, X.; Cui, Y.; Lieber, C. M. Science 2001, 293, 1455-7.
6. (b) Gu, Y.; Kwak, E.-S.; Lensch, J. L.; Allen, J. E.; Odom, T. W.; Lauhon, L. J. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 043111.
7. (c) Pettersson, H.; Tragardh, J.; Persson, A. L; Landin, L.; Hessman, D.; Samuelson, L. Nano Lett. 2006, 6, 229-232.
8. Hahm, J.-L; Lieber, C. M. Nano Lett. 2004, 4, 51-54.
9. Ng, H. T.; Han, J.; Yamada, T.; Nguyen, P.; Chen, Y. P.; Meyyappan, M. Nano Lett. 2004, 4, 1247-1252.
10. Dick, K. A.; Deppert, K.; Karlsson, L. S.; Wallenberg, L. R.; Samuelson, L.; Seifert, W.Adv. Funct. Mater. 2005, 15, 1603-1610.
11. (a) Duan, X.; Wang, J.; Lieber, C. M. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 1116-1118.
12. (b) Hua, B.; Motohisa, J.; Ding, Y.; Hara. S.; Fukui. T. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 131112.
13. (a) Martensson, T.; Svensson, C. P. T.; Wacaser, B. A.; Larsson, M. W.; Seifert, W.; Deppert, K.; Gustafsson, A.; Wallenberg, L. R.; Samuelson, L. Nano Lett. 2004, 4, 1987-1990.
14. (b) Yi, S. S.; Girolami, G.; Amano, J.; Islam, M. S.; Sharma, S.; Kamins, T. 1.; Kimukin, I. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 133121.
15. (c) Chuang. L. C.; Moewe, M.; Chase, C.; Kobayashi, N. P.; Chang-Hasnain, C.; Crankshaw, S. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 043115.
16. Hiruma, K.; Yazawa, M.; Haraguchi, K.; Ogawa, K.; Katsuyama, T.; Koguchi, M.; Kakibayashi, H. J. Appl. Phys. 1993, 74, 3162-3171.
17. Joyce, H. J.; Gao, Q.; Tan, H. H.; Jagadish, C.; Kim, Y.; Zhang, X.; Guo, Y.; Zou, J. Nano Lett. 2007, 7, 921-926.
18. Dayeh, S. A.; Yu, E. T.; Wang, D. Nano Lett. 2007, 7, 2486-2490.
19. Chuang, L. C.; Moewe, M.; Crankshaw, S.; Chang-Hasnain, C. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 013121.
20. Joyce, H. J.; Gao, Q.; Tan, H. H.; Jagadish, C.; Kim, Y.; Fickenscher, M. A.; Perera, S.; Hoang, T. B.; Smith, L. M.; Jackson, H. E.; Yarrison-Rice, J. M.: Zhang, X.; Zou, J. Adv. Funct. Mater. 2008, 18, 3794-3800.
21. Verheijen, M. A.; Immink, G.; de Smet, T.; Borgstrom, M. T.; Bakkers, E. P. A. M. J. Am Chem. Soc. 2006, 128, 1353-1359.
22. Dick, K. A.; Deppert, K.; Samuelson, L.; Seifert, W. J. Cryst. Growth 2006, 297, 326-333.
23. Takahashi, K.: Moriizumi, T. Jpn. J. Appl. Phys. 1966, 5, 657-662.
24. Johansson, J.; Svensson, C. P. T.; Mårtensson, T.; Samuelson, L.; Seifert, W. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 13567-13571.
25. Borgström, M.; Deppert, K.; Samuelson, L.; Seifert, W. J. Cryst. Growth 2004, 260, 18-22.
26. Kim, Y.; Joyce, H. J.; Gao, Q.; Tan, H. H.; Jagadish, C.; Paladugu, M.; Zou, J.; Suvorova, A. A. Nano Lett. 2006, 6, 599-604.
27. Lira, S. K.; Tambe, M. J.; Brewster, M. M.; Gradecak, S. Nano Lett. 2008, 8, 1386-1392.
28. Koguchi, M.; Kakibayashi, H.; Yazawa, M.; Hiruma, K.; Katsuyama, T. Jpn. J. Appl. Phys. 1992, 31, 2061-2065.
29. Johansson, J.; Karlsson, L. S.; Svensson, C. P. T.; Mårtensson, T.; Wacaser, B. A.; Deppert, K.; Samuelson, L.; Seifert, W. Nat. Mater. 2006,.5, 574-580.
30. (a) Zou, J.; Paladugu, M.; Wang, H.; Auchterlonie, G. J.; Guo, Y.; Kim, Y.; Gao, Q.; Joyce, H. J.; Tan, H. H.; Jagadish, C. Small 2007, 3, 389-393.
31. (b) Karlsson, L. S.; Dick, K. A.; Wagner, J. B.: Malm, J.-O.; Deppert, K.; Samuelson, L.; Wallenberg, L. R. Nanotechnology 2007,485717.
32. (a) Mishra, A.; Titova, L. V.; Hoang, T. B.; Jackson, H. E.; Smith, L. M.; Yarrison-Rice, J. M.; Kim, Y.; Joyce, H. J.; Gao, Q.; Tan, H. H.; Jagadish, C. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 263104.
33. (b) Bao, J.; Bell, D. C.; Capasso, F.; Wagner, J. B.; Mårtensson, T.; Trägårdh, J.; Samuelson, L. Nano Lett. 2008, 8, 836-841.
34. Hurle, D. T. J. J. Cryst. Growth 1995, 147, 239-250.
35. Hurle. D. T. J.; Rudolph, P. J. Cryst. Growth 2004, 264, 550-564.
36. Johansson, J.; Karlsson, L. S.; Dick, K. A.; Bolinsson, J.; Wacaser, B. A.; Deppert, K.; Samuelson, L. J. Cryst. Growth 2008, 310, 5102-5105.
37. Mandl, B.; Stangl, J.; Martensson, T.; Mikkelsen, A.; Eriksson, J.; Karlsson, L. S.; Bauer. G.: Samuelson. L.; Seifert. W. Nano Lett. 2006, 6, 1817-1821.
38. Glas, F.; Harmand, J. C.; Patriarche, G. Phys. Rev. Lett. 2007, 99, 146101.
39. Li, Q.; Gong, X.; Wang, C: Wang, J.; Ip, K.; Hark. S. Adv. Mater. 2004, 16, 1436-1440.
40. Hao, Y.; Meng, G.; Wang, Z. L.; Ye, C.; Zhang, L. Nano Lett. 2006, 6, 1650-1655.
41. Ross, F. M.; Tersoff, J.; Reuter, M. C. Phys. Rev. Lett. 2005, 95, 146104.
42. Givargizov, E. I. J. Cryst. Growth 1973, 20, 217-226.
43. Binary Alloy Phase Diagrams, 1st ed.; Okamoto, H., Massalski, T. B., Eds.; ASM International: Metals Park, OH, 1986; Vol. 1, pp 191-192.
44. Copel, M.; Reuter, M. C.; Kaxiras, E.; Tromp, R. M. Phys. Rev. Lett. 1989, 63, 632-635.
45. Peng, H.; Meister, S.; Chan, C. K.; Zhang, X. F.; Cui, Y. Nano Lett. 2007,7, 199-203.
46. Song, M. S.; Jung, J. H.; Kim, Y.; Wang, Y.; Zou, J.; Joyce, H. J.; Gao, Q.; Tan, H. H.; Jagadish, C. Nanotechnology 2008, 125602.
47. Noborisaka, J.; Motohisa, J.; Hara, S.; Fukui, T. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 093109.
48. Titova, L. V.; Hoang, T. B.; Jackson, H. E.; Smith, L. M.; Yarrison-Rice, J. M.; Kim, Y.; Joyce, H. J.; Tan, H. H.; Jagadish, C. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 173126.
49. Perera, S.; Fickenscher, M. A.; Jackson, H. E.; Smith, L. M.; Yarrison-Rice, J. M.; Joyce, H. J.; Gao, Q.; Tan, H. H.; Jagadish, C.; Zhang, X.; Zou, J. Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 053110.
50. Swaminathan, V.; Haren, D. L. V.; Zilko, J. L.; Lu, P. Y.; Schumaker, N. E. J. Appl. Phys. 1985, 57, 5349-5353.
51. (a) Skromme, B. J.; Low, T. S.; Roth, T. J.; Stillman, G. E.; Kennedy, J. K.; Abrokwah, J. K. J. Electron. Mater. 1983, 12, 433-457.
52. (b) Skromme, B. J.; Stillman, G. E. Phys. Rev. B 1984, 29, 1982-1992.
53. (a) Hiruma, K.; Yazawa, M.; Katsuyama, T.; Ogawa, K.; Haraguchi, K.; Koguchi, M.; Kakibayashi, H. J. Appl. Phys. 1995, 77, 447-462.
54. (b) Mikkelsen, A.; Sköld, N.; Ouattara, L.; Lundgren, E. Nanotechnology 2006, 17, S362-S368.
55. Dapkus, P. D.; Manasevit, H. M.; Hess. K. L.; Low, T. S.; Stillman, G. E. J. Cryst. Growth 1981, 55, 10-23.
56. Kuech, T. F.; Veuhoff, E. J. Cryst. Growth 1984, 68, 148-156.
57. Mori, H.; Takahashi, S. Jpn. J. Appl. Phys. 1984, 23, L877-L879.
58. (a) Lu, Z. H.; Hanna, M. C.; Szmyd, D. M.; Oh, E. G.; Majerfeld, A. Appl. Phys. Lett. 1990, 56, 177-179.
59. (b) Ciorga, M.; Bryja, L.; Misiewicz, J.; Paszkiewicz, R.; Panek, M.; Paszkiewicz, B.; Tlaczala, M. Adv. Mater. Opt. Electron. 1998, 8, 9-12.
60. (a) Hall, R. N. Phys. Rev. 1952, 88, 139.
61. (b) Hayakawa, Y.; Saitou, Y.; Sugimoto, Y.; Kumagawa, M. J. Electron. Mater. 1990, 19, 145-149.
62. (a) Okamoto, H.; Massalski, T. J. Phase Equilib. 1984, 5, 378-379.
63. (b) Takagi, D.; Kobayashi, Y.; Hibino, H.; Suzuki, S.; Homma, Y. Nano Lett. 2008, 8, 832-835.
64. (a) Tutuc, E.; Appenzeller, J.; Reuter, M. C.; Guha, S. Nano Lett. 2006, 6, 2070-2074.
65. (b) Tutuc, E.; Guha, S.; Chu, J. O. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 043113.
66. (c) Tutuc, E.; Chu, J. O.; Ott, J. A.; Guha, S. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 263101.
67. Liu, X.; Prasad, A.; Nishio, J.: Weber. E. R.: Liliental-Weber, Z.; Walukiewicz, W. Appl. Phys. Lett. 1995, 67, 279-281.
68. (a) Ganikhanov, F.; Lin, G.-R.; Chen, W.-C.; Chang, C.-S.; Pan, C.-L. Appl. Phys. Lett. 1995, 67, 3465-3467.
69. (b) Gregory, I. S.; Tey, C. M.; Cullis, A. G.; Evans, M. J.; Beere, H. E.; Farrer, I. Phys. Rev. B 2006, 73, 195201.
70. Bourgoin, J. C.; Bardeleben, H. J. v.; Stievenard, D. J. Appl. Phys. 1988, 64, R65-R92.
71. Gupta, S.; Frankel, M. Y.; Valdmanis, J. A.; Whitaker, J. F.; Mourou, G. A.; Smith, F. W.; Calawa, A. R. Appl. Phys. Lett. 1991, 59, 3276-3278.
72. (a) Martin, G. M.; Farges, J. P.; Jacob, G.; Hallais, J. P.; Poiblaud, G. J. Appl. Phys. 1980, 51, 2840-2852.
73. (b) Eizenberg, M.; Hovel, H. J. J. Appl. Phys. 1991, 69, 2256-2263.