A theoretical investigation of dislocations in cubic and hexagonal gallium nitride

Physica Status Solidi C: Conferences

Volumn 0, Issue 6 SPEC. ISS., 2003, Pages 1684-1709

  Blumenau, A T ^a,b   Fall, C J ^b   Elsner, J ^a   Jones, R ^b   Heggie, M I ^c   Frauenheim, T ^a  

^a UNIVERSITY OF PADERBORN   (Germany)

^b UNIVERSITY OF EXETER   (United Kingdom)

^c UNIVERSITY OF SUSSEX   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CATHODOLUMINESCENCE; DISLOCATIONS (CRYSTALS); ELECTRON ENERGY LEVELS; ELECTRONIC STRUCTURE; ENERGY GAP; LIGHT EMITTING DIODES; OPTOELECTRONIC DEVICES; PROBABILITY DENSITY FUNCTION;

BASAL PLANE DISLOCATIONS; CARRIER MOBILITIES; CARRIER SCATTERING; DISLOCATION CORES;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 4744341210     PISSN: 16101634     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1002/pssc.200303126     Document Type: Conference Paper

References (82)

1. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 1997).
2. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. I. T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyohu, and Y. Sguimoto, Jpn. J. Appl. Phys. 35, L74 (1996).
3. H. Yang, L. X. Zheng, J. B. Li, X. J. Wang, and X. W. Hu, Appl. Phys. Lett. 74, 2498 (1999).
4. D. J. As, A. Richter, J. Busch, M. Lübbers, J. Mimkes, and K. Lischka, Appl. Phys. Lett. 76, 13 (2000).
5. D. C. Look and J. R. Sizelove, Phys. Rev. Lett. 82, 1237 (1999).
6. X. J. Ning, F. R. Chien, and P. Pirouz, J. Mater. Res. 11, 580 (1996).
7. P. Ruterana and G. Nouet, phys. stat. sol. (b) 227, 177 (2001).
8. D. Porezag, T. Frauenheim, T. Köhler, G. Seifert, and R. Kaschner, Phys. Rev. B 51, 12947 (1995).
9. T. Frauenheim, G. Seifert, M. Elstner, Z. Hajnal, G. Jungnickel, D. Porezag, S. Suhai, and R. Scholz, phys. stat. sol. (b) 217, 41 (2000).
10. J. P. Hirth and J. Lothe, Theory of Dislocations, Vol. 2 (Wiley, New York, 1982).
11. A. T. Blumenau, R. Jones, S. Öberg, P. R. Briddon, and T. Frauenheim, Phys. Rev. Lett. 87, 187404 (2001).
12. A. T. Blumenau, M. I. Heggie, C. J. Fall, R. Jones, and T. Frauenheim, Phys. Rev. B 65, 205205 (2002).
13. C. J. Fall, A. T. Blumenau, R. Jones, P. R. Briddon, T. Frauenheim, A. Gutiérrez-Sosa, U. Bangert, A. E. Mora, J. W. Steeds, and J. E. Butler, Phys. Rev. B 65, 205206 (2002).
14. R. Jones and P. R. Briddon, in: Identification of Defects in Semiconductors, edited by M. Stavola, Semiconductors and Semimetals, Vol. 51a, Chap. 6 (Academic Press, Bristol, Boston, MA, 1998).
15. P. Briddon and R. Jones, phys. stat. sol. (b) 217, 131 (2000).
16. X. Blase, K. Lin, A. Canning, S. G. Louie, and D. C. Chrzan, Phys. Rev. Lett. 84, 5780 (2000).
17. G. B. Bachelet, D. R. Hamann, and M. Schlüter, Phys. Rev. B 26, 4199 (1982).
18. H. J. Monkhorst and J. D. Pack, Phys. Rev. B 13, 5188 (1976).
19. C. J. Fall, R. Jones, P. R. Briddon, A. T. Blumenau, T. Frauenheim, and M. I. Heggie, Phys. Rev. B 65, 245304 (2002).
20. M. Leszczynski, H. Teisseyre, T. Suski, I. Grzegory, M. Bockowski, K. Pakula, J. M. Baranowski, C. T. Foxon, and T. S. Cheng, Appl. Phys. Lett. 69, 73 (1996).
21. J. Singh, Physics of semiconductors and their heterostructures (McGraw-Hill, New York, 1993).
22. M. Ueno, M. Yoshida, A. Onodera, O. Shimomura, and K. Takemura, Phys. Rev. B 49, 14 (1994).
23. M. Ueno, A. Onodera, O. Shimomura, and K. Takemura, Phys. Rev. B 45, 10123 (1992).
24. Y.-N. Xu and W. Y. Ching, Phys. Rev. B 48, 4335 (1993).
25. A. F. Wright and J. S. Nelson, Phys. Rev. B 50, 2159 (1994).
26. J. Geiger, Elektronen und Festkörper (Vieweg, Braunschweig, 1968).
27. P. Schattschneider, Fundamentals in inelastic scattering (Springer, Wien, New York, 1986).
28. D. Nozières and D. Pines, Phys. Rev. 113, 1254 (1959).
29. P. M. Platzman and P. A. Wolff, Waves and interactions in solid state plasmas, Solid State Phys., Vol. 13 (Academic Press, New York, London, 1972).
30. H. Ehrenreich and M. H. Cohen, Phys. Rev. 115, 786 (1959).
31. G. F. Bassani and G. P. Parravicini, Electronic states and optical transitions in solids, International series of monographs in the science of the solid state, edited by R. A. Ballinger, Vol. 8 (Pergamon Press, Oxford, 1975).
32. L. X. Benedict, T. Wethkamp, K. Wilmers, C. Cobet, N. Esser, E. L. Shirley, W. Richter, and M. Cardona, Solid State Commun. 112, 129 (1999).
33. R. Buczko, G. Duscher, S. J. Pennycook, and S. T. Pantelides, Solid State Commun. 112, 129 (1999).
34. I. Arslan and N. D. Browning, Phys. Rev. B 65, 075310 (2002).
35. A. Gutiérrez-Sosa, U. Bangert, A. J. Harvey, W. R. Flavell, W. R. Jacobs, I. Moermann, and A. Rizzi, Inst. Phys. Conf. Ser. 169, 255 (2001).
36. M. Heggie and M. Nylén, Philos. Mag. B 50, 543 (1984).
37. T. A. Arias and J. D. Joannopoulos, Phys. Rev. Lett. 73, 680 (1994).
38. A. T. Blumenau, J. Elsner, R. Jones, M. I. Heggie, S. Öberg, T. Frauenheim, and P. R. Briddon, J. Phys., Condens. Matter 12, 10223 (2000).
39. J. E. Northrup, Appl. Phys. Lett. 78, 2288 (2001).
40. Z. Lilienthal-Weber, C. Kisielowski, S. Ruvimov, Y. Chen, and J. Washburn, J. Electron. Mater. 25, 1545 (1995).
41. N. E. Lee, R. C. Powell, Y. W. Kim, and J. E. Greene, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 2293 (1995).
42. M. Albrecht, H. P. Strunk, J. L. Weyher, I. Grzegory, S. Porowski, and T. Wosinski, J. Appl. Phys. 92, 2000 (2002).
43. S. Kaiser and D. J. As (1999), TEM experiments, private communication.
44. D. J. As, A. Richter, J. Busch, B. Schöttker, M. Lübbers, J. Mimkes, D. Schikora, K. Lischka, W. Kriegseis, W. Burkhardt, et al., MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 5S1, W3.81 (2000).
45. X. H. Wu, L. M. Brown, D. Kapolnek, S. Keller, B. Keller, S. P. DenBaars, and S. J. Speck, J. Appl. Phys. 80, 3228 (1996).
46. F. A. Ponce, D. Cherns, W. T. Young, and J. W. Steeds, Appl. Phys. Lett. 69, 770 (1996).
47. S. D. Lester, F. A. Ponce, M. G. Cranford, and D. A. Steigerwald, Appl. Phys. Lett. 66, 1249 (1996).
48. L. Sugiura, J. Appl. Phys. 81, 1633 (1997).
49. D. Cherns, J. Phys., Condens. Matter 12, 10205 (2000).
50. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, et al., J. Cryst. Growth 190, 820 (1998).
51. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Matushita, and T. Mukai, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4, G1.1 (1999).
52. S. C. Jain, M. Willander, J. Narayan, and R. Van Overstaeten, J. Appl. Phys. 87, 965 (2000).
53. Y. Xin, S. J. Pennycook, N. Browning, P. D. Nellist, S. Sivananthan, F. Omnes̀, B. Beaumont, J. P. Faurie, and P. Gibart, Appl. Phys. Lett. 72, 2680 (1998).
54. P. Vennéguès, B. Beaumont, M. Vaille, and P. Gibart, Appl. Phys. Lett. 70, 2434 (1997).
55. Z. Lilienthal-Weber, Y. Chen, S. Ruvimov, and J. Washburn, Phys. Rev. Lett. 79, 2835 (1997).
56. J. W. P. Hsu, M. J. Manfra, S. N. G. Chu, C. H. Chen, L. Pfeiffer, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 78, 3980 (2001).
57. D. M. Schaadt, E. J. Miller, E. T. Yu, and J. M. Redwing, Appl. Phys. Lett. 78, 88 (2001).
58. D. Cherns and C. G. Jiao, Phys. Rev. Lett. 87, 205504 (2001).
59. H.-J. Im, Y. Ding, J. P. Pelz, B. Heying, and J. Speck, Phys. Rev. Lett. 87, 106802 (2001).
60. J. Elsner, R. Jones, P. K. Sitch, V. D. Porezag, M. Elstner, T. Frauenheim, M. I. Heggie, S. Öberg, and P. R. Briddon, Phys. Rev. Lett. 79, 3672 (1997).
61. A. F. Wright and U. Grossner, Appl. Phys. Lett. 73, 2751 (1998).
62. K. Leung, A. F. Wright, and E. Stechel, Appl. Phys. Lett. 74, 2495 (1999).
63. S. M. Lee, M. A. Belkhir, X. Y. Zhu, Y. H. Lee, Y. G. Hwang, and T. Frauenheim, Phys. Rev. B 61, 16033 (2000).
64. T. Remmele, M. Albrecht, H. P. Strunk, A. T. Blumenau, M. I. Heggie, J. Elsner, T. Frauenheim, H. P. D. Schenk, and P. Gibart, in: Microscopy of Semiconducting Materials 2001, Inst. Phys. Conf. Ser. Vol. 169 (IOP, Bristol, UK, 2001), p. 323.
65. P. Ruterana, V. Potin, and G. Nouet, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 482, 435 (1998).
66. T. Hino, S. Tomiya, T. Miyajima, K. Yanashima, S. Hashimoto, and M. Ikeda, Appl. Phys. Lett. 76, 3421 (2000).
67. S. J. Rosner, E. C. Carr, M. J. Ludowise, G. Girlami, and H. I. Erikson, Appl. Phys. Lett. 70, 420 (1997).
68. J. E. Northrup, Phys. Rev. B 66, 045204 (2002).
69. D. Cherns, W. T. Young, J. W. Steeds, F. A. Ponce, and S. Nakamura, J. Cryst. Growth 178, 201 (1997).
70. S.-H. Park and S.-L. Chuang, Phys. Rev. B 59, 4725 (1999).
71. C. V. Reddy, K. Balakrishhan, H. Okumura, and S. Yoshida, Appl. Phys. Lett. 73, 244 (1998).
72. T. Ogino and M. Aoki, Jpn. J. Appl. Phys. 19, 2395 (1980).
73. M. Godlewski, Mater. Sci. Forum 258/63, 1194 (1997).
74. F. A. Ponce, D. B. Bour, W. Gotz, and P. J. Wright, Appl. Phys. Lett. 68, 57 (1996).
75. K. Saarinen, T. Laine, S. Kuisma, J. Nissilä, P. Hautojärvi, L. Dobrzynski, J. M. Baranowski, K. Pakula, R. Stepniewski, M. Wojdak, et al., Phys. Rev. Lett. 79, 3030 (1997).
76. C. Wetzel, T. Suski, J. W. Ager, E. R. Weber, E. E. Haller, S. Fischer, B. K. Meyer, R. J. Molnar, and P. Perlin, Phys. Rev. Lett. 78, 3923 (1997).
77. J. Neugebauer and C. G. Van de Walle, Festkörperprobleme 35, 25 (1996).
78. T. Mattila and R. M. Nieminen, Phys. Rev. B 55, 9571 (1997).
79. J. Elsner, R. Jones, M. Haugk, T. Frauenheim, M. I. Heggie, S. Öberg, and P. R. Briddon, Phys. Rev. B 58, 12571 (1998).
80. F. C. Frank, Acta Crys. 4, 497 (1951).
81. J. Elsner, R. Jones, M. Haugk, R. Gutierrez, T. Frauenheim, M. I. Heggie, S. Öberg, and P. R. Briddon, Appl. Phys. Lett. 73, 3530 (1998).
82. A. Gutiérrez-Sosa, U. Bangert, A. J. Harvey, C. J. Fall, R. Jones, P. Briddon, and M. I. Heggie, Phys. Rev. B 66, 035302 (2002).