Cubic-phase GaN light-emitting diodes

Applied Physics Letters

Volumn 74, Issue 17, 1999, Pages 2498-2500

  Yang, Hui ^a   Zheng, L X ^a   Li, J B ^a   Wang, X J ^a   Xu, D P ^a   Wang, Y T ^a   Hu, X W ^a   Han, P D ^b  

^a INSTITUTE OF SEMICONDUCTORS   (China)

^b INSTITUTE OF GEOLOGY AND GEOPHYSICS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001693852     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.123019     Document Type: Article

References (18)

1. J. I. Pankove, E. A. Miller, D. Richman, and J. E. Berkeyheiser, J. Lumin. 4, 63 (1971); J. I. Pankove, ibid. 7, 114 (1973).
2. J. I. Pankove, E. A. Miller, D. Richman, and J. E. Berkeyheiser, J. Lumin. 4, 63 (1971); J. I. Pankove, ibid. 7, 114 (1973).
3. S. Nakamura, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 482, 1145 (1998); S. Nakamura, M. Senoh, S.-j. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Hiroku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Hmemoto, M. Sano, and K. Chocho, Appl. Phys. Lett. 72, 211 (1998).
4. S. Nakamura, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 482, 1145 (1998); S. Nakamura, M. Senoh, S.-j. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Hiroku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Hmemoto, M. Sano, and K. Chocho, Appl. Phys. Lett. 72, 211 (1998).
5. S. Strite and H. Morkoç, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1237 (1992).
6. H. Tanaka, Oral presentation at the Second International Conference on Nitride Semiconductor, Tokushima, Japan, Oct. 1997 (Sponsored by the Japan Society of Applied Physics).
7. J. Wu, H. Yaguchi, H. Nagasawa, Y. Yamaguchi, K. Onabe, Y. Shiraki, and K. Ito, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 4241 (1997); A. Nakadaira and H. Tanaka, Appl. Phys. Lett. 70, 20 (1997); H. Yang, O. Brandt, M. Wassermier, J. Behrend, H. P. Schoenherr, and K. H. Ploog, ibid. 68, 244 (1996); T. Strite, J. Ruan, Z. Li, A. Salvador, H. Chen, W. J. Choyke, and H. Morkoç, J. Vac. Sci. Technol. B 9, 1924 (1991).
8. J. Wu, H. Yaguchi, H. Nagasawa, Y. Yamaguchi, K. Onabe, Y. Shiraki, and K. Ito, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 4241 (1997); A. Nakadaira and H. Tanaka, Appl. Phys. Lett. 70, 20 (1997); H. Yang, O. Brandt, M. Wassermier, J. Behrend, H. P. Schoenherr, and K. H. Ploog, ibid. 68, 244 (1996); T. Strite, J. Ruan, Z. Li, A. Salvador, H. Chen, W. J. Choyke, and H. Morkoç, J. Vac. Sci. Technol. B 9, 1924 (1991).
9. J. Wu, H. Yaguchi, H. Nagasawa, Y. Yamaguchi, K. Onabe, Y. Shiraki, and K. Ito, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 4241 (1997); A. Nakadaira and H. Tanaka, Appl. Phys. Lett. 70, 20 (1997); H. Yang, O. Brandt, M. Wassermier, J. Behrend, H. P. Schoenherr, and K. H. Ploog, ibid. 68, 244 (1996); T. Strite, J. Ruan, Z. Li, A. Salvador, H. Chen, W. J. Choyke, and H. Morkoç, J. Vac. Sci. Technol. B 9, 1924 (1991).
10. J. Wu, H. Yaguchi, H. Nagasawa, Y. Yamaguchi, K. Onabe, Y. Shiraki, and K. Ito, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 4241 (1997); A. Nakadaira and H. Tanaka, Appl. Phys. Lett. 70, 20 (1997); H. Yang, O. Brandt, M. Wassermier, J. Behrend, H. P. Schoenherr, and K. H. Ploog, ibid. 68, 244 (1996); T. Strite, J. Ruan, Z. Li, A. Salvador, H. Chen, W. J. Choyke, and H. Morkoç, J. Vac. Sci. Technol. B 9, 1924 (1991).
11. P. Das and D. K. Ferry, Solid-State Electron. 19, 851 (1976).
12. J. I. Pankove, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 162, 515 (1990).
13. W. A. Keenan, C. P. Schneider, and C. A. Pillus, Solid State Technol. 3, 51 (1971).
14. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. Nagahama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L797 (1995).
15. J. Menniger, U. Jahn, O. Brandt, H. Yang, and K. Ploog, Phys. Rev. B 53, 1881 (1996).
16. R. C. Powell, N. E. Lee, Y. W. Kim, and J. E. Greene, J. Appl. Phys. 73, 189 (1993); T. Lei, T. D. Moustakas, R. J. Graham, Y. He, and S. J. Berkowitz, ibid. 71, 4933 (1992).
17. R. C. Powell, N. E. Lee, Y. W. Kim, and J. E. Greene, J. Appl. Phys. 73, 189 (1993); T. Lei, T. D. Moustakas, R. J. Graham, Y. He, and S. J. Berkowitz, ibid. 71, 4933 (1992).
18. F. A. Ponce and D. P. Bour, Nature (London) 386, 351 (1997).