The effects of radio-frequency bias on electron density in an inductively coupled plasma reactor

Journal of Applied Physics

Volumn 102, Issue 11, 2007, Pages

  Sobolewski, Mark A ^a   Kim, Jung Hyung ^b  

^a NATIONAL INSTITUTE OF STANDARDS AND TECHNOLOGY   (United States)

^b Korea Research Institute of Standards and Science   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BIAS VOLTAGE; INDUCTIVELY COUPLED PLASMA; MATHEMATICAL MODELS;

ELECTRON HEATING; INDUCTIVE SOURCE POWERS; LANGMUIR PROBE MEASUREMENTS; RADIO-FREQUENCY BIAS; STOCHASTIC HEATING;

CARRIER CONCENTRATION;

EID: 37149003362     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2815674     Document Type: Article

References (45)

1. S. Rauf, P. L. G. Ventzek, I. C. Abraham, G. A. Hebner, and J. R. Woodworth, J. Appl. Phys. 92, 6998 (2002).
2. H. Takekida and K. Nanbu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 43, 1805 (2006).
3. I. Tepermeister, D. E. Ibbotson, J. T. C. Lee, and H. H. Sawin, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 2322 (1994).
4. M. V. Malyshev, V. M. Donnelly, A. Kornblit, N. A. Ciampa, J. I. Colonel, and J. T. C. Lee, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 480 (1999).
5. D. S. Wuu, C. C. Lin, R. H. Horng, F. C. Liao, and Y. H. Liu, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 2231 (2001).
6. D. S. Wuu, C. R. Chung, Y. H. Liu, R. H. Horng, and S. H. Huang, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 902 (2002).
7. D. S. Wuu, R. H. Horng, S. H. Huang, and C. R. Chung, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 766 (2002).
8. B. Kim and S. Park, IEEE Trans. Plasma Sci. 30, 698 (2002).
9. N. O. V. Plank, M. A. Blauw, E. W. J. M. van der Drift, and R. Cheung, J. Phys. D 36, 482 (2003).
10. J. Y. Choe, N. C. M. Fuller, V. M. Donnelly, and I. P. Herman, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 2669 (2000).
11. G. A. Hebner, M. G. Blain, T. W. Hamilton, C. A. Nichols, and R. L. Jarecki, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 3172 (1999).
12. G. A. Hebner and P. A. Miller, J. Appl. Phys. 87, 7660 (2000).
13. G. A. Hebner and I. C. Abraham, J. Appl. Phys. 90, 4929 (2001).
14. G. A. Hebner and I. C. Abraham, J. Appl. Phys. 91, 9539 (2002).
15. J.-H. Kim, D.-J. Seong, J.-Y. Lim, and K.-H. Chung, Appl. Phys. Lett. 83, 4725 (2003).
16. J.-H. Kim, S.-C. Choi, Y.-H. Shin, and K.-H. Chung, Rev. Sci. Instrum. 75, 2706 (2004).
17. P. J. Hargis, Jr., K. E. Greenberg, P. A. Miller, J. B. Gerardo, J. R. Torczynski, M. E. Riley, G. A. Hebner, J. R. Roberts, J. K. Olthoff, J. R. Whetstone, R. J. Van Brunt, M. A. Sobolewski, H. M. Anderson, M. P. Splichal, J. L. Mock, P. Bletzinger, A. Garscadden, R. A. Gottscho, G. Selwyn, M. Dalvie, J. E. Heidenreich, J. W. Butterbaugh, M. L. Brake, M. L. Passow, J. T. Verdeyen, R. Horwath, and T. R. Turner, Rev. Sci. Instrum. 65, 140 (1994).
18. P. A. Miller, G. A. Hebner, K. E. Greenberg, P. D. Pochan, and B. P. Aragon, J. Res. Natl. Inst. Stand. Technol. 100, 427 (1995).
19. R. Jayaraman, R. T. McGrath, and G. A. Hebner, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 1545 (1999).
20. W. L. Perry, K. Waters, M. Barela, and H. M. Anderson, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 2272 (2001).
21. M. A. Sobolewski, J. Vac. Sci. Technol. A 10, 3550 (1992).
22. M. A. Sobolewski, IEEE Trans. Plasma Sci. 23, 1006 (1995).
23. M. A. Sobolewski, J. Res. Natl. Inst. Stand. Technol. 100, 341 (1995).
24. T. Shibano, N. Fujiwara, M. Hirayama, H. Nagata, and K. Demizu, Appl. Phys. Lett. 63, 2336 (1993).
25. K. Karahashi, K. Yanai, K. Ishiwaka, H. Tsuboi, K. Kurihara, and M. Nakamura, J. Vac. Sci. Technol. A 22, 1166 (2004).
26. H. Toyoda, H. Morishima, R. Fukute, Y. Hori, I. Murakami, and H. Sugai, J. Appl. Phys. 95, 5172 (2004).
27. K. Yanai, K. Karahashi, K. Ishiwaka, and M. Nakamura, J. Appl. Phys. 97, 053302 (2005).
28. N. R. Rueger, J. J. Beulens, M. Schaepkens, M. F. Doemling, J. M. Mirza, T. E. F. M. Standaert, and G. S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 1881 (1997).
29. M. Schaepkens, T. E. F. M. Standaert, N. R. Rueger, P. G. M. Sebel, and G. S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 26 (1999).
30. M. Schaepkens, G. S. Oehrlein, and J. M. Cook, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 848 (2000).
31. X. Li, L. Ling, X. Hua, M. Fukasawa, G. S. Oehrlein, M. Barela, and H. M. Anderson, J. Vac. Sci. Technol. A 21, 284 (2003).
32. M. A. Lieberman and A. J. Lichtenberg, Principles of Plasma Discharges and Materials Processing (Wiley, New York, 1994), pp. 304-308, 344-352, and 390-398.
33. J. H. Keller, J. C. Forster, and M. S. Barnes, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 2487 (1993).
34. J. H. Keller, Plasma Sources Sci. Technol. 5, 166 (1996).
35. R. B. Piejak, V. A. Godyak, and B. M. Alexandrovich, Plasma Sources Sci. Technol. 1, 179 (1992).
36. I. M. El-Fayoumi and I. R. Jones, Plasma Sources Sci. Technol. 6, 201 (1997).
37. K. Suzuki, K. Nakamura, H. Ohkubo, and H. Sugai, Plasma Sources Sci. Technol. 7, 13 (1998).
38. U. Kortshagen, N. D. Gibson, and J. E. Lawler, J. Phys. D 29, 1224 (1996).
39. I. M. El-Fayoumi and I. R. Jones, Plasma Sources Sci. Technol. 7, 179 (1998).
40. N. S. Yoon, B. C. Kim, J. G. Yang, and S. M. Hwang, IEEE Trans. Plasma Sci. 26, 190 (1998).
41. M. M. Turner and M. A. Lieberman, Plasma Sources Sci. Technol. 8, 313 (1999).
42. G. Cunge, B. Crowley, D. Vender, and M. M. Turner, Plasma Sources Sci. Technol. 8, 576 (1999).
43. M.-H. Lee and C.-W. Chung, Phys. Plasmas 13, 063510 (2006).
44. D. Gahan and F. Soberón, J. Appl. Phys. 101, 023303 (2007).
45. S. K. Karkari and A. R. Ellingboe, Appl. Phys. Lett. 88, 101501 (2006).