Surface dependent electron and negative ion density in SF 6/argon gas mixtures

Journal of Applied Physics

Volumn 91, Issue 12, 2002, Pages 9539-9546

  Hebner, G A ^a   Abraham, I C ^a  

^a SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BIAS POWER; INDUCTION COILS; ION DENSITY; LASER PHOTODETACHMENTS; MICROWAVE INTERFEROMETER; OXIDE SURFACE; RF BIAS; SILICON SURFACES; SURFACE MATERIALS;

CARRIER CONCENTRATION; ELECTRON DENSITY MEASUREMENT; ELECTRONS; SILICON OXIDES; SILICON WAFERS; SULFUR HEXAFLUORIDE; SURFACES;

NEGATIVE IONS;

EID: 0037098033     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1479459     Document Type: Article

References (24)

1. R. J. Shul and J. G. Fleming, in Handbook of Advanced Plasma Processing Techniques, edited by R. J. Shul and S. J. Pearton (Springer, Berlin, 2000).
2. L. G. Christophorou and J. K. Olthoff, J. Phys. Chem. Ref. Data 29, 267 (2000). jpr JPCRBU 0047-2689
3. T. Kimura and K. Ohe, Appl. Phys. Lett. 79, 2874 (2001). apl APPLAB 0003-6951
4. A. Kono, M. Endo, K. Ohata, S. Kishimoto, and T. Goto, J. Appl. Phys. 76, 7221 (1994). jap JAPIAU 0021-8979
5. L. St-Onge, M. Chaker, and J. Margot, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 2363 (2000). jva JVTAD6 0734-2101
6. C. Riccardi, R. Barni, and M. Fontanesi, J. Appl. Phys. 90, 3735 (2001). jap JAPIAU 0021-8979
7. E. Stamate and K. Ohe, J. Appl. Phys. 84, 2450 (1998). jap JAPIAU 0021-8979
8. M. Shindo, S. Uchino, R. Ickiki, S. Yoshimura, and Y. Kawai, Rev. Sci. Instrum. 72, 2288 (2001). rsi RSINAK 0034-6748
9. G. A. Hebner and P. A. Miller, J. Appl. Phys. 87, 7660 (2000). jap JAPIAU 0021-8979
10. G. A. Hebner and I. C. Abraham, J. Appl. Phys. 90, 4929 (2001). jap JAPIAU 0021-8979
11. G. A. Hebner, M. G. Blain, T. W. Hamilton, C. A. Nichols, and R. L. Jarecki, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 3172 (1999). jva JVTAD6 0734-2101
12. P. A. Miller, G. A. Hebner, K. E. Greenberg, P. D. Pochan, and B. P. Aragon, J. Res. Natl. Inst. Stand. Technol. 100, 427 (1995). jri JRITEF 1044-677X
13. P. J. Hargis Jr., K. E. Greenberg, P. A. Miller, J. B. Gerardo, J. R. Torczynski, M. E. Riley, G. A. Hebner, J. R. Roberts, J. K. Olthoff, J. R. Whetstone, R. J. Van Brunt, M. A. Sobolewski, H. M. Anderson, M. P. Splichal, J. L. Mock, P. Bletzinger, A. Garscadden, R. A. Gottscho, G. Selwyn, M. Dalvie, J. E. Heidenreich, J. W. Butterbaugh, M. L. Brake, M. L. Passow, J. Pender, A. Lujan, M. E. Elta, D. B. Graves, H. H. Sawin, M. J. Kushner, J. T. Verdeyen, R. Horwath, and T. R. Turner, Rev. Sci. Instrum. 65, 140 (1994). rsi RSINAK 0034-6748
14. G. A. Hebner, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 2158 (1996). jva JVTAD6 0734-2101
15. C. B. Fleddermann and G. A. Hebner, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 1955 (1997). jva JVTAD6 0734-2101
16. A. Mandl, Phys. Rev. A 3, 251 (1971). pra PLRAAN 1050-2947
17. S. Vacquie, A. Gleizes, and M. Sabsabi, Phys. Rev. A 35, 1615 (1987). pra PLRAAN 1050-2947
18. K. E. Greenberg and G. A. Hebner, J. Appl. Phys. 73, 8126 (1993). jap JAPIAU 0021-8979
19. E. Meeks, P. Ho, A. L. Ting, and R. J. Buss, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 2227 (1998). jva JVTAD6 0734-2101
20. G. A. Hebner, J. Appl. Phys. 89, 900 (2001). jap JAPIAU 0021-8979
21. M. G. Blain, J. E. Stevens, and J. R. Woodworth, Appl. Phys. Lett. 75, 3923 (1999). apl APPLAB 0003-6951
22. C. A. Nichols, J. R. Woodworth, and T. W. Hamilton, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 3389 (1998). jva JVTAD6 0734-2101
23. M. A. Sobolewski and K. L. Steffens, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 3281 (1999). jva JVTAD6 0734-2101
24. B. Kim and C. Lee, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 58 (2000). jva JVTAD6 0734-2101