Chemical modification of the poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene) copolymer surface through fluorocarbon ion beam deposition

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 25, Issue 4, 2007, Pages 1084-1092

  Hsu, Wen Dung ^a   Jang, Inkook ^a   Sinnott, Susan B ^a  

^a J Crayton Pruitt Family Department of Biomedical Engineering   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

FLUOROCARBON PLASMA PROCESSING; FLUOROCARBON THIN FILMS; POLYMER SURFACE;

CHEMICAL MODIFICATION; COMPUTER SIMULATION; FLUOROCARBONS; ION BEAM ASSISTED DEPOSITION; MOLECULAR DYNAMICS; SURFACE CHEMISTRY; VINYL RESINS;

COPOLYMERS;

EID: 34547302041     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.2721572     Document Type: Article

References (55)

1. K. Takahashi, A. Itoh, T. Nakamura, and K. Tachibana, Thin Solid Films 374, 303 (2000).
2. K. Tanaka, T. Inomata, and M. Kogoma, Thin Solid Films 386, 217 (2001).
3. Mehm da Costa, F. L. Freire, L. G. Jacobsohn, D. Franceschini, G. Mariotto, and I. R. J. Baumvol, Diamond Relat. Mater. 10, 910 (2001).
4. J. H. Wang, J. J. Chen, and R. B. Timmons, Chem. Mater. 8, 2212 (1996).
5. A. von Keudell, Thin Solid Films 402, 1 (2002).
6. A. Grill, Diamond Relat. Mater. 8, 428 (1999).
7. E. R. Fuoco and L. Hanley, J. Appl. Phys. 92, 37 (2002).
8. M. B. J. Wijesundara, Y. Ji, B. Ni, S. B. Sinnott, and L. Hanley, J. Appl. Phys. 88, 5004 (2000).
9. D. Humbird and D. B. Graves, J. Appl. Phys. 96, 65 (2004).
10. I. Jang and S. B. Sinnott, J. Phys. Chem. B 108, 18993 (2004).
11. K. Kurihara, A. Egami, and M. Nakamura, J. Vac. Sci. Technol. A 24, 286 (2006).
12. C. Gatzert, A. W. Blakers, P. N. K. Deenapanray, D. Macdonald, and F. D. Auret, J. Vac. Sci. Technol. A 24, 1857 (2006).
13. F. Gaboriau, G. Cartry, M. C. Peignon, and C. Cardinaud, J. Phys. D 39, 1830 (2006).
14. K. Yanai, K. Karahashi, K. Ishikawa, and M. Nakamura, J. Appl. Phys. 97, 053302 (2005).
15. D. Haefliger, M. Nordstrom, P. A. Rasmussen, and A. Boisen, Microelectron. Eng. 78-79, 88 (2005).
16. B. Zhou, E. A. Joseph, L. J. Overzet, and M. J. Goeckner, J. Vac. Sci. Technol. A 24, 114 (2006).
17. C. H. Wen, M. J. Chuang, and G. H. Hsiue, Appl. Surf. Sci. 252, 3799 (2006).
18. M. B. J. Wijesundara, G. Zajac, E. Fuoco, and L. Hanley, J. Adhes. Sci. Technol. 15, 599 (2001).
19. T. Furukawa and Y. Takahashi, Ferroelectrics 264, 1739 (2001).
20. K. Tashiro, K. Takano, M. Kobayashi, Y. Chatani, and H. Tadokoro, Ferroelectrics 57, 297 (1984).
21. T. Furukawa, G. E. Johnson, H. E. Bair, Y. Tajitsu, A. Chiba, and E. Fukada, Ferroelectrics 32, 61 (1981).
22. Q. M. Zhang, V. Bharti, and X. Zhao, Science 280, 2101 (1998).
23. P. Dario, M. C. Carrozza, A. Benvenuto, and A. Menciassi, J. Micromech. Microeng. 10, 235 (2000).
24. J. M. Park, J. W. Kong, D. S. Kim, and D. J. Yoon, Compos. Sci. Technol. 65, 241 (2005).
25. M. Wegener and R. Gerhard-Multhaupt, IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Control 50, 921 (2003).
26. N. Y. Yuan, J. H. Li, and H. L. W. Chan, Integr. Ferroelectr. 49, 265 (2002).
27. M. Robert, G. Molingou, K. Snook, J. Cannata, and K. K. Shung, J. Appl. Phys. 96, 252 (2004).
28. Z. Y. Cheng, V. Bharti, T. B. Xu, S. X. Wang, Q. M. Zhang, T. Ramotowski, F. Tito, and R. Ting, J. Appl. Phys. 86, 2208 (1999).
29. J. Su, P. Moses, and Q. M. Zhang, Rev. Sci. Instrum. 69, 2480 (1998).
30. M. P. Allen and D. J. Tildesley, Computer Simulation of Liquids (Oxford Science, Oxford, 1986).
31. D. W. Brenner, O. A. Shenderova, J. A. Harrison, S. J. Stuart, B. Ni, and S. B. Sinnott, J. Phys.: Condens. Matter 14, 783 (2002).
32. S. J. V. Frankland and D. W. Brenner, Chem. Phys. Lett. 334, 18 (2001).
33. S. B. Sinnott, O. A. Shenderova, C. T. White, and D. W. Brenner, Carbon 36, 1 (1998).
34. J. Tersoff, Phys. Rev. B 37, 6991 (1988).
35. D. W. Brenner, Phys. Rev. B 42, 9458 (1990).
36. R. S. Taylor and B. J. Garrison, Int. J. Mass Spectrom. Ion Process. 143, 225 (1995).
37. J. Z. Que, M. W. Radny, and P. V. Smith, Phys. Rev. B 60, 8686 (1999).
38. B. Ni and S. B. Sinnott, Phys. Rev. B 61, R16343 (2000).
39. B. Ni, R. Andrews, D. Jacques, D. Qian, M. B. J. Wijesundara, Y. S. Choi, L. Hanley, and S. B. Sinnott, J. Phys. Chem. B 105, 12719 (2001).
40. Z. Mao and S. B. Sinnott, J. Phys. Chem. B 104, 4618 (2000).
41. K. D. Krantzman, Z. Postawa, B. J. Garrison, N. Winograd, S. J. Stuart, and J. A. Harrison, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 180, 159 (2001).
42. L. Qi and S. B. Sinnott, J. Phys. Chem. B 101, 6883 (1997).
43. T. A. Plaisted, B. Ni, J. D. Zahrt, and S. B. Sinnott, Thin Solid Films 381, 73 (2001).
44. E. Neyts, A. Bogaerts, R. Gijbels, J. Benedikt, and M. C. M. van de Sanden, Diamond Relat. Mater. 13, 1873 (2004).
45. E. Neyts, A. Bogaerts, R. Gijbels, J. Benedikta, and M. C. M. van de Sanden, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 228, 315 (2005).
46. D. Humbird and D. B. Graves, J. Appl. Phys. 96, 2466 (2004).
47. D. Humbird and D. B. Graves, J. Chem. Phys. 120, 2405 (2004).
48. A. V. Petukhov and A. Fasolino, Phys. Status Solidi A 181, 109 (2000).
49. W. D. Hsu, I. Jang, and S. B. Sinnott, Chem. Mater. 18, 914 (2006).
50. I. Jang and S. B. Sinnott, Appl. Phys. Lett. 84, 5118 (2004).
51. M. Stoessel, J. Appl. Phys. 87, 4467 (2000).
52. N. Ikegami, A. Yabata, G. L. Liu, H. Uchida, N. Hirashita, and J. Kanamori, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 2337 (1998).
53. M. J. Sowa, M. E. Littau, V. Pohray, and J. L. Cecchi, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 2122 (2000).
54. M. Inayoshi, M. Ito, M. Hori, T. Goto, and M. Hiramatsu, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 233 (1998).
55. W. R. Koppers, M. A. Gleeson, J. Lourenco, T. L. Weeding, J. Los, and A. W. Kleyn, J. Chem. Phys. 110, 2588 (1999).