Characteristics of ZrO2 gate dielectrics on O2- and N2O-plasma treated partially strain-compensated Si 0.69Ge0.3C0.01 layers

Journal of Applied Physics

Volumn 100, Issue 3, 2006, Pages

  Mahapatra, R ^a,c   Maikap, S ^b,d   Lee, Je Hun ^b   Ray, S K ^a  

^a INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (India)

^b Seoul National University   (South Korea)

^c NEWCASTLE UNIVERSITY   (United Kingdom)

^d INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DIELECTRIC FILMS; DIELECTRIC PROPERTIES; ELECTRIC PROPERTIES; ELECTRON TRAPS; GATES (TRANSISTOR); HETEROJUNCTIONS; MOS DEVICES; SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY; SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; ZIRCONIA;

CHARGE TRAPPING PROPERTIES; GATE DIELECTRICS; INTERFACIAL LAYER; TIME-OF-FLIGHT SECONDARY ION MASS SPECTROSCOPY;

DIELECTRIC MATERIALS;

EID: 33747342144     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2227269     Document Type: Article

References (32)

1. E. J. Quinones, S. John, S. K. Ray, and S. K. Banerjee, IEEE Trans. Electron Devices 47, 1715 (2000).
2. M. Yang, C.-L. Chang, M. Carroll, and J. C. Sturm, IEEE Electron Device Lett. 20, 301 (1999).
3. H. J. Osten, D. Knoll, B. Heinemann, and P. Schley, IEEE Trans. Electron Devices 46, 1910 (1999).
4. S. K. Ray, L. K. Bera, C. K. Maiti, S. John, and S. K. Banerjee, Thin Solid Films 332, 375 (1998).
5. W. J. Qi, R. Nieh, B. H. Lee, L. Kang, Y. Jeon, K. Onish, T. Ngai, S. K. Banerjee, and J. C. Lee, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 1999, 145.
6. C. H. Lee, H. F. Luan, W. P. Bai, T. S. Jeon. Y. Senzaki, D. Roberts, and D. L. Kwong, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2000, 27.
7. P. Srinivasan, E. Simoen, L. Pantisano, C. Claeys, and D. Misra, Microelectron. Eng. 80, 226 (2005).
8. R. M. Wallace and G. Wilk, MRS Bull. 27, 192 (2002).
9. R. Mahapatra et al, Appl. Phys. Lett. 82, 2320 (2003).
10. B. W. Busch, O. Pluchery, Y. J. Chabal, D. A. Muller, R. L. Opila, J. R. Kwo, and E. Garfunkel, MRS Bull. 27, 206 (2002).
11. V. Misra, G. Lucovsky, and G. Parsons, MRS Bull. 27, 212 (2002).
12. S. Guha, E. Gusev, M. Copel, L.-A Ragnarsson, and D. A. Buchanan, MRS Bull. 27, 226 (2002).
13. J. H. Lee, S. Maikap, D. Y. Kim, R. Mahapatra, S. K. Ray, Y. S. No, and W. K. Choi, Appl. Phys. Lett. 83, 779 (2003).
14. S. Kamiyama, T. Miura, and Y. Nara, J. Electrochem. Soc. 152, G903 (2005).
15. Y. S. Lai, C. H. Lu, L. M. Chen, and J. S. Chen, J. Electrochem. Soc. 152, F146 (2005).
16. R. Nieh, R. Choi, S. Gopalan, K. Onishi, C. S. Kang, H. J. Cho, S. Krishnan, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 81, 1663 (2002).
17. S. K. Ray, C. K. Maiti, S. K. Lahiri, and N. B. Chakraborti, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1139 (1992).
18. M. Gutowski, J. E. Jaffe, C.-L. Liu, M. Stoker, R. I. Hegde, R. S. Rai, and P. J. Tobin, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 716, B3.2.1 (2002).
19. J. S. Kim, H. A. Marzouk, and P. J. Reucroft, Thin Solid Films 254, 33 (1995).
20. T. Yamaguchi, H. Sarake, N. Fukushima, and A. Toriumi, Appl. Phys. Lett. 80, 1987 (2002).
21. O. Renault, D. Samour, J. F. Damlencourt, D. Blin, F. Martin, S. Marthon, N. T. Barrett, and P. Besson, Appl. Phys. Lett. 81, 3627 (2002).
22. M. Passacantando, F. Jolly, L. Lozzi, V. Salerni, P. Picozzi, S. Santucci, C. Corsi, and D. Zintu, J. Non-Cryst. Solids 322, 225 (2003).
23. A. Y. Mao, K.-A. Son, D. A. Hess, L. A. Brown, J. M. White, D. L. Kwong, D. A. Roberts, and R. N. Vrtis, Thin Solid Films 349, 230 (1999).
24. P.-J. Tzeng, S. Maikap, P.-S. Chen, Y.-W. Chou, C.-S. Liang, and L. S. Lee, IEEE Trans. Device Mater. Reliab. 5, 168 (2005).
25. P. D. Kirsch, C. S. Kang, J. Lozano, J. C. Lee, and J. G. Ekerdt, J. Appl. Phys. 91, 4353 (2002).
26. M. J. Guittet, J. P. Crocombette, and M. Gautier-Soyer, Phys. Rev. B 63, 125117 (2001).
27. S. Maikap, S. K. Ray, S. K. Banerjee, and C. K. Maiti, Semicond. Sci. Technol. 16, 160 (2001).
28. H. Ishii, A. Nakajima, and S. Yokoyama, J. Appl. Phys. 95, 536 (2004).
29. K. Y. Lim, D. G. Park, H. J. Cho, J. J. Kim, J. M. Yang, II-S. Choi, I. S. Yeo, and J. W. Park, J. Appl. Phys. 91, 414 (2002).
30. C. G. Ahn, H. S. Kang, Y. K. Kwon, S. M. Lee, B. R. Ryum, and B. K. Kang, J. Appl. Phys. 86, 1542 (1999).
31. M. K. Mazumder, A. Teramoto, J. Komori, M. Sekine, S. Kawazu, and Y. Mashiko, IEEE Trans. Electron Devices 46, 1121 (1999).
32. H. Kang, Y. Roh, G. Bae, D. Jung, and C. W. Yang, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 1360 (2002).