Determination of the interface trap density of rubrene single-crystal field-effect transistors and comparison to the bulk trap density

Journal of Applied Physics

Volumn 99, Issue 3, 2006, Pages

  Goldmann, C ^a   Krellner, C ^a   Pernstich, K P ^a   Haas, S ^a   Gundlach, D J ^a   Batlogg, B ^a  

^a ETH ZURICH   (Switzerland)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; DIELECTRIC DEVICES; ELECTRIC CHARGE; FIELD EFFECT TRANSISTORS; SEMICONDUCTING ORGANIC COMPOUNDS; SILICA;

BULK TRAP DENSITY; INTERFACE TRAP DENSITY; RUBRENE SINGLE-CRYSTAL FIELD-EFFECT TRANSISTORS;

SINGLE CRYSTALS;

EID: 33645502724     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2170421     Document Type: Article

References (47)

1. G. Horowitz, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 10, 365 (1999).
2. V. Podzorov, V. M. Pudalov, and M. E. Gershenson, Appl. Phys. Lett. 82, 1739 (2003);
3. V. Podzorov, S. E. Sysoev, E. Loginova, V. M. Pudalov, and M. E. Gershenson, 83, 3504 (2003).
4. V. Sundar, J. Zaumseil, V. Podzorov, E. Menard, R. L. Willett, T. Someya, M. E. Gershenson, and J. A. Rogers, Science 303, 1644 (2004).
5. V. Podzorov, E. Menard, A. Borissov, V. Kiryukhin, J. A. Rogers, and M. E. Gershenson, Phys. Rev. Lett. 93, 086602 (2004).
6. J. Takeya, C. Goldmann, S. Haas, K. P. Pernstich, B. Ketterer, and B. Batlogg, J. Appl. Phys. 94, 5800 (2003).
7. C. Goldmann, S. Haas, C. Krellner, K. P. Pernstich, D. J. Gundlach, and B. Batlogg, J. Appl. Phys. 96, 2080 (2004).
8. R. W. I. de Boer, T. M. Klapwijk, and A. F. Morpurgo, Appl. Phys. Lett. 83, 4345 (2003).
9. R. W. I. de Boer, N. N. Iosad, A. F. Stassen, T. M. Klapwijk, and A. F. Morpurgo, Appl. Phys. Lett. 86, 032103 (2005).
10. A. F. Stassen, R. W. I. de Boer, N. N. Iosad, and A. F. Morpurgo, Appl. Phys. Lett. 85, 3899 (2004).
11. V. Y. Butko, X. Chi, and A. P. Ramirez, Solid State Commun. 128, 431 (2003);
12. V. Y. Butko, X. Chi, D. V. Lang, and A. P. Ramirez, Appl. Phys. Lett. 83, 4773 (2003).
13. M. Matters, D. M. de Leeuw, P. T. Herwig, and A. R. Brown, Synth. Met. 102, 998 (1999).
14. A. Salleo and R. A. Street, J. Appl. Phys. 94, 471 (2003);
15. R. A. Street, A. Salleo, and M. L. Chabinyc, Phys. Rev. B 68, 085316 (2003);
16. A. Salleo and R. A. Street, 70, 235324 (2004);
17. A. Salleo, F. Endicott, and R. A. Street, Appl. Phys. Lett. 86, 263505 (2005).
18. H. L. Gomes et al., Appl. Phys. Lett. 84, 3184 (2004);
19. P. Stallinga, H. L. Gomes, F. Biscarini, M. Murgia, and D. M. de Leeuw, J. Appl. Phys. 96, 5277 (2004).
20. P. V. Necliudov, M. Shur, D. J. Gundlach, and T. N. Jackson, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 660, JJ7.10.1 (2001).
21. D. Knipp, R. A. Street, A. Völkel, and J. Ho, J. Appl. Phys. 93, 347 (2003).
22. S. J. Zilker, C. Detcheverry, E. Cantatore, and D. M. de Leeuw, Appl. Phys. Lett. 79, 1124 (2001).
23. D. B. A. Rep, A. F. Morpurgo, W. G. Sloof, and T. M. Klapwijk, J. Appl. Phys. 93, 2082 (2003).
24. A. R. Völkel, R. A. Street, and D. Knipp, Phys. Rev. B 66, 195336 (2002).
25. W. A. Schoonveld, J. B. Oostinga, J. Vrijmoeth, and T. M. Klapwijk, Synth. Met. 101, 608 (1999).
26. D. M. Taylor and C. A. Mills, J. Appl. Phys. 90, 306 (2001).
27. H. E. Katz, X. M. Hong, A. Dodabalapur, and R. Sarpeshkar, J. Appl. Phys. 91, 1572 (2002).
28. T. Sekitani, S. Iba, Y. Kato, Y. Noguchi, and T. Someya, Appl. Phys. Lett. 87, 073505 (2005).
29. V. Podzorov and M. E. Gershenson, Phys. Rev. Lett. 95, 016602 (2005).
30. D. V. Lang, X. Chi, T. Siegrist, A. M. Sergent, and A. P. Ramirez, Phys. Rev. Lett. 93, 076601 (2004).
31. Y. Y. Lin, D. J. Gundlach, S. F. Nelson, and T. N. Jackson, IEEE Electron Device Lett. 18, 606 (1997).
32. D. J. Gundlach, L. L. Jia, and T. N. Jackson, IEEE Electron Device Lett. 22, 571 (2001).
33. D. K. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization, 2nd ed. (Wiley, New York, 1998).
34. W. B. Jackson and M. D. Moyer, Phys. Rev. B 36, 6217 (1987);
35. W. B. Jackson, J. M. Marshall, and M. D. Moyer, 39, 1164 (1989).
36. M. J. Powell, C. van Berkel, and J. R. Hughes, Appl. Phys. Lett. 54, 1323 (1989).
37. F. R. Libsch and J. Kanicki, Appl. Phys. Lett. 62, 1286 (1993).
38. J. Park, M. Cho, H. B. Park, T. J. Park, S. W. Lee, S. H. Hong, D. S. Jeong, C. Lee, and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett. 85, 5965 (2004).
39. L.-L. Chua, J. Zaumseil, J.-F. Chang, E. C.-W. Ou, P. K.-H. Ho, H. Sirringhaus, and R. H. Friend, Nature (London) 434, 194 (2005).
40. C. Goldmann, D. J. Gundlach, and B. Batlogg, Appl. Phys. Lett. 86, 063501 (2006).
41. J. E. Northrup and M. L. Chabinyc, Phys. Rev. B 68, 041202 (2003).
42. A. C. Mayer, R. Ruiz, R. L. Headrick, A. Kazimirov, and G. G. Malliaras, Org. Electron. 5, 257 (2004).
43. C. Krellner, C. Goldmann, S. Haas, K. P. Pernstich, D. J. Gundlach, and B. Batlogg (unpublished).
44. F. Schauer, S. Nešpůrek, and H. Valerián, J. Appl. Phys. 80, 880 (1996).
45. 2, two orders of magnitude lower than the extracted interface trap density.
46. D. V. Lang, X. Chi, T. Siegrist, A. M. Sergent, and A. P. Ramirez, Phys. Rev. Lett. 93, 086802 (2004).
47. O. D. Jurchescu, J. Baas, and T. T. M. Palstra, Appl. Phys. Lett. 87, 052102 (2005).