Fabrication of hybrid n-ZnMgO/n-ZnO/p-AlGaN/p-GaN light-emitting diodes

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 44, Issue 10, 2005, Pages 7296-7300

  Yang, Hyuck Soo ^a   Han, Sang Youn ^a   Heo, Y W ^a   Baik, K H ^a   Norton, D P ^a   Pearton, S J ^a   Ren, F ^b   Osinsky, A ^c   Dong, J W ^c   Hertog, B ^c   Dabiran, A M ^c   Chow, P P ^c   Chernyak, L ^d   Steiner, T ^e   Kao, C J ^f   Chi, G C ^f  

^a UNIVERSITY OF FLORIDA   (United States)

^b University of Florida   (United States)

^c SVT ASSOCIATES   (United States)

^d UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA   (United States)

^e AIR FORCE OFFICE OF SCIENTIFIC RESEARCH   (United States)

^f NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

GaN; Heterostructure; Light emitting diodes (LEDs); UV emitter; ZnO

Indexed keywords

ALUMINUM COMPOUNDS; COSTS; ELECTROLUMINESCENCE; GALLIUM NITRIDE; HETEROJUNCTIONS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; ZINC COMPOUNDS;

CROSS-SECTIONAL TEM; UV EMITTER;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 31544434282     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.44.7296     Document Type: Article

References (40)

1. D. C. Look; Mater. Sci. Eng. B 80 (2001) 383.
2. D. P. Norton, Y. W. Heo, M. P. Ivill, K. Ip, S. J. Pearton, M. F. Chisholm and T. Steiner: Mater. Today 7 (2004) 34.
3. F. D. Auret, S. A. Goodman, M. Hayes, M. J. Legodi, H. A. V. Laarhoven and D. C. Look: Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 3074.
4. S. Choopun, R. D. Vispute, W. Wang, R. P. Sharma, T. Venkatesan and H. Shen: Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 1529.
5. J. Narayan, A. K. Sharma, A. Kvit, C. Jin, J. F. Muth and O. W. Holland: Solid State Commun. 121 (2002) 9.
6. A. Ohtomo, M. Kawasaki, T. Koida, K. Masubuchi, H. Koinuma, Y. Sakurai, Y. Yoshida, T. Yasuda and Y. Segawa: Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 2466.
7. W. Yang, R. D. Vispute, S. Choopun, R. P. Sharma, T. Venkatesan and H. Shen: Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 2787.
8. D. C. Look, G. M. Renlund, R. H. Burgener II and J. R. Sizelove: Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 5269.
9. X. Li, Y. Yan, T. A. Gessert, C. L. Perkins, D. Young, C. DeHart, M. Young and T. J. Coutts: J. Vac. Sci. Technol. A 21 (2003) 1342.
10. K. Minegishi, Y. Koiwai and K. Kikuchi: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L1453.
11. M. Joseph, H. Tabata, H. Saeki, T. Ueda and T. Kawai: Physica B 302-303(2001) 140.
12. A. Ashrafi, I. Suemune, H. Kumano and S. Tanaka: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) L1281.
13. K. H. Bang, D. K. Hwang, M. C. Park, Y. D. Ko, I. Yun and J. M. Hyoung: Appl. Surf. Sci. 210 (2003) 177.
14. A. V. Singh, R. M. Mehra, A. Wakahara and A. Yoshida: J. Appl. Phys. 93 (2003) 396.
15. Y. W. Heo, Y. W. Kwon, Y. Li, S. J. Pearton and D. P. Norton: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 3474.
16. Y. R. Ryu, T. S. Lee and H. W. White: Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 87.
17. M. Joseph, H. Tabata and T. Kawai: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) L1205.
18. Y. I. Alivov, E. V. Kalinina, A. E. Cherenkov, D. C. Look, B. M. Ataev and A. K. Omaev: Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 4719.
19. Y. I. Alivov, J. E. V. Nostrand, D. C. Look and M. V. Chukichev: Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 2943.
20. A. Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Onuma, M. Ohtani, T. Makino, M. Sumiya, K. Ohtani, S. F. Chichibu, S. Fuke, Y. Segawa, H. Ohno, H. Koinuma and M. Kawasaki: Nat. Mater. 4 (2005) 42.
21. Y. Chen, D. M. Bagnall, H.-J. Kon, K.-T. Park, K. Hiraga, Z. Zhu and T. Yao: J. Appl. Phys. 84 (1998) 3912.
22. Y. Chen, H.-J. Ko, S.-K. Hong and T. Yao: Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 559.
23. H.-J. Ko, T. Yao, Y. Chen and S.-K. Hong: J. Appl. Phys. 92 (2002) 4354.
24. R. D. Vispute, V. Talyansky, Z. Trajanovic, S. Choopun, M. Downes. R. P. Sharraa, M. C. Woods, R. T. Lareau, K. A. Jones and A. A. Iliadis: Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 2735.
25. T. Ohgaki, N. Ohashi, H. Kakemoto, S. Wada, Y. Adachi, H. Haneda and T. Tsurumi: J. Appl. Phys. 93 (2003) 1961.
26. K. Nakahara, T. Tanabe, H. Takasu, P. Fons, K. Iwata, A. Yaraada, K. Matsubara, R. Hunger and S. Niki: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) 250.
27. P. Fons, K. Iwata, S. Niki, A. Yamada, K. Matsubara and M. Watanabe: J. Cryst. Growth 209 (2000) 532.
28. P. Fons, K. Iwata, A. Yamada, K. Matsubara, S. Niki, K. Nakahara, T. Tanabe and H. Takasu: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 1801.
29. S.-K. Hong, H.-J. Ko, Y. Chen and T. Yao: J. Vac. Sci. Technol. B 20 (2002) 1656.
30. S.-K. Hong, T. Hanada, H. Makino, H.-J. Ko, Y. Chen, A. Tanaka, H. Sasaki, S. Sato, D. Imai, K. Araki and M. Shinohara: J. Vac. Sci. Technol. B 19 (2001) 1429.
31. H. J. Ko, Y. Chen, S. K. Hong and T. Yao: J. Cryst. Growth 209 (2000) 816.
32. A. Osinsky, J. W. Dong, M. Z. Kauser, B. Hertog, A. M. Dabiran, C. Plaut, P. P. Chow, S. J. Pearton, X. Y. Dong and C. J. Palmstrom: Electrochemical Society Volume 2004-06.
33. J. W. Dong, A. Osinsky. B. Hetzog. A. M. Dabiran, P. P. Chow. Y. W. Heo, D. P. Norton and S. J. Pearton: J. Electron. Mater. 34 (2005) 416.
34. A. Osinsky, J. W. Dong, M. Z. Kauser, B. Hertog, A. M. Dabiran, P. P. Chow, S. J. Pearton, O. Lopatiuk and L. Chernyak: Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 4272.
35. T. Ohnishi, A. Ohtomo, M. Kawasaki, K. Takahashi, M. Yoshimoto and H. Koinuma: Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 824.
36. S. K. Hong, T. Hanada, H. J. Ko, Y. Chen, T. Yao, D. Imai, K. Araki and M. Shinohara: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 3571.
37. For a detailed review of optical properties of ZnO and relevant defect bands observed, see, U. Ozgur, Y. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. Reschikov. S. Dogan, V. Avrutin, S. J. Cho and H. Morkoc: J. Appl. Phys. 98(2005) 041301.
38. H. Morkoc: Nitride Semiconductor Devices (Springer, Berlin, 1999).
39. H. Omiya, F. A. Ponce, H. Marui, S. Tanaka and T. Mukai: Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 6143.
40. A. Osinsky, A. M. Dabiran, J. Dong, P. P. Chow and B. Hertzog: presented at the Fall MRS Meet., Boston, December 2004 and to appear in the proceedings.