Layer-by-layer growth of ZnO epilayer on Al2O3(0001) by using a MgO buffer layer

Applied Physics Letters

Volumn 76, Issue 5, 2000, Pages 559-561

  Chen, Yefan ^a   Ko, Hang Ju ^a   Hong, Soon Ku ^a   Yao, Takafumi ^a  

^a TOHOKU UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000632622     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.125817     Document Type: Article

References (15)

1. Y. Chen, D. M. Bagnall, H.-J. Ko, K.-T. Park, K. Hiraga, Z. Zhu, and T. Yao, J. Appl. Phys. 84, 3912 (1998).
2. P. Yu, Z. K. Tang, G. K. L. Wong, M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma, and Y. Segawa, 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors, edited by M. Scheffler and R. Zimmermann (World Scientific, Singapore, 1996), p. 1453; Z. K. Tang, G. K. L. Wong, P. Yu, M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett. 72, 3270 (1998).
3. P. Yu, Z. K. Tang, G. K. L. Wong, M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma, and Y. Segawa, 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors, edited by M. Scheffler and R. Zimmermann (World Scientific, Singapore, 1996), p. 1453; Z. K. Tang, G. K. L. Wong, P. Yu, M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett. 72, 3270 (1998).
4. D. M. Bagnall, Y. F. Chen, Z. Zhu, T. Yao, S. Koyama, M. Y. Shen, and T. Goto, Appl. Phys. Lett. 70, 2230 (1997); D. M. Bagnall, Y. F. Chen, Z. Zhu, T. Yao, M. Y. Shen, and T. Goto, ibid. 73, 1038 (1998)
5. D. M. Bagnall, Y. F. Chen, Z. Zhu, T. Yao, S. Koyama, M. Y. Shen, and T. Goto, Appl. Phys. Lett. 70, 2230 (1997); D. M. Bagnall, Y. F. Chen, Z. Zhu, T. Yao, M. Y. Shen, and T. Goto, ibid. 73, 1038 (1998)
6. S. Bethke, H. Pan, and B. W. Wessels, Appl. Phys. Lett. 52, 138 (1988).
7. M. A. L. Johnson, S. Fujita, W. H. Rowland, Jr., W. C. Hughes, J. W. Cook, Jr., and J. F. Schetzina, J. Electron. Mater. 25, 855 (1996).
8. R. D. Vispute, V. Talyansky, Z. Trajanovic, S. Choopun, M. Downes, R. P. Sharma, T. Venkatesan, M. C. Wood, R. T. Lareau, K. A. Jones, and A. A. Ilidais, Appl. Phys. Lett. 70, 2735 (1997).
9. S. Strite and H. Morkoç, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1237 (1992), and references therein.
10. I. Akasaki, H. Amano, Y. Koide, K. Hiramatsu, and N. Sawaki, J. Cryst. Growth 98, 209 (1989); K. Hiramatsu, S. Itoh, H. Amano, I. Akasaki, H. Kuwano, T. Shiraishi, and K. Oki, ibid. 115, 628 (1991).
11. I. Akasaki, H. Amano, Y. Koide, K. Hiramatsu, and N. Sawaki, J. Cryst. Growth 98, 209 (1989); K. Hiramatsu, S. Itoh, H. Amano, I. Akasaki, H. Kuwano, T. Shiraishi, and K. Oki, ibid. 115, 628 (1991).
12. J. N. Kuznia, M. Asif Khan, D. T. Olson, R. Kaplan, and J. Freitas, J. Appl. Phys. 73, 4700 (1993).
13. J. Aarts, W. M. Gerits, and P. K. Larsen, Appl. Phys. Lett. 48, 931 (1986).
14. Q. Zhu, A. Botchkarev, W. Kim, O. Akas, A. Salvador, B. Sverdlov, H. Morkoç, S.-C. Y. Tsen, and D. J. Smith, Appl. Phys. Lett. 68, 1141 (1999).
15. B. Heying, X. H. Wu, S. Keller, Y. Li, D. Kapolnek, B. P. Keller, S. P. Denbaars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 68, 643 (1996).