Influence of high-temperature annealing on the properties of Fe doped semi-insulating GaN structures

Journal of Applied Physics

Volumn 95, Issue 10, 2004, Pages 5591-5596

  Polyakov, A Y ^a   Smirnov, N B ^a   Govorkov, A V ^a   Shlensky, A A ^a   Pearton, S J ^b  

^a INSTITUTE OF RARE METALS   (Russian Federation)

^b J Crayton Pruitt Family Department of Biomedical Engineering   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

METAL IMPURITIES; RAPID THERMAL ANNEALING (RTA); SHEET RESISTIVITY; TEMPERATURE GROWTH;

ANNEALING; CATHODOLUMINESCENCE; DOPING (ADDITIVES); EVAPORATION; INSULATING MATERIALS; MATHEMATICAL MODELS; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SPECTRUM ANALYSIS; THERMAL EFFECTS;

IRON;

EID: 2942581193     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1697616     Document Type: Article

References (38)

1. A. P. Zhang, L. B. Rowland, E. B. Kaminsky, V. Tilak, J. C. Grande, J. Teetsov, A. Vertiatchikh, and L. F. Eastman, J. Electron. Mater. 32, 388 (2003).
2. I. Daumiller, D. Theron, C. Gaquiere, A. Vescan, R. Dietrich, A. Wieszt, H. Leier, R. Vetury, U. K. Mishra, I. P. Smorchkova, S. Keller, C. Nguyen, and E. Kohn, IEEE Electron Device Lett. 22, 62 (2001).
3. S. J. Pearton, F. Ren, A. P. Zhang, and K. P. Lee, Mater. Sci. Eng., R. 30, 55 (2000).
4. P. B. Klein, S. C. Binari, K. Ikossi, A. E. Wickenden, D. D. Koleske, and R. L. Henry, Appl. Phys. Lett. 79, 3527 (2001).
5. S. C. Binari, K. Ikossi, J. A. Roussos, W. Kruppa, D. Park, H. B. Dietrich, D. D. Koleske, A. E. Wickenden, and R. L. Henry, IEEE Trans. Electron Devices 48, 465 (2001).
6. B. M. Green, K. K. Chu, E. M. Chumbes, J. A. Smart, J. R. Shealy, and L. F. Eastman, IEEE Electron Device Lett. 21, 268 (2000).
7. B. Luo, J. W. Johnson, J. Kim, R. M. Mehandru, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, A. G. Baca, R. D. Briggs, R. J. Shul, C. Monier, and J. Han, Appl. Phys. Lett. 80, 1661 (2002).
8. A. Vertiatchik, L. F. Eastman, W. J. Schaff, and T. Prunty, Electron. Lett. 38, 388 (2002).
9. L. F. Eastman, V. Tilak, J. Smart, B. M. Green, E. M. Chumbes, R. Dimitrov, H. Kim, O. S. Ambacher, N. Weimann, T. Prunty, M. Murphy, W. J. Schaff, and J. R. Shealy, IEEE Trans. Electron Devices 48, 479 (2001).
10. G. Simin, X. Hu, N. Ilinskaya, A. Kumar, A. Koudymov, J. Zhang, M. Asif Khan, R. Gaska, and M. S. Shur, Electron. Lett. 36, 2043 (2000).
11. E. Kohn, I. Daumiller, P. Schmid, N. X. Nguyen, and C. N. Nguyen, Electron. Lett. 35, 1022 (1999).
12. J.-S. Lee, A. Vescan, A. Wieszt, R. Dietrich, H. Leier, and Y.-S. Kwon, Electron. Lett. 37, 130 (2001).
13. X. Hu, A. Koudymov, G. Simin, J. Yang, M. Asif Khan, A. Tarakji, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 79, 2832 (2001).
14. N. X. Nguyen, C. Nguyen, and D. E. Grider, Electron. Lett. 35, 1356 (1999).
15. I. Daumiller, C. Kirchner, M. Kamp, K. J. Ebeling, and E. Kohn, IEEE Electron Device Lett. 20, 448 (1999).
16. A. Tarakji, G. Simin, N. Ilinskaya, X. Hu, A. Kumar, A. Koudymov, J. Yang, M. Asif Khan, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 78, 2169 (2001).
17. B. Luo, J. W. Johnson, F. Ren, K. K. Allums, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, R. Dwivedi, T. N. Fogarty, R. Wilkins, A. M. Dabiran, A. M. Wowchack, C. J. Polley, P. P. Chow, and A. G. Baca, Appl. Phys. Lett. 79, 2196 (2001).
18. J. K. Gillespie, R. C. Fitch, J. Sewell, R. Dettmer, G. D. Via, A. Crespo, T. J. Jenkins, B. Luo, J. Kim, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, IEEE Electron Device Lett. 23, 505 (2002).
19. M. S. Shur and M. A. Khan, in GaN and AlGaN Devices: Field Effect Transistors and Photodetectors, GaN and Related Materials II, edited by S. J. Pearton (Gordon and Breach Science Publishers, Amsterdam, 2000), pp. 47-92.
20. N. I. Kuznetsov, A. E. Nikolaev, I. P. Nikitina, and V. A. Dmitriev, Appl. Phys. Lett. 75, 3138 (1999).
21. A. Y. Polyakov, A. V. Govorkov, N. B. Smirnov, A. E. Nikolaev, I. P. Nikitina, and V. A. Dmitriev, Solid-State Electron. 45, 249 (2001).
22. C. Y. Hwang, M. J. Schurman, W. E. Mayo, Y. C. Lu, R. A. Stall, and T. Salagaj, J. Electron. Mater. 26, 243 (1997).
23. B. Monemar and O. Lagerstedt, J. Appl. Phys. 50, 6480 (1979).
24. S. Heikman, S. Keller, S. P. Den Baars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 81, 439 (2002).
25. R. Y. Korotkov, J. M. Gregie, and B. W. Wessels, Appl. Phys. Lett. 80, 1731 (2002).
26. J. Baur, K. Maier, M. Kunzer, U. Kaufman, J. Schneider, H. Amano, I. Akasaki, T. Detchprohm, and K. Hiramatsu, Appl. Phys. Lett. 64, 857 (1994).
27. R. Heitz, P. Maxim, L. Eckey, P. Thurian, A. Hoffman, I. Broser, K. Pressel, and B. K. Meyer, Phys. Rev. B 55, 4382 (1997).
28. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. Govorkov, N. Pashkova, A. Schlensky, S. J. Pearton, M. E. Overberg, C. R. Abernathy, J. M. Zavada, and R. G. Wilson, J. Appl. Phys. 93, 5388 (2003).
29. A. Y. Polyakov, N. Smirnov, A. V. Govorkov, N. Pashkova, J. Kim, F. Ren, M. E. Overberg, G. Thaler, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and R. G. Wilson, J. Appl. Phys. 92, 3130 (2002).
30. T. Graf, M. Gjukic, M. S. Brandt, M. Stutzmann, and O. Ambacher, Appl. Phys. Lett. 81, 5159 (2002).
31. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 83, 3314 (2003).
32. R. P. Vaudo, X. Xu, A. Salant, J. Malcarne, and G. R. Brandes, Phys. Status Solidi A (in press).
33. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, J. M. Redwing, Solid-State Electron. 42, 831 (1998).
34. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, M. Shin, M. Skowronski, and D. W. Greve, J. Appl. Phys. 84, 870 (1998).
35. L. S. Berman and A. A. Lebedev, Capacitance Spectroscopy of Deep Centers in Semiconductors (Nauka, Leningrad, 1981), (in Russian).
36. A. Y. Polyakov, in GaN and Related Materials II, edited by S. Pearton (Gordon and Breach, NY, 1999).
37. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, J. Han, G. Dang, A. P. Zhang, F. Ren, X. A. Cao, S. J. Pearton, and R. G. Wilson, J. Vac. Sci. Technol. B 18(3), 1237 (2000).
38. A. P. Zhang, G. Dang, F. Ren, J. Han, A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, J. M. Redwing, X. A. Cao, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 76, 1767 (2000).