The Mn3+/2+ acceptor level in group III nitrides

Applied Physics Letters

Volumn 81, Issue 27, 2002, Pages 5159-5161

  Graf, T ^a   Gjukic, M ^a   Brandt, M S ^a   Stutzmann, M ^a   Ambacher, O ^b  

^a WALTER SCHOTTKY INSTITUT   (Germany)

^b ILMENAU UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHARGE TRANSFER; FERROMAGNETISM; GROUND STATE; LIGHT ABSORPTION; MANGANESE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; PARAMAGNETIC RESONANCE; PHOTOCONDUCTIVITY; PHOTOIONIZATION;

CARRIER-MEDIATED FERROMAGNETISM;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 0042712263     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1530374     Document Type: Article

References (30)

1. T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, and D. Ferrand, Science 287, 1019 (2000).
2. M. Zaja̧c, J. Gosk, M. Kaminska, A. Twardowski, T. Szyszko, and S. Podsiadlo, Appl. Phys. Lett. 79, 2432 (2001).
3. T. Sasaki, S. Sonoda, Y. Yamamoto, K. Suga, S. Shimizu, K. Kindo, and H. Hori, J. Appl. Phys. 91, 7911 (2002).
4. G. T. Thaler, M. E. Overberg, B. Gila, R. Frazier, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, J. S. Lee, S. Y. Lee, Y. D. Park, Z. G. Khim, J. Kim, and F. Ren, Appl. Phys. Lett. 80, 3964 (2002).
5. M. L. Reed, N. A. El-Masry, H. H. Stadelmaier, M. K. Ritums, M. J. Reed, C. A. Parker, J. C. Roberts, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 79, 3473 (2001).
6. R. Y. Korotkov, J. M. Gregie, and B. W. Wessels, Appl. Phys. Lett. 80, 1731 (2002).
7. B.K. Rao and P. Jena, Phys. Rev. Lett. 89, 185504 (2002).
8. H. Yang, H. Al-Brithen, A. R. Smith, J. A. Borchers, R. L. Cappelletti, and M. D. Vaudin, Appl. Phys. Lett. 78, 3860 (2001).
9. J. Schneider, U. Kaufmann, W. Wilkening, M. Baeumler, and F. Köhl, Phys. Rev. Lett. 59, 240 (1987).
10. M. Linnarsson, E. Janzén, B. Monemar, M. Kleverman, and A. Thilderkvist, Phys. Rev. B 55, 6938 (1997).
11. P. G. Baranov, I. V. Ilyin, E. N. Mokhov, and A. D. Roenkov, Semicond. Sci. Technol. 11, 1843 (1996).
12. T. Graf, M. Gjukic, O. Ambacher, M. S. Brandt, and M. Stutzmann (unpublished).
13. J. Kreissl, W. Ulrici, M. El-Metoui, A. M. Vasson, A. Vasson, and A. Gavaix, Phys. Rev. B 54, 10508 (1996).
14. C. A. Bates and K. W. H. Stevens, Rep. Prog. Phys. 49, 783 (1986).
15. R. Y. Korotkov, J. M. Gregie, and B. W. Wessels, Physica B 308, 30 (2001).
16. K. Sato and H. Katayama-Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys. 40, 485 (2001).
17. P. Mahadevan and A. Zunger (unpublished).
18. F. Bantien and J. Weber, Phys. Rev. B 37, 10111 (1988).
19. G. E. Archangelskii, F. Karel, J. Mareš, S. Pačesová, and J. Pastraňák, Phys. Status Solidi A 69, 173 (1982).
20. G. Hofmann, A. Keckes, and J. Weber, Semicond. Sci. Technol. 8, 1523 (1993).
21. J. M. Langer and H. Heinrich, Phys. Rev. Lett. 55, 1414 (1985).
22. M. J. Caldas, A. Fazzio, and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 45, 671 (1984).
23. I. Vurgaftman, J. R. Meyer, and L. R. Ram-Mohan, J. Appl. Phys. 89, 5815 (2001).
24. A. Zunger, Solid State Phys. 39, 275 (1986).
25. E. Kulatov, H. Nakayama, H. Mariette, H. Ohta, and Yu. A. Uspenskii, Phys. Rev. B 66, 045203 (2002).
26. U. Gerstmann, A. T. Blumenau, and H. Overhof, Phys. Rev. B 63, 075204 (2001).
27. M. van Schilfgaarde and O. N. Mryasov, Phys. Rev. B 63, 233205 (2001).
28. L. Kronik, M. Jain, and J. R. Chelikowsky, Phys. Rev. B 66, 041203 (2002).
29. R. Y. Korotkov, J. M. Gregie, B. Han, and B. W. Wessels, Physica B 308, 18 (2001).
30. D. Brunner, H. Angerer, E. Bustarret, F. Freudenberg, R. Höpler, R. Dimitrov, O. Ambacher, and M. Stutzmann, J. Appl. Phys. 82, 5090 (1997).