Pre-metallization processing effects on Schottky contacts to AlGaN/GaN heterostructures

Journal of Applied Physics

Volumn 97, Issue 8, 2005, Pages

  Bradley, S T ^a,c   Goss, S H ^a   Hwang, J ^b   Schaff, W J ^b   Brillson, L J ^a  

^a Ohio State University   (United States)

^b Cornell University   (United States)

^c INTEL CORPORATION   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

INTERNAL PHOTOEMISSION SPECTROSCOPY (IPE); NANOLUMINESCENCE; PRE-METALLIZATION PROCESSING EFFECTS; SCHOTTKY BARRIER HEIGHT;

CARBON; CORRELATION METHODS; EMISSION SPECTROSCOPY; GALLIUM NITRIDE; HETEROJUNCTIONS; LUMINESCENCE; MASS SPECTROMETRY; OXYGEN; SCHOTTKY BARRIER DIODES; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; ULTRAHIGH VACUUM;

METALLIZING;

EID: 21544463176     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1883719     Document Type: Article

References (42)

1. K. M. Tracy, P. J. Hartlieb, S. Einfeldt, R. F. Davis, E. H. Hurt, and R. J. Nemanich, J. Appl. Phys. 94, 3939 (2003).
2. X. A. Cao, S. J. Pearton, G. Dang, A. P. Zhang, F. Ren, and J. M. Van Hove, Appl. Phys. Lett. 75, 4130 (1999).
3. E. J. Miller, D. M. Schaadt, E. T. Yu, P. Waltereit, C. Poblenz, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 82, 1293 (2003).
4. T. G. G. Maffeis, M. C. Simmonds, S. A. Clark, F. Peiro, P. Haines, and P. J. Parbrook, J. Appl. Phys. 92, 3179 (2002).
5. J. M. DeLucca, S. E. Mohney, F. D. Auret, and S. A. Goodman, J. Appl. Phys. 88, 2593 (2000).
6. L. L. Smith, S. W. King, R. J. Nemanich, and R. F. Davis, J. Electron. Mater. 25, 805 (1996).
7. C. R. Lee, J. Cryst. Growth 220, 62 (2000).
8. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, D. W. Greve, M. Skowronski, M. Shin, and J. M. Redwing, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 37 (1998).
9. B. A. Hull, S. E. Mohney, U. Chowdhury, and R. D. Dupuis, J. Vac. Sci. Technol. B (in press).
10. J. K. Kim, H. W. Jang, and J. L. Lee, J. Appl. Phys. 94, 7201 (2003).
11. M. W. Wang, J. O. McCaldin, J. F. Swenberg, T. C. McGill, and R. J. Hauenstein, Appl. Phys. Lett. 66, 1974 (1995).
12. D. Qiao, L. S. Yu, S. S. Lau, J. M. Redwing, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, J. Appl. Phys. 87, 801 (2000).
13. D. Seghier and H. P. Gislason, Phys. Scr., T 101, 230 (2002).
14. V. Y. Fominski, O. I. Naoumenko, V. N. Nevolin, A. P. Alekhin, A. M. Markeev, and L. A. Vyukov, Appl. Phys. Lett. 68, 2243 (1996).
15. K. N. Lee, S. M. Donovan, B. Gila, M. Overberg, J. D. Mackenzie, and C. R. Abernathy, Proc.-Electrochem. Soc. 99-104, 249 (1999).
16. J. R. Vig, " Ultraviolet-Ozone Cleaning of Semiconductor Surfaces, " in Handbook of Semiconductor Wafer Cleaning Technology, edited by, W. Kern, (Noyes, Park Ridge, NJ, 1993).
17. L. S. Yu, Q. J. Xing, D. Qiao, S. S. Lau, K. S. Boutros, and J. M. Redwing, Appl. Phys. Lett. 73, 3917 (1998).
18. D. K. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization, 2nd ed. (Wiley, New York, 1998), p. 176.
19. H. Hasegawa and S. Oyama, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 1647 (2002).
20. C. H. Chen, S. M. Baier, D. K. Arch, and M. S. Shur, IEEE Trans. Electron Devices 35, 570 (1988).
21. R. T. Tung, Phys. Rev. B 45, 13509 (1992).
22. R. H. Fowler, Phys. Rev. 38, 45 (1931).
23. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1981), Chap..
24. T. Okumura and K. N. Tu, J. Appl. Phys. 54, 922 (1983).
25. L. J. Brillson, T. M. Levin, G. H. Jessen, and F. A. Ponce, Appl. Phys. Lett. 75, 3835 (1999).
26. S. T. Bradley, S. H. Goss, L. J. Brillson, J. Hwang, and W. J. Schaff, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 2558 (2003).
27. P. Hovington, D. Drouin, and R. Gauvin, Scanning 19, 1 (1997).
28. Z. Lin, W. Lu, J. Lee, D. Liu, J. S. Flynn, and G. R. Brandes, Appl. Phys. Lett. 82, 4364 (2003).
29. V. W. L. Chin, T. L. Tansley, and T. Osotchan, J. Appl. Phys. 75, 7365 (1994).
30. N. Winograd, Prog. Solid State Chem. 11, 285 (1982).
31. S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa, M. Umeno, and T. Jimbo, IEEE Trans. Electron Devices 48, 573 (2001).
32. H. Ishiawa, S. Kobayashi, Y. Koide, S. Yamasaki, S. Nagai, J. Umezaki, M. Koike, and M. Murakami, J. Appl. Phys. 81, 1315 (1997).
33. F. Yun, R. A. Reshchikov, L. He, T. King, H. Morko̧, S. W. Novak, and L. Wei, J. Appl. Phys. 92, 4837 (2002).
34. C. M. Jeon and J. L. Lee, Appl. Phys. Lett. 82, 4301 (2003).
35. B. S. Simpkins, E. T. Yu, P. Waltereit, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 94, 1448 (2003).
36. A. F. Wright and U. Grossner, Appl. Phys. Lett. 73, 2751 (1998).
37. F. A. Ponce, D. P. Bour, W. Götz, and P. J. Wright, Appl. Phys. Lett. 68, 57 (1996).
38. J. Bardeen, Phys. Rev. 71, 717 (1947).
39. C. H. Seager, A. F. Wright, J. Yu, and W. Götz, J. Appl. Phys. 92, 6553 (2002).
40. P. Boguslawski, E. L. Briggs, and J. Bernholc, Appl. Phys. Lett. 69, 233 (1996).
41. L. E. Davis, N. C. MacDonald, P. W. Palmberg, G. E. Riach, and R. E. Weber, Handbook of Auger Electron Spectroscopy, 2nd ed. (Physical Electronics, Eden Prarie, MN, 1976).
42. S. L. Rumyantsev, N. Pala, M. S. Shur, R. Gaska, M. E. Levinshtein, V. Adivarahan, J. Yang, G. Simin, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 79, 866 (2001).