Correlated scanning Kelvin probe and conductive atomic force microscopy studies of dislocations in gallium nitride

Journal of Applied Physics

Volumn 94, Issue 3, 2003, Pages 1448-1453

  Simpkins, B S ^a   Yu, E T ^a   Waltereit, P ^b   Speck, J S ^b  

^a UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

^b Santa Barbara   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; DISLOCATIONS (CRYSTALS); ELECTRIC CHARGE; LEAKAGE CURRENTS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; SURFACE TOPOGRAPHY;

SURFACE POTENTIAL;

SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS;

EID: 0042512254     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1586952     Document Type: Article

References (24)

1. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasawa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyohu, and Y. Sguimoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L74 (1996).
2. Y. F. Wu, B. P. Keller, P. Fini, S. Keller, T. J. Jenkins, L. T. Kechias, S. P. Denbaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 19, 50 (1998).
3. H. M. Ng, D. Doppalapudi, T. D. Moustakas, N. G. Weimann, and L. F. Eastman, Appl. Phys. Lett. 73, 821 (1998).
4. T. Sugahara, H. Sato, M. Hao, Y. Naoi, S. Tottori, K. Yamashita, K. Nishino, L. T. Romano, and S. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L398 (1998).
5. J. W. Hsu, M. J. Manfra, R. J. Molnar, B. Heying, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 81, 79 (2002).
6. E. J. Miller, D. M. Schaadt, E. T. Yu, C. Poblenz, C. Elsass, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 91, 9821 (2002).
7. B. Heying, E. J. Tarsa, C. R. Elsass, P. Fini, S. P. Denbaars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 85, 6470 (1999).
8. J. W. Hsu, M. J. Manfra, D. V. Lang, K. W. Baldwin, L. N. Pfeiffer, and R. J. Molnar, J. Electron. Mater. 30, 110 (2001).
9. G. Koley, and M. G. Spencer, Appl. Phys. Lett. 78, 2873 (2001).
10. P. J. Hansen, Y. E. Strausser, A. N. Erickson, E. J. Tarsa, P. Kozodoy, E. G. Brazel, J. P. Ibbetson, U. Mishra, V. Narayanamurti, S. P. Denbaars, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 72, 2247 (1998).
11. D. M. Schaadt, E. J. Miller, E. T. Yu, and J. M. Redwing, Appl. Phys. Lett. 78, 88 (2001).
12. B. Heying, R. Averbeck, L. F. Chen, E. Haus, H. Riechert, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 88, 1855 (2000).
13. X. H. Wu, L. M. Brown, D. Kapolnek, S. Keller, B. Keller, S. P. Denbaars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 80, 3228 (1996).
14. M. Nonnenmacher, M. P. O'Boyle, and H. K. Wickramasinghe, Appl. Phys. Lett. 58, 2921 (1991).
15. H. O. Jacobs, H. F. Knapp, S. Müller, and A. Stemmer, Ultramicroscopy 69, 39 (1997).
16. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley and Sons, New York, NY, 1981), p. 246.
17. W. K. Burton, N. Cabrera, and F. C. Frank, Philos. Trans. R. Soc. London, Ser. A 243, 299 (1951).
18. V. Potin, P. Ruterana, and G. Nouet, Mater. Sci. Eng., B 59, 173 (1999).
19. F. Robin, H. Jacobs, O. Homan, A. Stemmer, and W. Bachtold, Appl. Phys. Lett. 76, 2907 (2000).
20. B. S. Simpkins, D. M. Schaadt, E. T. Yu, and R. J. Molnar, J. Appl. Phys. 91, 9924 (2002).
21. J. W. Hsu, H. M. Ng, A. M. Sergent, and S. N. G. Chu, Appl. Phys. Lett. 81, 3579 (2002).
22. A. F. Wright and U. Grossner, Appl. Phys. Lett. 73, 2751 (1998).
23. J. Elsner, R. Jones, P. K. Sitch, V. D. Porezag, M. Elstner, Th. Frauenheim, M. I. Heggie, S. Öberg, and P. R. Briddon, Phys. Rev. Lett. 79, 3672 (1997).
24. J. Elsner, R. Jones, M. I. Heggie, P. K. Sitch, M. Haugk, Th. Frauenheim, S. Öberg, and P. R. Briddon, Phys. Rev. B 58, 12571 (1998).