Electrical and chemical characterization of the schottky barrier formed between clean n-GaN(0001) surfaces and Pt, Au, and Ag

Journal of Applied Physics

Volumn 94, Issue 6, 2003, Pages 3939-3948

  Tracy, K M ^a   Hartlieb, P J ^a   Einfeldt, S ^a   Davis, R F ^a   Hurt, E H ^b   Nemanich, R J ^b  

^a North Carolina State University   (United States)

^b NORTH CAROLINA STATE UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CAPACITANCE; CRYSTAL ORIENTATION; FERMI LEVEL; INTERFACES (MATERIALS); LIGHT EMITTING DIODES; MESFET DEVICES; SCHOTTKY BARRIER DIODES; ULTRAVIOLET SPECTROSCOPY; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

INTERFACE DIPOLES;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 0141988626     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1598630     Document Type: Article

References (50)

1. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. Nagahama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L797 (1995).
2. S. Yoshida and J. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L851 (1999).
3. B. S. Shelton, D. J. H. Lambert, J. J. Huang, M. M. Wong, U. Chowdhury, T. G. Zhu, H. K. Kwon, Z. Liliental-Weber, M. Benarama, M. Feng, and R. S. Dupuis, IEEE Trans. Electron Devices 48, 490 (2001).
4. N. Stath, V. Harle, and J. Wagner, Mater. Sci. Eng., B 80, 224 (2001).
5. S. C. Binari, K. Doverspike, G. Kelner, H. B. Dietrich, and A. E. Wickenden, Solid-State Electron. 41, 177 (1997).
6. T. Egawa, K. Nakamura, H. Ishikawa, T. Jimbo, and M. Umeno, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 2630 (1999).
7. M. A. Kahn, J. N. Kuznia, A. R. Bhattarai, and D. T. Olsen, Appl. Phys. Lett. 62, 1786 (1993).
8. Y.-K. Su, Y.-Z. Chiou, F.-S. Juang, S.-J. Chang, and J.-K. Sheu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 40, 2996 (2001).
9. W. Gu, S. J. Chua, X. H. Zhang, M. S. Hao, J. Zhang, W. Wang, and W. Liu, Phys. Status Solidi A 188, 329 (2001).
10. M. A. Kahn, J. N. Kuznia, D. T. Olsen, M. Blasingame, and A. R. Bhattarai, Appl. Phys. Lett. 63, 2455 (1993).
11. Q. Z. Liu, K. V. Smith, E. T. Yu, S. S. Lau, N. R. Perkins, and T. F. Kuech, On the Epitaxy of Metal Films on GaN (Materials Research Society, Pittsburgh, PA, 1997), Vol XXV+1251.
12. A. C. Schmitz, A. T. Ping, M. A. Kahn, Q. Chen, J. W. Yang, and I. Adesida, Semicond. Sci. Technol. 11, 1464 (1996).
13. A. C. Schmitz, A. T. Ping, M. A. Kahn, Q. Chen, J. W. Yang, and I. Adesida, J. Electron. Mater. 27, 255 (1998).
14. Z. Fan, M. W. Kim, A. E. Botcharev, K. Suzue, H. Morkoc, K. Duxstad, and E. E. haller, J. Electron. Mater. 25, 1703 (1996).
15. K. Suzue, S. N. Mohammad, Z. F. Fan, W. Kim, O. Aktas, A. E. Botcharev, and H. Morkoc, J. Appl. Phys. 80, 4467 (1996).
16. S. N. Mohammad, Z. Fan, A. E. Botcharev, W. Kim, O. Aktas, A. Salvador, and H. Morkoc, Electron. Lett. 32, 598 (1996).
17. L. Wang, M. I. Nathan, T. H. Lim, M. A. Kahn, and Q. Chen, Appl. Phys. Lett. 68, 1267 (1996).
18. J. D. Guo, M. S. Feng, R. J. Guo, F. M. Pan, and C. Y. Chang, Appl. Phys. Lett. 67, 2657 (1995).
19. Q. Z. Liu, L. S. Yu, S. S. Lau, J. M. Redwing, N. R. Perkins, and T. F. Kuech, Appl. Phys. Lett. 70, 1275 (1997).
20. C. I. Wu and A. Kahn, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2218 (1998).
21. E. V. Kalinina, N. I. Kuznetsov, V. A. Dmitriev, K. G. Irvine, and C. H. Carter, Jr., J. Electron. Mater. 25, 831 (1996).
22. E. V. Kalinina, N. I. Kuznetsov, A. I. Babanin, V. A. Dmitriev, and A. V. Shchukarev, Diamond Relat. Mater. 6, 1528 (1997).
23. P. Hacke, T. Detchprohm, K. Hiramatsu, and N. Sawaki, Appl. Phys. Lett. 63, 2676 (1993).
24. M. Sawada, T. Sawada, Y. Yamagata, K. Imai, H. Kimura, M. Yoshino, K. Iizuka, and H. Tomozawa, J. Cryst. Growth 189, 706 (1998).
25. M. R. H. Kahn, T. Detchprohm, P. Hacke, K. Hiramatsu, and N. Sawaki, J. Phys. D 28, 1169 (1995).
26. Y. Kribes, I. Harrison, B. Tuck, T. S. Cheng, and C. T. Foxon, Semicond. Sci. Technol. 12, 913 (1997).
27. S. C. Binari, H. B. Dietrich, G. Kelner, L. B. Rowland, K. Doverspike, and D. K. Gaskill, Electron. Lett. 30, 909 (1994).
28. Z. Z. Bandic, P. M. Bridger, E. C. Piquette, T. C. McGill, R. P. Vaudo, V. M. Phanse, and J. M. Redwing, Appl. Phys. Lett. 74, 1266 (1999).
29. R. Sporken, C. Silien, F. Malengreau, K. Grigorov, R. Caudano, F. J. Sanchez, E. Calleja, E. Munoz, B. Beaumont, and P. Gibart, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, 23 (1997).
30. L. He, X. J. Wang, and R. Zhang, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 1217 (1999).
31. T. G. G. Maffeis, S. A. Clark, P. R. Dunstan, S. P. Wilks, D. A. Evans, F. Peiro, H. Riechert, and P. J. Parbrook, Phys. Status Solidi A 176, 751 (1999).
32. T. U. Kampen and W. Monch, Appl. Surf. Sci. 117/118, 388 (1997).
33. S. Arulkumaran, T. Egawa, G. Y. Zhao, H. Ishikawa, T. Jimbo, and M. Umeno, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 39, L351 (2000).
34. S. Miller and P. H. Holloway, J. Electron. Mater. 25, 1709 (1996).
35. E. A. Preble, K. M. Tracy, S. Kiesel, H. McLean, P. Q. Miraglia, R. J. Nemanich, M. Albrecht, D. J. Smith, and R. F. Davis, J. Appl. Phys. 91, 2133 (2002).
36. D. K. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization (Wiley, New York, 1998), p. 156.
37. R. T. Tung, in Contacts to Semiconductors, edited by L. J. Brillson (Noyes, New Jersey, 1993), Chap. 3.
38. V. M. Bermudez, T. M. Jung, K. Doverspike, and A. E. Wickenden, J. Appl. Phys. 79, 110 (1996).
39. M. Eyckeler, W. Monch, T. U. Kampen, R. Dimitrov, O. Ambacher, and M. Stutzman, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2224 (1998).
40. D.-W. Kim, J. C. Bae, W. J. Kim, H. K. Baik, J.-M. Myoung, and S.-M. Lee, J. Electron. Mater. 30, 183 (2001).
41. A. R. Smith, R. M. Feenstra, D. W. Greve, M-S. Shin, M. Skowronski, J. Neugebauer, and J. E. Northrup, Appl. Phys. Lett. 72, 2114 (1998).
42. S. W. King, J. P. Barnak, M. D. Bremser, K. M. Tracy, C. Ronning, R. F. Davis, and R. J. Nemanich, J. Appl. Phys. 84, 5248 (1998).
43. D. A. Shirley, Phys. Rev. B 5, 4709 (1972).
44. D. Briggs and M. P. Seah, Practical Surface Analysis Volume 1 (Wiley, West Sussex, 1983).
45. J. F. Moulder, W. M. F. Stickel, P. R. E. Sobol, and K. D. H. Bomben, Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy, 1st ed. (Perkin Elmer, Physical Electronics Division, 1992).
46. J. R. Waldrop and R. W. Grant, Appl. Phys. Lett. 52, 1794 (1988).
47. J. R. Waldrop and R. W. Grant, Appl. Phys. Lett. 62, 2685 (1993).
48. S. Strite and H. Morkoc, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1237 (1992).
49. C. M. Whelan, C. J. Barnes, C. G. H. Walker, and N. M. D. Brown, Surf. Sci. 425, 195 (1999).
50. J. Van der Weide and R. J. Nemanich, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1940 (1992).