Etching of porous and solid Si O2 in Arc- C4 F8, O2 c- C4 F8 and Ar O2 c- C4 F8 plasmas

Journal of Applied Physics

Volumn 97, Issue 2, 2005, Pages

  Sankaran, Arvind ^a,c   Kushner, Mark J ^b,d  

^a UNIVERSITY OF ILLINOIS AT URBANA CHAMPAIGN   (United States)

^b University of Illinois at Urbana Champaign   (United States)

^c Novellus Systems   (United States)

^d IOWA STATE UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

HIGH ASPECT RATIO (HAR); MAGNETICALLY ENHANCED REACTIVE ION ETCHING (MERIE); MICROELECTRONICS FABRICATION;

ASPECT RATIO; MICROELECTRONICS; OPTIMIZATION; ORGANIC POLYMERS; PERMITTIVITY; PLASMA DEVICES; PLASMA ETCHING; POROUS SILICON; POSITIVE IONS; REACTION KINETICS; REACTIVE ION ETCHING; SILICON COMPOUNDS;

PLASMAS;

EID: 19944431561     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1834979     Document Type: Article

References (33)

1. K. Miyata, M. Hori, and T. Goto, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 568 (1997).
2. J. P. Booth, Plasma Sources Sci. Technol. 8, 249 (1999).
3. M. Sekine, Appl. Surf. Sci. 192, 270 (2002).
4. X. Li, L. Ling, X. Hua, M. Fukasawa, and G. S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol. A 21, 284 (2003).
5. M. Matsui, F. Uchida, M. Kojima, T. Tokunaga, F. Yano, and M. Hasegawa, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 117 (2002).
6. N. R. Rueger, M. F. Doemling, M. Schaepkens, J. J. Beulens, T. E. F. M. Standaert, and G. S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 2492 (1999).
7. X. Li, X. Hua, L. Ling, G. S. Oehrlein, M. Barela, and H. M. Anderson, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 2052 (2002).
8. T. E. F. M. Standaert, E. A. Joseph, G. S. Oehrlein, A. Jain, W. N. Gill, P. C. J. Wayner, and J. L. Plawsky, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 2742 (2000).
9. M. Matsui, T. Tatsumi, and M. Sekine, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 2089 (2001).
10. G. S. Oehrlein, M. F. Doemling, B. E. E. Kastenmeier, P. J. Matsuo, N. R. Rueger, M. Schaepkens, and T. E. F. M. Standaert, IBM J. Res. Dev. 43, 181 (1999).
11. M. Matsui, T. Tatsumi, and M. Sekine, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 1282 (2001).
12. H. Hayashi, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 2557 (1999).
13. S. Rauf and P. L. G. Ventzek, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 14 (2002).
14. X. Li, L. Ling, X. Hua, G. S. Oehrlein, Y. Wang, V. Vasenkov, and M. J. Kushner, J. Vac. Sci. Technol. A 22, 500 (2004).
15. A. Sankaran and M. J. Kushner, J. Vac. Sci. Technol. A 22, 1242 (2004).
16. A. Sankaran, and M. J. Kushner, J. Vac. Sci. Technol. A 22, 1260 (2004).
17. R. L. Kinder and M. J. Kushner, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 76 (2001).
18. R. L. Kinder and M. J. Kushner, J. Appl. Phys. 90, 3699 (2001).
19. A. V. Vasenkov, X. Li, G. S. Oehrlein, and M. J. Kushner, J. Vac. Sci. Technol. A 22, 511 (2004).
20. J. Lu and M. J. Kushner, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 2652 (2001).
21. R. J. Hoekstra and M. J. Kushner, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2102 (1998).
22. C. C. Cheng, K. V. Guinn, V. M. Donnelly, and I. P. Herman, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 2630 (1994).
23. C. F. Abrams and D. B. Graves, J. Appl. Phys. 86, 2263 (1999).
24. M. Schaepkens, G. S. Oehrlein, C. Hedlund, L. B. Jonsson, and H.-O. Blum, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 3281 (1998).
25. H. Chae, S. A. Vitale, and H. H. Sawin, J. Vac. Sci. Technol. A 21, 381 (2003).
26. B. A. Helmer and D. B. Graves, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 2759 (1999).
27. T. E. F. M. Standaert, M. Schaepkens, N. R. Rueger, P. G. M. Sebel, G. S. Oehrlein, and J. M. Cook, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 239 (1998).
28. M. E. Harper, J. J. Cuomo, and H. R. Kaufman, Annu. Rev. Mater. Sci. 13, 413 (1983).
29. F. D. Egitto, F. Emmi, R. S. Horwath, and V. Vukanovic, J. Vac. Sci. Technol. B 3, 893 (1985).
30. C. Steinbruchel, B. J. Curtis, H. W. Lehmann, and R. Widmer, IEEE Trans. Plasma Sci. 14, 137 (1986).
31. F. Greer, L. Van, D. Fraser, J. W. Coburn, and D. B. Graves, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 1901 (2002).
32. V. Bakshi (private communications).
33. R. A. Gottscho, C. W. Jurgensen, and D. J. Vitkavage, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 2133 (1992).