Cu sputtering and deposition by off-normal, near-threshold Cu+ bombardment: Molecular dynamics simulations

Journal of Applied Physics

Volumn 86, Issue 4, 1999, Pages 2263-2267

  Abrams, Cameron F ^a   Graves, David B ^a  

^a University of California   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001030504     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.371040     Document Type: Article

References (33)

1. P. Singer, Semicond. Int. 21, 91 (1998).
2. W. M. Holber, J. S. Logan, H. J. Grabarz, J. T. C. Yeh, J. B. O. Caughman, A. Sugerman, and F. E. Turene, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 2903 (1993).
3. L. A. Berry, S. M. Gorbatkin, and R. L. Rhoades, Thin Solid Films 253, 382 (1994).
4. P. F. Cheng, S. M. Rossnagel, and D. N. Ruzic, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 203 (1995).
5. S. Shingubara, A. Sano, T. Takahagi, Y. Horiike, Z. J. Radsimski, and W. M. Posadowski, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 427, 185 (1996).
6. S. Hamaguchi and S. M. Rossnagel, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2603 (1996).
7. Z. J. Radzimski, W. M. Posadowski, S. M. Rossnagel, and S. Shingubara, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1102 (1998).
8. S. Hamaguchi, A. A. Mayo, S. M. Rossnagel, D. E. Kotecki, K. R. Milkove, C. Wang, and C. E. Farrel, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 4762 (1997).
9. M. A. Vyvoda, C. F. Abrams, and D. B. Graves, IEEE Trans. Plasma Sci. (to be published).
10. D. E. Harrison, N. S. Levy, J. P. Johnson, and H. M. Effron, J. Appl. Phys. 39, 3742 (1968).
11. H. M. Urbassek, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 122, 427 (1997).
12. B. A. Helmer and D. B. Graves, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 2252 (1997).
13. C. F. Abrams and D. B. Graves, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 3006 (1998).
14. D. G. Coronell, D. E. Hanson, A. F. Voter, C.-L. Liu, X.-Y. Liu, and J. D. Kress, Appl. Phys. Lett. 73, 3860 (1998).
15. J. D. Kress, D. E. Hanson, A. F. Voter, C. L. Liu, X. Y. Liu, and D. G. Coronell, J. Vac. Sci. Technol. A. (to be published).
16. H. Gades and H. M. Urbassek, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 61, 39 (1995).
17. D. N. Ruzic and H. K. Chiu, J. Nucl. Mater. 162-164, 904 (1989).
18. P. C. Zalm, J. Vac. Sci. Technol. B 2, 151 (1984).
19. P. Sigmund, Phys. Rev. 184, 383 (1969).
20. M. Balooch, M. Moalem, W.-E. Wang, and A. V. Hamza, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 229 (1996).
21. J. P. Chang, J. C. Arnold, G. C. H. Zau, H.-S. Shin, and H. H. Sawin, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 1853 (1997).
22. J. P. Chang, J. C. Arnold, G. C. H. Zau, H.-S. Shin, and H. H. Sawin, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 610 (1997).
23. J. P. Chang, A. P. Mahorowala, and H. H. Sawin, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 217 (1998).
24. C. A. Nichols, S. M. Rossnagel, and S. Hamaguchi, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 3270 (1996).
25. A. A. Mayo, S. Hamaguchi, J. H. Joo, and S. M. Rossnagel, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 1788 (1997).
26. D. N. Ruzic, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 47, 118 (1990).
27. M. A. Shaheen and D. N. Ruzic, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 3085 (1993).
28. L. Verlet, Phys. Rev. 159, 98 (1967).
29. K. Gärtner, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 102, 183 (1995).
30. C. F. Abrams and D. B. Graves, IEEE Trans. Plas. Sci. (to be published).
31. H. J. C. Berendsen, J. P. M. Postma, W. F. van Gunsteren, A. DiNola, and J. R. Haak, J. Chem. Phys. 81, 3684 (1984).
32. C. Steinbrüchel, Appl. Phys. Lett. 55, 1960 (1989).
33. Perry's Chemical Engineers' Handbook, 6th ed. edited by R. H. Perry and D. W. Green (McGraw-Hill, New York, 1984), pp. 3-120.