Properties of Ir-based Ohmic contacts to AlGaN/GaN high electron mobility transistors

Applied Physics Letters

Volumn 84, Issue 9, 2004, Pages 1495-1497

  Fitch, R C ^a   Gillespie, J K ^a   Moser, N ^a   Jenkins, T ^a   Sewell, J ^a   Via, D ^a   Crespo, A ^a   Dabiran, A M ^b   Chow, P P ^b   Osinsky, A ^b   La Roche, J R ^c   Ren, F ^c   Pearton, S J ^c  

^a AIR FORCE RESEARCH LABORATORY   (United States)

^b SVT ASSOCIATES   (United States)

^c J Crayton Pruitt Family Department of Biomedical Engineering   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRICAL ISOLATION; SHEET RESISTANCE;

ANNEALING; ELECTRIC RESISTANCE; GALLIUM NITRIDE; INTERDIFFUSION (SOLIDS); METALLIZING; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MOLECULAR BEAM EPITAXY; OHMIC CONTACTS; OXIDATION; PLASMA ETCHING; POWER AMPLIFIERS; THERMODYNAMIC STABILITY; TITANIUM METALLURGY; TRANSCONDUCTANCE;

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS;

EID: 12144287076     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1651649     Document Type: Article

References (32)

1. See, for example, S. Karmalkar, M. S. Shur, and R. Gaska, in Wide Energy Bandgap Electronic Devices, edited by F. Ren and J. C. Zolper (World Scientific, Singapore, 2003), Chap. 3.
2. G. Simin, A. Koudymov, A. Tarakji, X. Hu, J. Yang, M. Asif Khan, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 79, 2651 (2001).
3. L. F. Eastman, V. Tilak, J. Smart, B. M. Green, E. M. Chumbes, R. Dimitrov, H. Kim, O. S. Ambacher, N. Weimann, T. Prunty, M. Murphy, W. J. Schaff, and J. R. Shealy, IEEE Trans. Electron Devices 48, 479 (2001).
4. X. Hu, A. Koudymov, G. Simin, J. Yang, M. Asif Khan, A. Tarakji, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 79, 2832 (2001).
5. N. X. Nguyen, C. Nguyen, and D. E. Grider, Electron. Lett. 35, 1356 (1999).
6. A. Tarakji, G. Simin, N. Ilinskaya, X. Hu, A. Kumar, A. Koudymov, J. Yang, M. Asif Khan, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 78, 2169 (2001).
7. E. M. Chumbes, J. A. Smart, T. Prunty, and J. M. Shealy, IEEE Trans. Electron Devices 48, 416 (2001).
8. S. C. Binari, K. Ikossi, J. A. Roussos, W. Kruppa, D. Park, H. B. Dietrich, D. D. Koleske, A. E. Wickenden, and R. L. Henry, IEEE Trans. Electron Devices 48, 465 (2001).
9. B. Luo, J. W. Johnson, J. Kim, R. M. Mehandru, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, A. G. Baca, R. D. Briggs, R. J. Shul, C. Monier, and J. Han, Appl. Phys. Lett. 80, 1661 (2002).
10. R. Vetury, N. Q. Zhang, S. Keller, and U. K. Mishra, IEEE Trans. Electron Devices 48, 560 (2001).
11. A. P. Zhang, L. B. Rowland, E. B. Kamensky, V. Tilak, J. C. Grande, J. Feetsov, A. Vatiakhikh, and L. F. Eastman, J. Electron. Mater. 32, 626 (2003).
12. V. Kumar, L. Zhou, D. Selvanathan, and I. Adesida, J. Appl. Phys. 92, 1712 (2002).
13. K. O. Schweitz, P. K. Wang, S. E. Mohney, and D. Gotthold, Appl. Phys. Lett. 80, 1954 (2002).
14. A. Motayed, R. Bathe, M. C. Wood, O. S. Diouf, R. D. Vispute, and S. Noor Mohammad, J. Appl. Phys. 93, 1087 (2003).
15. J. Burm, K. Chu, W. A. Davis, W. J. Schaff, L. F. Eastman, and T. J. Eustis, Appl. Phys. Lett. 70, 464 (1997).
16. M. E. Lin, Z. Ma, F. Y. Huang, Z. F. Fan, L. H. Allen, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 64, 1003 (1994).
17. B. P. Luther, S. E. Mohney, T. N. Jackson, M. Asif Khan, Q. Chen, and J. W. Yang, Appl. Phys. Lett. 70, 57 (1997).
18. Z. Fan, S. Noor Mohammad, W. Kim, Ö. Aktas, A. E. Botchkarev, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 68, 1672 (1996).
19. S. Ruvimov, Z. Liliental-Weber, J. Washburn, D. Qiao, S. S. Lau, and Paul K. Chu, Appl. Phys. Lett. 73, 2582 (1998).
20. N. A. Papanicolaou, M. V. Rao, J. Mittereder, and W. T. Anderson, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 261 (2001).
21. Q. Z. Liu and S. S. Lau, Solid-State Electron. 42, 677 (1998).
22. R. Li, S. J. Cai, L. Wong, Y. Chen, K. L. Wang, R. P. Smith, S. C. Martin, K. S. Boutros, and J. M. Redwing, IEEE Electron Device Lett. 20, 323 (1999).
23. S.-H. Lim, J. Washburn, Z. Liliental-Weber, and D. Qiao, Appl. Phys. Lett. 78, 3797 (2001).
24. M. Asif Khan, M. S. Shur, and Q. Chen, Appl. Phys. Lett. 68, 3022 (1996).
25. S. Murai, H. Masuda, Y. Koide, and M. Murakami, Appl. Phys. Lett. 80, 2934 (2002).
26. C. Lu, H. Chen, X. Lu, X. Xie, and S. Noor Mohammad, J. Appl. Phys. 91, 9218 (2002).
27. J. S. Foresi and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 62, 2859 (1993).
28. M. W. Fay, Q. Moldovan, P. D. Brown, I. Harrison, J. C. Birbeck, B. T. Hughes, M. J. Uren, and T. Martin, J. Appl. Phys. 92, 94 (2002).
29. M. W. Cole, D. W. Eckart, W. Y. Han, R. L. Pfeffer, T. Monahan, F. Ren, C. Yuan, R. A. Stall, S. J. Pearton, Y. Li, and Y. Lu, J. Appl. Phys. 80, 278 (1996).
30. A. Zeitouny, M. Eizenberg, S. J. Pearton, and F. Ren, J. Appl. Phys. 88, 2048 (2000).
31. B. Luo, F. Ren, R. C. Fitch, J. K. Gillespie, T. Jenkins, J. Sewell, D. Via, A. Crespo, A. G. Baca, R. D. Briggs, D. Gotthold, R. Birkhahn, B. Peres, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 82, 3910 (2003).
32. H. W. Jang and J.-L. Lee, J. Appl. Phys. 93, 5416 (2003).