Transition metal ion implantation into AlGaN

Journal of Applied Physics

Volumn 94, Issue 8, 2003, Pages 4956-4960

  Frazier, R M ^a   Thaler, G T ^a   Abernathy, C R ^a   Pearton, S J ^a   Nakarmi, M L ^b   Nam, K B ^b   Lin, J Y ^b   Jiang, H X ^b   Kelly, J ^c   Rairigh, R ^c   Hebard, A F ^c   Zavada, J M ^d   Wilson, R G ^e  

^a UNIVERSITY OF FLORIDA   (United States)

^b KANSAS STATE UNIVERSITY   (United States)

^c US Army Research Office ^*  (United States)

^d U S ARMY RESEARCH OFFICE   (United States)

^e NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; CARRIER CONCENTRATION; ENERGY GAP; EPITAXIAL GROWTH; FERROMAGNETISM; ION IMPLANTATION; MAGNETIC HYSTERESIS; TRANSITION METALS; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

HYSTERESIS LOOPS;

SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS;

EID: 10744231128     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1613375     Document Type: Article

References (50)

1. S. O. Kucheyev, J. S. Williams, J. Zou, G. Li, C. Jagadish, M. O. Manasreh, M. Pophristic, S. Quo, and I. T. Ferguson, Appl. Phys. Lett. 80, 787 (2002).
2. S. O. Kucheyev, J. S. Williams, J. Zou, C. Jagadish, M. Pophristic, S. Guo, I. T. Ferguson, and M. O. Manasreh, J. Appl. Phys. 92, 3554 (2002).
3. L. F. Eastenan, V. Tilak, J. Smart, B. M. Green, E. M. Chumbes, R. Dmitrov, H. Kim, O. S. Ambacher, N. Weimann, T. Prunty, M. Murphy, W. J. Schaff, and J. R. Shealy, IEEE Trans. Electron Devices 48, 479 (2001).
4. W. Lu, J. Yang, M. Asif Khan, and I. Adesidu, IEEE Trans. Electron Devices 48, 581 (2001).
5. K. B. Nam, J. Li, M. L. Nakarmi, J. Y. Lin, and H. X. Jiang. Appl. Phys. Lett. 82, 1694 (2003).
6. E. Kuokstis, J. Zhang, Q. Fareed, J. W. Yang, G. Simin, M. Asif Khan, R. Gaska, M. S. Shur, C. Rojo, and L. Schowalter, Appl. Phys. Lett. 81, 2755 (2002).
7. R. Gaska, C. Chen, J. Yang, E. Kookstis, M. Asif Kahn, G. Tamulaitis, I. Yilmog, M. S. Shur, J. C. Rojo, and L. J. Schowalter, Appl. Phys. Lett. 81, 4658 (2002).
8. T. Nishida, N. Kobayashi, and T. Ban, Appl. Phys. Lett. 82, 1 (2003).
9. G. Kipshidze, V. Kuryatkov, K. Zhu, B. Vorizov, M. Holtz, S. Nikishin, and H. Temkin, J. Appl. Phys. 93, 1363 (2003).
10. K. Dovidenko, S. Oktyabusky, J. Narayan, and M. Razeghi, J. Appl. Phys. 79, 2439 (1996).
11. A. Yasan, R. McClintock, K. Mayes, S. R. Darvish, P. Kung, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 81, 801 (2002).
12. D. Walker, V. V. Kumar, K. Mi, P. Sandvik, P. Kung, X. H. Zhang, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 76, 403 (2000).
13. V. V. Kuryatov, H. Temkin, J. C. Campbell, and R. D. Dupuis, Appl. Phys. Lett. 78, 3340 (2001).
14. D. Ciplys, R. Rimeika, M. S. Shur, S. Rumyantsev, R. Gaska, A. Sereika, J. Yang, and M. Asif Khan, Appl. Phys. Lett. 80, 1701 (2002).
15. S. J. Pearton, C. R. Abernathy, M. E. Overberg, G. T. Thaler, D. P. Norton, N. Theodoropoulou, A. F. Hebard, Y. D. Park, F. Ren, J. Kim, and L. A. Boatner, J. Appl. Phys. 93, 1 (2003).
16. J. Singh, Electronic and Optoelectronic Properties of Semiconductor Structures (Cambridge University Press, New York, 2003).
17. T. Dietl, Semicond. Sci. Technol. 17, 377 (2002).
18. T. Dietl, H. Ohno, and F. Matsukura, Phys. Rev. B 63, 195205 (2001).
19. S. Sonoda, S. Shimizu, T. Sasaki, Y. Yamamoto, and H. Hori, J. Cryst. Growth 237-239, 1358 (2002).
20. T. Sasaki, S. Sonoda, Y. Yamamoto, K. Suga, S. Shimizu, K. Kindo, and H. Hori, J. Appl. Phys. 91, 7911 (2002)
21. G. T. Thaler, M. E. Overberg, B. Gila, R. Frazier, C. R. Abemathy, S. J. Pearton, J. S. Lee, S. Y. Lee, Y. D. Park, Z. G. Khim, J. Kim, and F. Ren, Appl. Phys. Lett. 80, 3964 (2002).
22. K. H. Kim, K. J. Lee, D. J. Kim, H. J. Kim, Y. E. Ihm, D. Djayaprawira, M. Takahashi, C. S. Kim, C. G. Kim, and S. H. Yoo, Appl. Phys. Lett. 82, 1775 (2003).
23. N. Theodoropoulou, A. F. Hebard, M. E. Overberg, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, S. N. G. Chu, and R. G. Wilson, Appl. Phys. Lett. 78, 3475 (2001).
24. Y. L. Soo, G. Kioseoglou, S. Kim, S. Huang, Y. H. Kaa, S. Kubarawa, S. Owa, T. Kondo, and H. Munekata, Appl. Phys. Lett. 79, 3926 (2001).
25. M. E. Overberg, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, N. A. Theodoropoulou, K. T. McCarthy, and A. F. Hebard, Appl. Phys. Lett. 79, 1312 (2001).
26. S. Dhar, O. Brandt, A. Trampert, L. Daeweritz, K. J. Friedland, K. H. Ploog, J. Keller, B. Beschoten, and G. Guntherodt, Appl. Phys. Lett. 82, 2077 (2003).
27. S. Kuwabara, T. Kondo, T. Chikyow, P. Ahmet, and H. Munekata, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 40, L724 (2001).
28. H. Hori, S. Sonoda, T. Sasaki, Y. Yamamoto, S. Shimizu, K. Suga, and K. Kindo, Physica B 324, 142 (2002).
29. M. C. Park, K. S. Huh, J. M. Myoung, J. M. Lee, J. Y. Chang, K. I. Lee, S. H. Han, and W. Y. Lee, Solid State Commun. 124, 11 (2002).
30. M. Sato, H. Tanida, K. Kato, T. Sasaki, Y. Yamamoto, S. Sonoda, S. Shimiyu, and H. Hori, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 41, 4513 (2002).
31. M. Hastimoto, Y.-K. Zhou, H. Tampo, M. Kanamura, and H. Asahi, J. Cryst. Growth 252, 499 (2003).
32. J. Y. Chang, G. H. Kim, J. M. Lee, S. H. Han, H. J. Kim, W. Y. Lee, M. H. Ham, K. S. Huh, and J. M. Myound, J. Appl. Phys. 93, 7858 (2003).
33. M. B. Haider, C. Constantin, H. Al-Btithen, H. Yang, E. Trifan, D. Iagram, A. R. Smith, C. V. Kelly, and Y. Ijiri, J. Appl. Phys. 93, 5274 (2003).
34. M. Zajac, J. Gosk, E. Grzanka, M. Kaminska, A. Twardowski, B. Strojek, T. Szyszko, and S. Podsiadlo, J. Appl. Phys. 93, 4715 (2003).
35. S. E. Park, H.-J. Lee, Y. C. Cho, S.-Y. Jeong, C. R. Cho, and S. Cho, Appl. Phys. Lett. 80, 4187 (2002).
36. S. J. Pearton, C. R. Abernathy, D. P. Norton, A. F. Hebard, Y. D. Park, L. A. Boatner, and J. D. Budai, Mater. Sci. Eng., R. 40, 137 (2003).
37. J. M. Baik, H. W. Jang, J. K. Kim, and J. M. Lee, Appl. Phys. Lett. 82, 583 (2003).
38. Y. Shon, Y. H. Kwon, S. U. Yuldashev, Y. S. Park, D. J. Fu, D. Y. Kim, H. S. Kim, and T. W. Rang, J. Appl. Phys. 93, 1546 (2003).
39. M. L. Reed, N. A. El-Masry, H. Stadelmaier, M. E. Ritums, N. J. Reed, C. A. Parker, J. C. Roberts, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 79, 3473 (2001).
40. Y. V. Melnick, K. V. Vassilevski, I. P. Nikitina, A. H. Balanin, Y. Davydov, and V. A. Dmitriev, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, 39 (1997).
41. J. S. Williams, Mater. Sci. Eng., A 253, 9 (1998).
42. K. B. Nam, J. Li, K. H. Kim, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 78, 3690 (2001).
43. R. M. Frazier, J. Stapleton, G. T. Thaler, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, R. Rairigh, J. Kelly, A. F. Hebard, M. C. Nakarmi, K. B. Nam, J. Y. Lin, H. X. Jiang, J. M. Zavada, and R. G. Wilson, J. Appl. Phys. 94, 1592 (2003).
44. N. Theodoropoulou, A. F. Hebard, M. E. Overberg, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, S. N. G. Chu and R. G. Wilson, Phys. Rev. Lett. 89, 107203 (2003).
45. T. Gral, M. Gjukic, M. S. Brandt, M. Stutzmann, and O. Ambacher, Appl. Phys. Lett. 81, 5159 (2002).
46. R. Y. Korobkov, J. M. Gregie, and B. W. Wessels, Physiea B 308, 30 (2001).
47. A. Y. Polykov, A. V. Govorkov, N. B. Smirnov, N. Y. Pashkova, G. T. Thaler, M. E. Overberg, R. M. Frazier, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, J. Kim, and F. Ren, J. Appl. Phys. 92, 4989 (2002).
48. M. Bercui and R. N. Bhatt, Phys. Rev. Lett. 87, 107203 (2001).
49. V. K. Dugnov, V. I. Litvinov, J. Barnas, and M. Viera, Phys. Rev. B 67, 033201 (2003).
50. M. van Schilfgaarde and O. N. Mryasov, Phys. Rev. B 63, 233205 (2001).