Effect of Cl2 Plasma Treatment on Metal Contacts to n-Type and p-Type GaN

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 150, Issue 9, 2003, Pages

  Jang, Ho Won ^a   Lee, Jong Lam ^a  

^a Pohang University of Science and Technology (POSTECH)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHLORINE COMPOUNDS; DEGRADATION; GALLIUM NITRIDE; OHMIC CONTACTS; PLASMA DIAGNOSTICS; SCHOTTKY BARRIER DIODES; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS;

METAL CONTACTS;

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA;

EID: 0043283221     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1595664     Document Type: Article

References (44)

1. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett., 64, 1687 (1994).
2. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku, Appl. Phys. Lett., 69, 4056 (1996).
3. M. A. Khan, A. Bhattarai, J. N. Kuznia, and D. T. Olson, Appl. Phys. Lett., 63, 1214 (1993).
4. S. Nakamura and O. Fosol, The Blue Laser Diode, Springer, Heidelberg, Germany (1997).
5. I. Adesida, A. Mahajan, E. Andideh, M. Asif Khan, D. T. Olsen, and J. N. Kuznia, Appl. Phys. Lett., 63, 2777 (1993).
6. R. J. Shul, G. B. McClellan, S. A. Casalnuovo, D. J. Rieger, S. J. Pearton, C. Constantine, C. Barratt, R. F. Karlicek, Jr., C. Tran, and M. Schurman, Appl. Phys. Lett., 69, 1119 (1996).
7. S. A. Smith, C. A. Wolden, M. D. Bremser, A. D. Hanser, R. F. Davis, and W. V. Lampert, Appl. Phys. Lett., 71, 3631 (1997).
8. Z. F. Fan, S. N. Mohammad, W. Kim, O. Aktas, A. E. Botchkarev, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett., 68, 1672 (1996).
9. A. T. Fing, Q. Chen, J. W. Yang, M. A. Khan, and I. Adesida, J. Electron. Mater., 27, 261 (1998).
10. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, M. J. Jou, C. C. Liu, C. M. Chang, W. C. Hung, J. S. Bow, and Y. C. Yu, J. Vac. Sci. Technol. B, 18, 729 (2000).
11. H. W. Jang, C. M. Jeon, J. K. Kim, and J.-L. Lee, Appl. Phys. Lett., 78, 2015 (2001).
12. C. M. Jeon, H. W. Jang, K. J. Choi, S.-B. Bae, J.-H. Lee, and J.-L. Lee, Electrochem. Solid-State Lett., 5, G45 (2002).
13. S. J. Pearton, J. W. Lee, J. D. MacKenzie, C. R. Abernathy, and R. J. Shul, Appl. Phys. Lett., 67, 2329 (1995).
14. A. T. Ping, A. C. Schmitz, I. Adesida, M. A. Khan, Q. Chen, and J. W. Yang, J. Electron. Mater., 26, 266 (1997).
15. J. Y. Chen, C. J. Pan, and G. C. Chi, Solid-State Electron., 43, 649 (1999).
16. X. A. Cao, S. J. Pearton, A. P. Zhang, G. T. Dang, F. Ren, R. J. Shul, L. Zhang, R. Hickman, and J. M. Van Hove, Appl. Phys. Lett., 75, 2569 (1999).
17. J. B. Limb, H. Xing, B. Moran, L. McCarthy, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett., 76, 2457 (2000).
18. A. P. Zhang, G. T. Dang, F. Ren, J. Han, A. G. Baca, R. I. Shul, H. Cho, C. Monier, X. A. Cao, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett., 76, 2943 (2000).
19. M. S. Shur, A. D. Bykhovski, R. Gaska, M. A. Khan, and J. W. Yang, Appl. Phys. Lett., 76, 3298 (2000).
20. L. Kronik and Y. Shapira, Surf. Sci. Rep., 37, 1 (1999).
21. J. P. Long and V. M. Bermudez, Phys. Rev. B, 66, 121308 (2002).
22. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, John Wiley & Sons., New York (1985).
23. D. J. King, L. Zhang, J. C. Ramer, S. D. Hersee, and L. F. Lester, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 468, 421 (1997).
24. B. B. Kosicki, R. J. Powell, and J. E. Burgiel, Phys. Rev. Lett., 24, 1421 (1970).
25. E. H. Rhoderick and R. H. Williams, Metal-Semiconductor Contacts, Clarendon Press, Oxford (1988).
26. A. C. Schmitz, A. T. Ping, M. A. Khan, Q. Chen, J. W. Yang, and I. Adesida, J. Electron. Mater., 27, 255 (1998).
27. J. F. Moulder, W. F. Strickle, P. E. Sobol, and K. D. Bomben, Handbook of X-Ray Photoelectron Spectroscopy, Perkin-Elmer, Eden Prairie, MN (1992).
28. H. W. Jang, J.-H. Lee, and J.-L. Lee, Appl. Phys. Lett., 80, 3955 (2002).
29. K. Prabhakaran, T. G. Anderson, and K. Nozawa, Appl. Phys. Lett., 69, 3212 (1996).
30. T. Tsuruoka, M. Kawasaki, S. Ushioda, R. Franchy, Y. Naoi, T. Sugahara, S. Sakai, and Y. Shintani, Surf. Sci., 427, 257 (1999).
31. S. D. Walter, J. M. DeLucca, S. E. Mohney, R. S. Kern, and C. P. Cuo, Thin Solid Films, 371, 153 (2000).
32. P. J. Hartlieb, A. Roskowski, R. F. Davis, W. Platow, and R. J. Nemanich, J. Appl. Phys., 91, 732 (2002).
33. J.-L. Lee, J. K. Kim, J. W. Lee, Y. J. Park, and T. Kim, Electrochem. Solid-State Lett., 3, 53 (2000).
34. J. Sun, K. A. Rickert, J. M. Redwing, A. B. Ellis, F. J. Kimpsel, and R. F. Kuech, Appl. Phys. Lett., 76, 415 (2000).
35. J. K. Kim, B. S. Kim, K. J. Kim, J. N. Kim, Y. J. Park, J. W. Lee, T. Kim, and J.-L. Lee, J. Electron. Mater., 30, 129 (2001).
36. H. W. Choi, S. J. Chua, A. Raman, J. S. Pan, and A. T. S. Wee, Appl. Phys. Lett., 77, 1795 (2000).
37. K. A. Rickert, J. Sun, A. B. Ellis, F. J. Himpsel, and T. F. Kuech, Appl. Phys. Lett., 80, 204 (2002).
38. J.-L. Lee, J. K. Kim, J. W. Lee, Y. J. Park, and T. Kim, Electrochem. Solid-State Lett., 3, 53 (2000).
39. J. K. Kim and J.-L. Lee, J. Electrochem. Soc., 150, G209 (2003).
40. I. Shalish, Y. Shapira, L. Burstein, and J. Salzman, J. Appl. Phys., 89, 390 (2001).
41. S. C. Binari, H. B. Dietrich, G. Keiner, L. B. Rowland, K. Doverspike, and D. K. Gaskill, Electron. Lett., 30, 909 (1994).
42. P. Boguslawski, E. L. Briggs, and J. Bernholc, Phys. Rev. B, 51, 17255 (1995).
43. D. C. Look, D. C. Reynolds, J. W. Hemsky, J. R. Sizelove, R. L. Jones, and R. J. Molnar, Phys. Rev. Lett., 79, 2273 (1997).
44. B. Molnar, C. R. Eddy, Jr., and K. Doverspike, J. Appl. Phys., 78, 6132 (1995).