Electrical effects of plasma damage in p-GaN

Applied Physics Letters

Volumn 75, Issue 17, 1999, Pages 2569-2571

  Cao, X A ^a   Pearton, S J ^a   Zhang, A P ^b   Dang, G T ^b   Ren, F ^b   Shul, R J ^c   Zhang, L ^c   Hickman, R ^d   Van Hove, J M ^d  

^a UNIVERSITY OF FLORIDA   (United States)

^b University of Florida   (United States)

^c SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

^d Blue Lotus Micro Devices   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001101997     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.125080     Document Type: Article

References (26)

1. See, for example, the articles by E. R. Brown, M. Shur, and J. C. Zolper, Solid-State Electron. 42, (1998).
2. C. E. Weitzel, J. W. Palmour, C. H. Carter, Jr., K. Moore, K. J. Nordquist, S, Allen, C. Thero, and M. Bhatnagar, IEEE Trans. Electron Devices 43, 1732 (1996).
3. M. Yoder, IEEE Trans. Electron Devices 43, 1633 (1996).
4. Z. Z. Bandic, P. M. Bridger, E. C. Piquette, T. C. McGill, R. P. Vando, V. M. Phanse, and J. M. Redwing, Appl. Phys. Lett. 74, 1266 (1999).
5. Y.-F Wu, B. P. Keller, P. Fini, S. Keller, T. J. Jenkins, L. T. Kehias, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 19, 50 (1998).
6. Q. Chen, R. Gaska, M. A. Khan, M. Shur, A. T. Ping, I. Adesida, J. Burm, W. J. Schaff, and L. F. Eastman, Electron. Lett. 33, 637 (1997).
7. G. J. Sullivan, M. Y. Chen, J. A. Higgins, J. W. Yang, Q. Chen, R. L. Pierson, and B. T. McDermott, IEEE Electron Device Lett. 19, 198 (1998).
8. S. Yoshida and J. Suzuki, J. Appl. Phys. 85, 7931 (1999).
9. R. J. Shul, in GaN and Related Materials, edited by S. J. Pearton (Gordon and Breach, New York, 1997), Chap. 12.
10. L. S. McCarthy, P. Kozodoy, S. P. DenBaars, M. Rodwell, and U. K. Mishra, 25th International Symposium Comp. Semiconductor, Oct. 1998, Nara, Japan (unpublished).
11. F. Ren, C. R. Abernathy, J. M. Van Hove, P. P. Chow, R. Hickman, J. J. Klaassen, R. F. Kopf, H. Cho, K. B. Jung, J. R. LaRoche, R. G. Wilson, J. Han, R. J. Shul, A. G. Baca, and S. J. Pearton, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 41 (1998).
12. J. Han, A. G. Baca, R. J. Shul, C. G. Willison, L. Zhang, F. Ren, A. P. Zhang, C. T. Dang, S. M. Donovan, X. A. Cao, H. Cho, K. B. Jung, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and R. G. Wilson, Appl. Phys. Lett. 74, 2702 (1999).
13. C. R. Eddy, Jr. and B. Molnar, J. Electron. Mater. 28, 314 (1999).
14. S. J. Pearton, J. W. Lee, J. D. MacKenzie, C. R. Abernathy, and R. J. Shul, Appl. Phys. Lett. 67, 2329 (1995).
15. A. T. Ping, A. C. Schmitz, I. Adesida, M. A. Khan, Q. Chen, and Y. W. Yang, J. Electron. Mater. 6, 266 (1997).
16. J. Y. Chen, C. J. Pan, and G. C. Chi, Solid-State Electron. 43, 649 (1999).
17. F. Ren, J. R. Lothian, Y. K. Chen, R. Karlicek, L. Tran, M. Schurmann, R. Stall, J. W. Lee, and S. J. Pearton, Solid-State Electron. 41, 1819 (1996).
18. A. S. Usikov, W. L. Lundin, U. I. Ushakov, B. V. Pushnyi, N. N. Schmidt, Y. Y. Zadiranov, and T. V. Shubtra, Proc.-Electrochem. Soc. 98-14, 57 (1998).
19. H. P. Gillis, D. A. Choutov, K. P. Martin, M. D. Bremser, and R. F. Davis, J. Electron. Mater. 26, 301 (1997).
20. A. T. Ping, Q. Chen, J. W. Yang, M. A. Khan, and I. Adesida, J. Electron. Mater. 27, 261 (1998).
21. J. Brown, J. Ramer, K. Zhang, L. F. Lester, S. D. Hersee, and J. C. Zolper, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 702 (1996).
22. J. C. Zolper, D. J. Rieger, A. G. Baca, S. J. Pearton, J. W. Lee, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 69, 538 (1996).
23. J. M. Van Hove, R. Hickman, J. J. Klaassen, P. P. Chow, and P. P. Ruden, Appl. Phys. Lett. 70, 282 (1997).
24. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley Interscience, New York, 1981).
25. S. J. Pearton, Mater. Sci. Rep. 4, 313 (1990).
26. S. J. Pearton, C. B. Vartuli, C. R. Abernathy, C. Yuan, and J. C. Zolper, Appl. Phys. Lett. 67, 1435 (1995).