Isotopic tracing during rapid thermal growth of sillicon oxyniride films on Si in O2, NH3, and N2O

Applied Physics Letters

Volumn 70, Issue 15, 1997, Pages 2007-2009

  Baumvol, I J R ^a   Stedile, F C ^a   Ganem, J J ^b   Trimaille, I ^b   Rigo, S ^b  

^a FEDERAL UNIVERSITY OF RIO GRANDE DO SUL   (Brazil)

^b CNRS   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0013223980     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.118804     Document Type: Article

References (21)

1. 2 Interface, edited by H. Z. Massoud, E. H. Poindexter, and C. R. Helms (Eds.), Proceedings of The Electrochemical Society Vol. 96-1 Pennington, NJ, (1996), p. 15.
2. Y. Okada, P. J. Tobin, V. Lakhotia, W. A. Feil, S. A. Ajuria, and R. I. Hedge Appl. Phys. Lett. 63, 194 (1993).
3. M. Bhat, J. Ahn, D. L. Kwong, M. Arendt, and J. M. White, Appl. Phys. Lett. 64, 1168 (1994).
4. D. Bouvet, P. A. Clivaz, M. Dutoit, C. Coluzza, J. Almeida, G. Margaritondo, and F. Pio, J. Appl. Phys. 79, 7114 (1996).
5. J. W. Lyding, K. Hess, and I. C. Kizilyalli, Appl. Phys. Lett. 68, 2526 (1996).
6. K. A. Ellis and R. A. Buhrman Appl. Phys, Lett. 69, 535 (1996).
7. L. K. Han, G. W. Yoon, J. Kim, J. Van, and D. L. Kwong, IEEE Electron Device Lett. 16, 348 (1995).
8. T. Arakawa and H. Fukuda, Electron. Lett. 30, 361 (1994).
9. T. Arakawa, T. Hayashi, M. Ohno, R. Matsumoto, A. Uchiyama, and H. Fukuda, Jpn. J. Appl. Phys. 1 34, 1007 (1995).
10. G. W. Yoon, A. B. Joshi, J. Kim, and D.-L. Kwong, IEEE Electron Device Lett. 14, 179 (1993).
11. M. Bhat, G. W. Yoon, J. Kim, D. L. Kwong, M. Arendt, and J. M. White, Appl. Phys. Lett. 64, 2126 (1994).
12. I. Vickridge and G. Amsel, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 45, 6 (1990).
13. I. J. R. Baumvol, F. C. Stedile, J.-J. Ganem, S. Rigo, and I. Trimaille, J. Electrochem. Soc. 142, 1205 (1995).
14. J.-J. Ganem, S. Rigo, I. Trimaille, I. J. R. Baumvol, and F. C. Stedile, Appl. Phys. Lett. 68, 2366 (1996).
15. I. J. R. Baumvol, F. C. Stedile, J.-J. Ganem, S. Rigo, and I. Trimaille, J. Electrochem. Soc. 143, 2938 (1996).
16. E. C. Carr, K. A. Ellis, and R. A. Buhrman, Appl. Phys. Lett. 66, 1492 (1995).
17. I. J. R. Baumvol, F. C. Stedile, J.-J. Ganem, S. Rigo, and I. Trimaille, Appl. Phys. Lett. 69, 2385 (1996).
18. I. J. R. Baumvol, F. C. Stedile, J.-J. Ganem, S. Rigo, and I. Trimaille, J. Electrochem. Soc. 143, 1426 (1996).
19. H.-T. Tang, W. N. Lennard, M. Zinke-Allmang, I. V. Mitchell, L. C. Feldman, M. L. Green, and D. Brasen, Appl. Phys. Lett. 64, 3473 (1994); see also Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 108, 347 (1996).
20. H.-T. Tang, W. N. Lennard, M. Zinke-Allmang, I. V. Mitchell, L. C. Feldman, M. L. Green, and D. Brasen, Appl. Phys. Lett. 64, 3473 (1994); see also Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 108, 347 (1996).
21. D. G. Shuterland, H. Akatsu, M. Copel, F. J. Himpsel, T. A. Calicot, J. A. Carlisle, D. L. Ederer, J. J. Jia, I. Jimenez, R. Perera, D. K. Shuh, L. J. Terminello, and W. M. Tong, J. Appl. Phys. 78, 6761 (1995).