Surface morphology and strain of GaN layers grown using 6H-SiC(0 0 0 1) substrates with different buffer layers

Journal of Crystal Growth

Volumn 253, Issue 1-4, 2003, Pages 129-141

  Einfeldt, S ^a,b   Reitmeier, Z J ^a   Davis, R F ^a  

^a North Carolina State University   (United States)

^b UNIVERSITY OF BREMEN   (Germany)

Author keywords

A1. Stresses; A1. Surface structure; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

Indexed keywords

CRYSTAL GROWTH; CRYSTAL LATTICES; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MORPHOLOGY; SILICON CARBIDE; SUBSTRATES; THERMAL EXPANSION;

STRANSKI-KRASTANOV GROWTH MODE;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 0037610924     PISSN: 00220248     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0022-0248(03)01039-X     Document Type: Article

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