Buffer free direct growth of GaN on 6H-SiC by metalorganic vapor phase epitaxy

Journal of Applied Physics

Volumn 87, Issue 1, 2000, Pages 577-583

  Lahreche H ^a   Leroux, M ^a   Laugt M ^a   Vaille, M ^a   Beaumont, B ^a   Gibart, P ^a  

^a CNRS   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0037895699     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.371902     Document Type: Article

References (28)

1. J. I. Pankove, S. S. Chang, H. C. Lee, R. J. Molnar, T. D. Moustakas, and B. Van Zeghbroeck, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. 389 (1994).
2. J. T. Torvik, C. Qiu, M. Leksono, and J. I. Pankove, Appl. Phys. Lett. 72, 945 (1998).
3. J. T. Torvik, C. Qiu, M. Leksono, J. I. Pankove, B. Van Zeghbroeck, H. M. Ng, and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 72, 1371 (1998).
4. A. E. Nikolaev, S. V. Rendakova, I. P. Nikitina, K. V. Vassilevski, and V. A. Dmitriev, J. Electron. Mater. 27, 288 (1998).
5. B. Yang, A. Trampert, B. Jenichen, O. Brandt, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 73, 3869 (1998).
6. M. D. Bremser, W. G. Perry, T. Zheleva, N. V. Edwards, O. H. Nam, N. Parikh, D. E. Aspnes, and R. F. Davis, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1, 8 (1996).
7. Z. Y. Xie, C. H. Wei, L. Y. Li, J. H. Edgar, J. Chaudhuri, and C. Ignatiev, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G3.39 (1999).
8. W. M. Yim and R. J. Paff, J. Appl. Phys. 45, 1456 (1974).
9. M. Lesczynski, T. Suski, H. Teisseyre, P. Perlin, I. Grzergory, J. Jun, S. Porowski, and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 76, 4909 (1994).
10. B. Gil, O. Briot, and R. L. Aulombard, Phys. Rev. B 52, R17028 (1995).
11. M. Tchounkeu, O. Briot, B. Gil, J. P. Alexis, and R. L. Aulombard, J. Appl. Phys. 80, 5352 (1996).
12. W. Shan, R. J. Hauenstein, A. J. Fischer, J. J. Song, W. G. Perry, M. D. Bremser, R. F. Davis, and B. Goldenberg, Phys. Rev. B 54, 13460 (1996).
13. A. Shikanai, T. Azuhata, T. Sola, S. Chichibu, A. Kuramata, K. Horino, and S. Nakamura, J. Appl. Phys. 81, 417 (1997).
14. H. Amano et al., Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L1540 (1998).
15. B. Gil, F. Hamdani, and H. Morkoç. Phys. Rev. B 54, 7678 (1996).
16. W. G. Perry, T. Zheleva, M. D. Bremser, R. F. Davis, W. Shan, and J. J. Song, J. Electron. Mater. 26, 224 (1997).
17. M. Lesczynski et al., Appl. Phys. Lett. 69, 73 (1996).
18. T. Detchprohm, K. Hiramatsu, K. Itoh, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 31, L1454 (1992).
19. A. Polian, M. Grimsditch, and I. Grzegory, J. Appl. Phys. 79, 3343 (1996).
20. M. Yamaguchi, T. Yagi, T. Azuhata, T. Sota, K. Suzuki, S. Chichibu, and S. Nakamura, J. Phys.: Condens. Matter 9, 241 (1997).
21. B. Gil, in GaN (II), edited by J. Pankove and T. Moustakas, Semiconductors and Semimetals (Academic, New York, 1999), Vol. 57, p. 209.
22. M. Leroux, B. Beaumont, N. Grandjean, P. Lorenzini, S. Haffouz, P. Vennéguès, J. Massies, and P. Gibart, Mater. Sci. Eng., B 50, 97 (1997).
23. B. J. Skromme, H. Zhao, D. Wang, H. S. Kong, M. T. Leonard, G. E. Bulman, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 71, 829 (1997).
24. R. Stiepniewski, K. P. Korona, A. Wysmolek, J. M. Baranowski, K. Pakula, M. Potemski, G. Martinez, I. Grzegory, and S. Porowski, Phys. Rev. B56, 15151 (1997).
25. J. J. Hopfield, J. Phys. Chem. Solids 15, 97 (1960).
26. B. Gil and O. Briot, Phys. Rev. B 55, 2530 (1997).
27. P. Waltreit, O. Brandt, A. Trampert, M. Ramsteiner, M. Reiche, M. Qi, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 74, 3660 (1999).
28. F. Boscherini, R. Lantier, A. Rizzi, F. D'acapito, and S. Mobilio, Appl. Phys. Lett. 74, 3308 (1999).