Edge termination design and simulation for bulk GaN rectifiers

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 20, Issue 5, 2002, Pages 2169-2172

  Baik, K H ^a   Irokawa, Y ^b   Ren, F ^a   Pearton, S J ^a   Park, S S ^c   Lee, S K ^c  

^a University of Florida   (United States)

^b Rd Management Section   (Japan)

^c Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COMPUTER SIMULATION; CURRENT DENSITY; DIELECTRIC MATERIALS; ELECTRIC BREAKDOWN; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRIC RECTIFIERS; INTEGRATED CIRCUIT LAYOUT; OXIDES; PASSIVATION; SILICA; SURFACE PHENOMENA; THRESHOLD VOLTAGE;

DIELECTRIC PASSIVATION MATERIAL; DIELECTRIC THICKNESS; EDGE TERMINATION DESIGN; GALLIUM NITRIDE RECTIFIERS;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 0036026397     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1511210     Document Type: Article

References (30)

1. G. T. Heydt and B. J. Skromme, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 483, 3 (1998).
2. E. R. Brown, Solid-State Electron. 43, 1918 (1998).
3. M. Trivedi and K. Shenai, J. Appl. Phys. 85, 6889 (1999).
4. S. J. Pearton, F. Ren, A. P. Zhang, and K. P. Lee, Mater. Sci. Eng., R. 30, 55 (2001).
5. Z. Z. Bandic, D. M. Bridger, E. C. Piquette, T. C. McGill, R. P. Vaudo, V. M. Phanse, and J. M. Redwing, Appl. Phys. Lett. 74, 1266 (1999).
6. A. P. Zhang, J. W. Johnson, F. Ren, J. Han, A. J. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, J. M. Redwing, K. P. Lee, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 78, 823 (2001).
7. A. P. Zhang G. Dang, F. Ren, J. Han, A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, J. M. Redwing, X. A. Cao, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 76, 1767 (2000).
8. J. W. Johnson, J. R. LaRoche, F. Ren, B. P. Gila, M. E. Overberg, C. R. Abernathy, J. I. Chyi, C. C. Chuo, T. E. Nee, C. M. Lee, K. P. Lee, S. S. Park, J. I. Park, and S. J. Pearton, Solid-State Electron. 45, 405 (2001).
9. J. W. Johnson, A. P. Zhang, W. B. Luo, F. Ren, S. J. Pearton, S. S. Park, Y. J. Park, and J.-I. Chyi, IEEE Trans. Electron Devices 49, 32 (2002).
10. J. W. Johnson, B. Luo, F. Ren, D. Palmer, S. J. Pearton, S. S. Park, and Y. J. Park, Solid-State Electron. 46, 911 (2002).
11. S. S. Park, I. W. Park, and S. H. Choh, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 39, L1141 (2000).
12. H. Morkoc, Mater. Sci. Eng., R. 33, 135 (2001).
13. A. P. Zhang, G. T. Dang, F. Ren, H. Cho, K. P. Lee, S. J. Pearton, J.-I. Chti, T. E. Nee, and C. C. Chuo, Solid-State Electron. 44, 619 (1999).
14. F. Ren, A. P. Zhang, G. Dang, X. A. Cao, H. Cho, S. J. Pearton, J. I. Chyi, C. M. Lee, and C. C. Chuo, Solid-State Electron. 44, 619 (1999).
15. T. G. Zhu, D. J. Lambert, B. S. Shelton, M. M. Wong, V. Chowdhurg, and R. D. Dupis, Appl. Phys. Lett. 77, 2918 (2000).
16. B. S. Shelton, T. G. Zhu, D. J. Lambert, and R. D. Dupis, IEEE Trans. Electron Devices 48, 1498 (2001).
17. P. G. Neudeck, D. J. Larkin, A. Rowell, and L. G. Matus, Appl. Phys. Lett. 64, 1386 (1994).
18. D. T. Morisette, J. A. Cooper, Jr., M. R. Melloch, G. M. Dolng, P. M. Shenoy, M. Zakari, and J. Gladish, IEEE Trans. Electron Devices 48, 349 (2001).
19. A. Itoh, T. Kimoto, and H. Matsunami, IEEE Electron Device Lett. 17, 139 (1996).
20. V. Saxena, J. N. Su, and A. J. Steckl, IEEE Trans. Electron Devices 46, 456 (1999).
21. M. C. Tarplee, V. P. Madangarli, Q. Zhang, and T. S. Sudarshan, IEEE Trans. Electron Devices 48, 2659 (2001).
22. N. V. Dyakonova, P. A. Ivanov, V. A. Koglov, M. E. Levinshtein, J. W. Palmour, S. L. Pumyantsev, and R. Singh, IEEE Trans. Electron Devices 46, 2188 (1999).
23. A. P. Zhang, G. Dang, X. A. Cao, H. Cho, F. Ren, J. Han. J.-I. Chyi, C. M. Lee, T. E. Nee, C. C. Chuo, G. C. Chi, S. N. G. Chu, R. G. Wilson, and S. J. Pearton, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 551, W11.67 (2000).
24. R. Mehandru, B. P. Gila, J. Kim, J. W. Johnson, K. P. Lee, B. Luo, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, F. Ren, Electrochem. Solid-State Lett. 5, G51 (2002).
25. M. Hong, H. M. Ng, J. Kwo, A. R. Kortran, J. N. Baillargeon, S. N. G. Chu, J. P. Mannaerts, A. Y. Cho, F. Ren, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, presented at the 197th Electrochem. Soc. Meeting, Toronto, Canada, May, 2000
26. M. Hong, H. M. Ng, J. Kwo, A. R. Kortran, J. N. Baillargeon, S. N. G. Chu, J. P. Mannaerts, A. Y. Cho, F. Ren, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, Proc. Electrochem. Soc. 2000-2, 278 (2000).
27. B. P. Gila, J. W. Johnson, R. Mehandru, B. Luo, A. H. Onstine, K. K. Allums, V. Krishnamoorthy, S. Bates, C. R. Abernathy, F. Ren, and S. J. Pearton, Phys. Status Solidi A 188, 239 (2001).
28. T. S. Lay, M. Hong, J. Kwo, J. P. Mannaerts, W. H. Hung, and D. J. Huang, Solid-State Electron. 45, 1679 (2001).
29. B. Luo, J. W. Johnson, J. Kim, R. Mehandru, F. Ren, B. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, A. G. Baca, R. D. Briggs, R. J. Shul, C. Monier, and J. Han, Appl. Phys. Lett. 80, 1661 (2002).
30. G. Brezeane, J. Fernandez, J. Millan, J. Rebello, M. Badila, and G. Dilimot, Mater. Sci. Forum 264-268, 941 (1998).