Polarization retention in SrBi2Ta2O9 thin films investigated at nanoscale

Journal of Applied Physics

Volumn 89, Issue 3, 2001, Pages 1836-1843

  Gruverman, A ^a,b   Tanaka, M ^a  

^a SONY CORPORATION   (Japan)

^b North Carolina State University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001267781     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1334938     Document Type: Article

References (46)

1. O. Auciello, J. F. Scott, and R. Ramesh, Phys. Today 51, 22 (1998).
2. I. P. Batra and B. D. Silverman, Solid State Commun. 11, 291 (1972).
3. R. R. Mehta, B. D. Silverman, and J. T. Jacobs, J. Appl. Phys. 44, 3379 (1973).
4. G. Arlt and H. Neumann, Ferroelectrics 87, 109 (1988).
5. S. Sum and P. A. Fuierer, Integr. Ferroelectr. 23, 45 (1999).
6. J. M. Benedetto, R. A. Moore, and F. B. McLean, J. Appl. Phys. 75, 460 (1994).
7. A. Gruverman, O. Auciello, and H. Tokumoto, Integr. Ferroelectr. 19, 49 (1998).
8. A. Gruverman, H. Tokumoto, S. A. Prakash, S. Aggarwal, B. Yang, M. Wuttig, R. Ramesh, O. Auciello, and V. Venkatesan, Appl. Phys. Lett. 71, 3492 (1997).
9. T. Hidaka, T. Maruyama, I. Sakai, M. Saitoh, L. A. Wills, R. Hiskes, S. A. Dicarolis, and J. Amano, Integr. Ferroelectr. 17, 319 (1997).
10. I. K. Yoo, B. M. Kim, D. S. Kim, and S. J. Park, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 493, 299 (1998).
11. H. Shin, K. Lee, W.-K. Moon, J. U. Jeon, G. Lim, Y. E. Pak, J. H. Park, and K. H. Yoon, Proceedings of the 11th International Symposium on Applications of Ferroelectrics, Montreux, Switzerland, 24-27 August 1998, edited by E. Colla, D. Damjanovic, and N. Setter (IEEE, Piscataway, NJ, 1998), p. 407.
12. C. S. Ganpule, A. Stanishevsky, Q. Su, S. Aggarwal, J. Melngailis, E. Williams, and R. Ramesh, Appl. Phys. Lett. 75, 409 (1999).
13. J. W. Hong, W. Jo, D. C. Kim, S. M. Cho, H. J. Nam, H. M. Lee, and J. U. Bu, Appl. Phys. Lett. 75, 3183 (1999).
14. W. Jo, D. C. Kim, and J. W. Hong, Appl. Phys. Lett. 76, 390 (2000).
15. E. L. Colla, S. Hong, D. V. Taylor, A. K. Tagantsev, and N. Setter, Appl. Phys. Lett. 72, 2763 (1998).
16. S. Hong, E. L. Colla, E. Kim, D. V. Taylor, A. K. Tagantsev, P. Muralt, K. No, and N. Setter, J. Appl. Phys. 86, 607 (1999).
17. M. Alexe, C. Harnagea, D. Hesse, and U. Gösele, Appl. Phys. Lett. 75, 1793 (1999).
18. C. A. Paz de Araujo, J. D. Cuchiaro, L. D. Macmillan, M. C. Scott, and J. F. Scott, Nature (London) 374, 627 (1995).
19. K. Amanuma and T. Kunio, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 5229 (1996).
20. Y. Shimada, K. Nakao, A. Inoue, M. Azuma, Y. Uemoto, E. Fujii, and T. Otsuki, Appl. Phys. Lett. 71, 2538 (1997).
21. M. Grossmann, O. Lohse, D. Bolten, U. Boettger, R. Waser, W. Hartner, M. Kastner, and G. Schindler, Appl. Phys. Lett. 76, 363 (2000).
22. K. Ashikaga and T. Ito, J. Appl. Phys. 85, 7471 (1999).
23. Z. G. Zhang, J. S. Liu, Y. N. Wang, J. S. Zhu, J. L. Liu, D. Su, and H. M. Shen, J. Appl. Phys. 85, 1746 (1999).
24. B. S. Kang, B. H. Park, S. D. Bu, S. H. Kang, and T. W. Noh, Appl. Phys. Lett. 75, 2644 (1999).
25. A. L. Kholkin, K. G. Brooks, and N. Setter, Appl. Phys. Lett. 71, 2044 (1997).
26. A. Gruverman, K. Hironaka, Y. Ikeda, K. M. Satyalakshmi, A. Pignolet, M. Alexe, N. D. Zakharov, and D. Hesse, Integr. Ferroelectr. 27, 159 (1999).
27. A. Gruverman, O. Auciello, and H. Tokumoto, Annu. Rev. Mater. Sci. 28, 101 (1998).
28. A. Gruverman, Appl. Phys. Lett. 75, 1452 (1999).
29. C. Isobe et al., Integr. Ferroelectr. 14, 95 (1997).
30. C. Harnagea, A. Pignolet, M. Alexe, D. Hesse, and U. Gösele, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process, (in press).
31. A. Gruverman and Y. Ikeda, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 37, L939 (1998).
32. A. Gruverman, J. Hatano, and H. Tokumoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 2207 (1997).
33. A. Gruverman, S. A. Prakash, S. Aggarwal, R. Ramesh, O. Auciello, and H. Tokumoto, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 493, 53 (1998).
34. A. Tagantsez, Cz. Pawlaczyk, K. Brooks, and N. Setter, Integr. Ferroelectr. 4, 1 (1994).
35. A. Tagantsez, Cz. Pawlaczyk, K. Brooks, M. Landivar, E. Colla, and N. Setter, Integr. Ferroelectr. 6, 309 (1995).
36. H. N. Al-Shareef, D. Dimos, W. L. Warren, and B. A. Tuttle, J. Appl. Phys. 80, 4573 (1996).
37. I. G. Jenkins, T. K. Song, S. Madhukar, A. S. Prakash, S. Aggarwal, and R. Ramesh, Appl. Phys. Lett. 72, 3300 (1998).
38. M. Drougard and R. Landauer, J. Appl. Phys. 30, 1663 (1959).
39. V. Shur, A. Gruverman, and E. Rumyantsev, Ferroelectrics 111, 123 (1990).
40. M. E. Lines and A. M. Glass, Principles and Applications of Ferroelectrics and Related Materials (Clarendon, Oxford, 1977).
41. J. F. Scott, Integr. Ferroelectr. 9, 1 (1995).
42. J. F. Scott, K. Watanabe, A. J. Hartmann, and R. N. Lamb, Ferroelectrics 225, 83 (1999).
43. R. C. Miller and G. Weinreich, Phys. Rev. 117, 1460 (1960).
44. J. F. Scott, Annu. Rev. Mater. Sci. 28, 79 (1998).
45. X. Chen, A. I. Kingon, H. Al-Shareef, and K. R. Bellur, Ferroelectrics 151, 133 (1994).
46. B. G. Chae, C. H. Park, Y. S. Yang, and M. S. Jang, Appl. Phys. Lett. 75, 2135 (1999).