Structure and voltage dependence of ferroelectric properties of SrBi2Ta2O9 thin films

Journal of Applied Physics

Volumn 85, Issue 3, 1999, Pages 1746-1749

  Zhang, Z G ^a   Liu, J S ^a   Wang, Y N ^a   Zhu, J S ^a   Liu, J L ^a   Su, D ^a   Shen, H M ^a  

^a NANJING UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000493560     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.369341     Document Type: Article

References (25)

1. J. F. Scott and C. A. Paz de Araujo, Science 246, 1400 (1989).
2. S. Dey and R. Zuleeg, Ferroelectrics 108, 37 (1990).
3. G. H. Haerting, J. Vac. Sci. Technol. A 9, 414 (1990).
4. R. Ramesh, W. K. Chen, B. Wilkens, H. Gilchrist, T. Sands, J. M. Tarascon, V. G. Keramidas, D. K. Fork, J. Lee, and A. Safari, Appl. Phys. Lett. 61, 1537 (1992).
5. R. Ramesh, H. Gilchrist, T. Sands, V. G. Keramidas, R. Haakenaasen, and D. K. Fork, Appl. Phys. Lett. 63, 3592 (1993).
6. S. D. Bernstein, T. Y. Wang, Y. Kisler, and R. W. Tustiston, J. Mater. Res. 8, 12 (1993).
7. H. M. Duiker, P. D. Beale, J. F. Scott, C. A. Araujo, B. M. Melnick, J. D. Cuchiaro, and D. McMillan, J. Appl. Phys. 68, 5783 (1990).
8. C. A. Paz de Araujo, J. D. Cuchiaro, L. D. McMillan, M. C. Scott, and J. F. Scott, Nature (London) 374, 627 (1995).
9. S. B. Desu and D. P. Vijay, Mater. Sci. Eng., B 32, 75 (1995).
10. R. Dat, J. K. Lee, O. Auciello, and A. I. Kingon, Appl. Phys. Lett. 67, 572 (1995).
11. S. B. Desu and T. Li, Mater. Sci. Eng., B 34, L4 (1995).
12. K. Amanuma, T. Hase, and Y. Miyasaka, Appl. Phys. Lett. 66, 221 (1995).
13. T. Li, Y. Zhu, S. B. Desu, C. H. Peng, and M. Nagata, Appl. Phys. Lett. 68, 616 (1996).
14. T. K. Song, J.-K. Lee, and H. J. Jung, Appl. Phys. Lett. 69, 3839 (1996).
15. T. J. Boyle, C. D. Buchheit, M. A. Rodriguez, H. N. Al-Shareef, and B. A. Hernandez, J. Mater. Res. 11, 2274 (1996).
16. M. A. Rodriguez, T. J. Boyle, C. D. Buchheit, and M. O. Eatough, J. Mater. Res. 11, 2282 (1996).
17. J. S. Luo and W. T. Lin, J. Mater. Res. 12, 1145 (1997).
18. T. Noguchi, T. Hase, and Y. Miyasaka, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 9, 4900 (1996).
19. J. Liu, G. Shen, Y. Wang, P. Li, Z. Zhang, X. Chen, F. Yan, H. Shen, and J. Zhu, The 5th International Symposium on Ferroelectric Domains and Mescoscopic Structures (ISFD-5).
20. H. N. Al-Shareef, D. Dimos, T. J. Boyle, W. L. Warren, and B. A. Tuttle, Appl. Phys. Lett. 68, 690 (1996).
21. D. Dimos, H. N. Al-Shareef, W. L. Warren, and B. A. Tuttle, J. Appl. Phys. 80, 1682 (1996).
22. J. Chen, M. P. Harmer, and D. M. Smyth, J. Appl. Phys. 76, 5394 (1994).
23. W. L. Warren, D. Dimos, B. A. Tuttle, G. E. Pike, R. W. Schwartz, P. J. Clews, and D. C. McIntyre, J. Appl. Phys. 77, 6695 (1995).
24. J. Robertson, C. W. Chen, W. L. Warren, and C. D. Gutleben, Appl. Phys. Lett. 69, 1704 (1996).
25. H. N. Al-Shareef, B. A. Tuttle, W. L. Warren, T. J. Headley, D. Dimos, J. A. Voigt, and R. D. Nasby, J. Appl. Phys. 79, 1013 (1996).