High-performance fully amorphous bilayer metal-oxide thin film transistors using ultra-thin solution-processed ZrOxdielectric

Applied Physics Letters

Volumn 105, Issue 11, 2014, Pages

  Liu, G X ^a   Liu, A ^a   Shan, F K ^a   Meng, Y ^a   Shin, B C ^b   Fortunato, E ^c   Martins, R ^c  

^a QINGDAO UNIVERSITY   (China)

^b Dong Eui University   (South Korea)

^c DEPARTAMENTO DE CIÊNCIA DOS MATERIAIS   (Portugal)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BI-LAYER; METAL OXIDE THIN FILMS; SOLUTION-PROCESSED; ULTRA-THIN;

EID: 84907459234     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4895782     Document Type: Article

References (32)

1. K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Nature 432, 488 (2004). 10.1038/nature03090
2. E. Fortunato, P. Barquinha, and R. Martins, Adv. Mater. 24, 2945 (2012). 10.1002/adma.201103228
3. E. Fortunato, P. Barquinha, G. Goncalves, L. Pereira, and R. Martins, Solid-State Electron. 52, 443 (2008). 10.1016/j.sse.2007.10.032
4. X. Yu, N. J. Nan, J. Smith, H. Lin, K. Stallings, J. Yu, T. J. Marks, and A. Facchetti, ACS Appl. Mater. Interfaces 5, 7983 (2013). 10.1021/am402065k
5. A. Liu, G. X. Liu, F. K. Shan, H. H. Zhu, B. C. Shin, W. J. Lee, and C. R. Cho, Chin. Phys. Lett. 30, 127301 (2013). 10.1088/0256-307X/30/12/127301
6. J. C. Park and H. N. Lee, IEEE Electron Device Lett. 33, 818 (2012). 10.1109/LED.2012.2190036
7. R. Martins, A. Nathan, R. Barros, L. Pereira, P. Barquinha, N. Correia, R. Costa, A. Ahnood, I. Ferreira, and E. Fortunato, Adv. Mater. 23, 4491 (2011). 10.1002/adma.201102232
8. P. Barquinha, L. Pereira, G. Goncalves, R. Martins, D. Kuscer, M. Kosec, and E. Fortunato, J. Electrochem. Soc. 156, H824 (2009). 10.1149/1.3216049
9. H. S. Kim, J. S. Park, H. K. Jeong, K. S. Son, T. S. Kim, J. B. Seon, E. Lee, J. G. Chung, D. H. Kim, M. Ryu, and S. Y. Lee, ACS Appl. Mater. Interfaces 4, 5416 (2012). 10.1021/am301342x
10. K. M. Kim, W. H. Jeong, D. L. Kim, Y. S. Rim, Y. Choi, M. K. Ryu, K. B. Park, and H. J. Kim, IEEE Electron Device Lett. 32, 1242 (2011). 10.1109/LED.2011.2160612
11. J. H. Noh, S. Y. Ryu, S. J. Jo, C. S. Kim, S. W. Sohn, P. D. Rack, D. J. Kim, and H. K. Baik, IEEE Electron Device Lett. 31, 567 (2010). 10.1109/LED.2010.2046133
12. A. Liu, G. X. Liu, F. K. Shan, H. H. Zhu, S. Xu, J. Q. Liu, B. C. Shin, and W. J. Lee, Curr. Appl. Phys. 14, S39 (2014). 10.1016/j.cap.2013.11.045
13. Y. M. Park, J. Daniel, M. Heeney, and A. Salleo, Adv. Mater. 23, 971 (2011). 10.1002/adma.201003641
14. X. L. Xu, Q. Y. Cui, Y. Z. Jin, and X. J. Guo, Appl. Phys. Lett. 101, 222114 (2012). 10.1063/1.4769091
15. B. Y. Su, S. Y. Chu, Y. D. Juang, and H. C. Chen, Appl. Phys. Lett. 102, 192101 (2013). 10.1063/1.4804993
16. Y. Jiao, X. N. Zhang, J. X. Zhai, X. K. Yu, L. H. Ding, and W. F. Zhang, Electron. Mater. Lett. 9, 279 (2013). 10.1007/s13391-012-2198-4
17. J. Ko, J. Kim, S. Y. Park, E. K. Lee, K. J. Kim, K. H. Lim, and Y. S. Kim, J. Mater. Chem. C 2, 1050 (2014). 10.1039/c3tc31727g
18. Y. M. Park, A. Desai, and A. Salleo, Chem. Mater. 25, 2571 (2013). 10.1021/cm303547a
19. S. M. Hwang, S. M. Lee, K. Park, M. S. Lee, J. Joo, J. H. Lim, H. Kim, J. J. Yoon, and Y. D. Kim, Appl. Phys. Lett. 98, 022903 (2011). 10.1063/1.3541784
20. B. G. Son, S. Y. Je, H. J. Kim, C. K. Lee, C. K. Lee, A. Y. Hwang, J. Y. Won, J. H. Song, R. Choi, and J. K. Jeong, Phys. Status Solidi RRL 7, 485 (2013). 10.1002/pssr.201307128
21. G. Adamopoulos, S. Thomas, P. H. Wobkenberg, D. D. C. Bradly, M. A. Mclachlan, and T. D. Anthopoulos, Adv. Mater. 23, 1894 (2011). 10.1002/adma.201003935
22. T. Kamiya, K. Nomura, and H. Hosono, J. Disp. Technol. 5, 273 (2009). 10.1109/JDT.2009.2021582
23. S. Jeong, Y. G. Ha, J. Moon, A. Facchetti, and T. J. Marks, Adv. Mater. 22, 1346 (2010). 10.1002/adma.200902450
24. Y. S. Rim, H. J. Chen, X. L. Kou, H. S. Duan, H. P. Zhou, M. Cai, H. J. Kim, and Y. Yang, Adv. Mater. 26, 4273 (2014). 10.1002/adma.201400529
25. X. Liu, C. Wang, B. Cai, X. H. Xiao, S. Guo, Z. Fan, J. Li, X. Duan, and L. Liao, Nano Lett. 12, 3596 (2012). 10.1021/nl3012648
26. P. Barquinha, A. Pimentel, A. Marques, L. Pereira, R. Martins, and E. Fortunato, J. Non-Cryst. Solids 352, 1749 (2006). 10.1016/j.jnoncrysol.2006.01.067
27. M. J. Gadre and T. L. Alford, Appl. Phys. Lett. 99, 051901 (2011). 10.1063/1.3619196
28. W. H. Jeong, K. M. Kim, D. L. Kim, Y. S. Rim, and H. J. Kim, IEEE Trans. Electron Devices 59, 2149 (2012). 10.1109/TED.2012.2198064
29. H. Y. Jung, Y. Kang, A. Y. Hwang, C. K. Lee, S. Han, D. H. Kim, J. U. Bae, W. S. Shin, and J. K. Jeong, Sci. Rep. 4, 3765 (2014). 10.1038/srep03765
30. J. K. Jeong, H. W. Yang, J. H. Jeong, Y. G. Mo, and H. D. Kim, Appl. Phys. Lett. 93, 123508 (2008). 10.1063/1.2990657
31. Y. C. Chen, T. C. Chang, H. W. Li, S. C. Chen, J. Lu, W. F. Chung, Y. H. Tai, and T. Y. Tseng, Appl. Phys. Lett. 96, 262104 (2010). 10.1063/1.3457996
32. T. M. Pan, C. H. Chen, J. H. Liu, J. L. Her, and K. Koyama, IEEE Electron Device Lett. 35, 66 (2014). 10.1109/LED.2013.2287349