Crystalline GaSb nanowires synthesized on amorphous substrates: From the formation mechanism to p-channel transistor applications

ACS Applied Materials and Interfaces

Volumn 5, Issue 21, 2013, Pages 10946-10952

  Yang, Zai Xing ^a   Wang, Fengyun ^a,b   Han, Ning ^a   Lin, Hao ^a   Cheung, Ho Yuen ^a   Fang, Ming ^a   Yip, Senpo ^a   Hung, Takfu ^a   Wong, Chun Yuen ^a   Ho, Johnny C ^a  

^a CITY UNIVERSITY OF HONG KONG   (Hong Kong)

^b QINGDAO UNIVERSITY   (China)

Author keywords

field effect transistors; GaSb; hole concentration; hole mobility; nanowires; p channel

Indexed keywords

CRYSTALLINE MATERIALS; FIELD EFFECT TRANSISTORS; GALLIUM ARSENIDE; HOLE CONCENTRATION; HOLE MOBILITY; III-V SEMICONDUCTORS; INDIUM ANTIMONIDES; INDIUM ARSENIDE; NANOWIRES; SEMICONDUCTING INDIUM GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTOR ALLOYS; SUBSTRATES;

CRYSTALLINE SUBSTRATES; ELECTRICAL CHARACTERISTIC; ELECTRONIC TRANSPORT PROPERTIES; FORMATION MECHANISM; FREE HOLE CONCENTRATION; GASB; P CHANNELS; TECHNOLOGICAL APPLICATIONS;

CHROMIUM COMPOUNDS;

EID: 84887577364     PISSN: 19448244     EISSN: 19448252     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/am403161t     Document Type: Article

References (46)

1. Gudiksen, M. S.; Lauhon, L. J.; Wang, J.; Smith, D. C.; Lieber, C. M. Nature 2002, 415, 617-620
2. Ford, A. C.; Chuang, S.; Ho, J. C.; Chueh, Y. L.; Javey, A. Nano Lett. 2010, 10, 509-513
3. Lupan, R. O.; Pauporté, T.; Viana, B.; Tiginyanu, I. M.; Ursaki, V. V.; Cortès, R. ACS Appl. Mater. Interfaces 2010, 2, 2083-2090
4. Alamo, J. A. Nature 2011, 479, 317-323
5. Weng, W. Y.; Chang, S. J.; Hsu, C. L.; Hsueh, T. J. ACS Appl. Mater. Interfaces 2011, 3, 162-166
6. Hou, J. J.; Han, N.; Wang, F.; Xiu, F.; Yip, S.; Hui, A. T.; Hung, T.; Ho, J. C. ACS Nano 2012, 6, 3624-3630
7. Wu, P. M.; Anttu, N.; Xu, H.; Samuelson, L.; Pistol, M. E. Nano Lett. 2012, 12, 1990-1995
8. Han, N.; Wang, F. Y.; Hou, J. J.; Yip, S. Y.; Lin, H.; Xiu, F.; Fang, M.; Yang, Z. X.; Shi, X. L.; Dong, G. F.; Hung, T. F.; Ho, J. C. Adv. Mater. 2013, 25, 4445-4451
9. Borg, B. M.; Dick, K. A.; Ganjipour, B.; Pistol, M. E.; Wernersson, L. E.; Thelander, C. Nano Lett. 2010, 10, 4080-4085
10. Ganjipour, B.; Nilsson, H. A.; Borg, B. M.; Wernersson, L. E.; Samuelson, L.; Xu, H. Q.; Thelander, C. Appl. Phys. Lett. 2011, 99, 262104
11. Dey, A. W.; Svensson, J.; Borg, B. M.; Ek, M.; Wernersson, L. E. Nano Lett. 2012, 12, 5593-5597
12. Yan, C. L.; Li, X. P.; Zhou, K. Y.; Pan, A. L.; Werner, P.; Mensah, S. L.; Vogel, A. T.; Schmidt, V. Nano Lett. 2012, 12, 1799-1805
13. Xu, W.; Chin, A.; Ye, L.; Ning, C. Z.; Yu, H. J. Appl. Phys. 2012, 111, 104515
14. Borg, B. M.; Wernersson, L. E. Nanotechnology 2013, 24, 202001
15. Bandyopadhyay, S.; Anderson, J. Appl. Phys. Lett. 2013, 102, 103108
16. Zhang, W.; Dobrovitski, V. V.; Al-Hassanieh, K. A.; Daggoto, E.; Harmon, B. N. Phys. Rev. B 2006, 74, 205313
17. Zi, Y. L.; Zhao, Y. J.; Candebat, D.; Appenzeller, J.; Yang, C. ChemPhysChem 2012, 13, 2585-2588
18. Ek, M.; Borg, B. M.; Johansson, J.; Dick, K. A. ACS Nano 2013, 7, 3668-3675
19. Aardvark, A.; Mason, N. J.; Walker, P. J. Prog. Cryst. Growth Charact. 1997, 35, 207-241
20. Dimroth, F.; Agert, C.; Bett, A. W. J. Cryst. Growth 2003, 248, 265-273
21. Jeppsson, M.; Dick, K. A.; Wagner, J. B.; Caroff, P.; Deppert, K.; Samuelson, L.; Wernersson, L. J. Cryst. Growth 2008, 310, 4115-4121
22. Caroff, P.; Messing, M. E.; Borg, B. M.; Dick, K. A.; Deppert, K.; Wernersson, L.E. Nanotechnology 2009, 20, 495606
23. Pozuelo, M.; Zhou, H.; Lin, S.; Lipman, S. A.; Goorsky, M. S.; Hicks, R. F.; Kodambaka, S. J. Cryst. Growth 2011, 329, 6-11
24. Mandl, B.; Dick, K. A.; Kriegner, D.; Keplinger, M.; Bauer, G.; Stangl, J.; Deppert, K. Nanotechnology 2011, 22, 145603
25. Plissard, S. R.; Slapak, D. R.; Verheijen, M. A.; Hocevar, M.; Immink, G. W. G.; van Weperen, I.; Nadj-Perge, S.; Frolov, S. M.; Kouwenhoven, L. P.; Bakkers, E. P. A. M. Nano Lett. 2012, 12, 1794-1798
26. Burke, R. A.; Weng, X. J.; Kuo, M. E.; Song, Y. W.; Itsuno, A. M.; Mayer, T. S.; Durbin, S. M.; Reeves, R. J.; Redwing, J. M. J. Electron Mater. 2010, 39, 355-364
27. Ganjipour, B.; Ek, M.; Borg, B. M.; Dick, K. A.; Pistol, M. E.; Wernersson, L. E.; Thelander, C. Appl. Phys. Lett. 2012, 101, 103501
28. Vaddiraju, S.; Sunkara, M. K.; Chin, A. H.; Ning, C. Z.; Dholakia, G. R.; Meyyappan, M. J. Phys. Chem. C 2007, 111, 7339-7347
29. Jeppsson, M.; Dick, K. A.; Nilsson, H. A.; Sköld, N.; JWagner, J. B.; Caroff, P.; Wernersson, L. E. J. Cryst. Growth 2008, 310, 5119-5122
30. Xu, G. W.; Huang, S. Y.; Wang, X. Y.; Yu, B.; Zhang, H.; Yang, T.; Xu, H. Q.; Dai, L. RSC Adv. 2013, 3, 19834-19839
31. Ek, M.; Borg, B. M.; Dey, A. W.; Ganjipour, B.; Thelander, C.; Wernersson, L. E.; Dick, K. A. Cryst. Growth Des. 2011, 11, 4588-4593
32. Dey, A. W.; Svensson, J.; Borg, B. M.; Ek, M.; Wernersson, L. E. Nano Lett. 2012, 12, 5593-5597
33. Guo, Y. N.; Zou, J.; Paladugu, M.; Wang, H.; Gao, Q.; Tan, H. H.; Jagadish, C. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 231917
34. Han, N.; Wang, F. Y.; Hui, A. T.; Hou, J. J.; Shan, G. C.; Fei, X.; Hung, T. F.; Ho, J. C. Nanotechnology 2011, 22, 285607
35. Johansson, J.; Svensson, C. P. T.; MaÌŠrtensson, T.; Samuelson, L.; Seifert, W. M. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 13567-13571
36. Han, N.; Wang, F. Y.; Hou, J. J.; Yip, S. P.; Lin, H.; Fang, M.; Xiu, F.; Shi, X.; Hung, T. F.; Ho, J. C. Cryst. Growth Des. 2012, 12, 6243-6249
37. Chung, H. S.; Jung, Y.; Kim, S. C.; Kim, D. H.; Oh, K. H.; Agarwa, R. Nano Lett. 2009, 9, 2395-2401
38. Seifert, W.; Borgström, M.; Deppert, K.; Dick, K. A.; Johansson, J.; Larsson, M. W.; MaÌŠrtensson, T.; Sköld, N.; Svensson, C. P. T.; Wacaser, B. A.; Wallenberg, L. R.; Samuelson, L. J. Cryst. Growth 2004, 272, 211-220
39. Cooke, C.J.; Hume-Rothery, W. J. Less-Common Met. 1966, 10, 42
40. Poizot, P.; Laruelle, S.; Grugeon, S.; Dupont, L.; Tarascon, J.M. Nature 2000, 407, 496-499
41. Buffat, P.; Borel, J. P. Phys. Rev. A 1976, 13, 2287-2298
42. Ford, A. C.; Ho, J. C.; Chueh, Y. L.; Tseng, Y. C.; Fan, Z. Y.; Guo, J.; Bokor, J.; Javey, A. Nano Lett. 2009, 9, 360-365
43. Wiersma, R.; Stotz, J. A. H.; Pitts, O. J.; Wang, C. X.; Thewalt, M. L. W.; Watkins, S. P. J. Electron. Mater. 2001, 30, 1429-1432
44. Gutsche, C.; Regolin, I.; Blekker, K.; Lysov, A.; Prost, W.; Tegude, F. J. J. Appl. Phys. 2009, 105, 024305
45. Sørensen, B. S.; Aagesen, M.; Sørensen, C. B.; Lindelof, P. E.; Martinez, K. L.; NygaÌŠrd, J. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 012119
46. Yang, Z. X.; Han, N.; Wang, F. Y.; Cheung, H.-Y.; Shi, X. L.; Yip, S. P.; Hung, T. F.; Lee, M. H.; Wong, C.-Y.; Ho, J. H. Nanoscale 2013, 5, 9671-9676