Single InAs/GaSb nanowire low-power CMOS inverter

Nano Letters

Volumn 12, Issue 11, 2012, Pages 5593-5597

  Dey, Anil W ^a   Svensson, Johannes ^a   Borg, B Mattias ^a,c   Ek, Martin ^b   Wernersson, Lars Erik ^a  

^a LUND UNIVERSITY   (Sweden)

^b Division of Polymer and Materials Chemistry   (Sweden)

^c IBM RESEARCH ZURICH   (Switzerland)

Author keywords

III V CMOS; InAs GaSb; inverter; low power operation; Nanowire

Indexed keywords

CMOS INVERTERS; COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTORS; DIGITAL LOGIC; ENHANCEMENT MODES; HIGH-FREQUENCY APPLICATIONS; HIGHER FREQUENCIES; II-IV SEMICONDUCTORS; III-V CMOS; INAS/GASB; INVERTER; LOW POWER; LOW-POWER OPERATION; MAXIMUM GAIN; P-TYPE; PARASITIC CAPACITANCE; SIGNAL SWINGS; SUBTHRESHOLD SWING; WAVE FORMS;

CAPACITANCE; DIGITAL DEVICES; DISPLAY DEVICES; HETEROJUNCTIONS; INDIUM ANTIMONIDES; LOW POWER ELECTRONICS; NANOWIRES; TRANSISTORS; TRANSPORT PROPERTIES;

ELECTRIC INVERTERS;

EID: 84869202290     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl302658y     Document Type: Article

References (26)

1. ITRS 2010 edition. http://www.itrs.net/Links/2010ITRS/Home2010.htm (2 June 2012).
2. del Alamo, J. A. Nature 2011, 479 (7373) 317-323
3. Kim, D.-H.; del Alamo, J. A.; Antoniadis, D. A.; Brar, B., Tech. Dig. IEDM, 7-9 Dec., 2009, pp 1-4.
4. Rutherglen, C.; Jain, D.; Burke, P. Nature Nanotechnol. 2009, 4 (12) 811-819
5. Schwierz, F. Nature Nanotechnol. 2010, 5 (7) 487-496
6. Kim, D.-H.; Brar, B.; del Alamo, J. A. Tech. Dig. IEDM 2011, Dec. 5-7) 13.6.1-13.6.4
7. Min, X.; Runsheng, W.; Ye, P. D. IEEE Electron Device Lett. 2011, 32 (7) 883-885
8. Ghalamestani, S. G.; Berg, M.; Dick, K. A.; Wernersson, L.-E. J. Cryst. Growth 2011, 332 (1) 12-16
9. Ko, H.; Takei, K.; Kapadia, R.; Chuang, S.; Fang, H.; Leu, P. W.; Ganapathi, K.; Plis, E.; Kim, H. S.; Chen, S.-Y.; Madsen, M.; Ford, A. C.; Chueh, Y.-L.; Krishna, S.; Salahuddin, S.; Javey, A. Nature 2010, 468 (7321) 286-289
10. Takei, K.; Madsen, M.; Fang, H.; Kapadia, R.; Chuang, S.; Kim, H. S.; Liu, C.-H.; Plis, E.; Nah, J.; Krishna, S.; Chueh, Y.-L.; Guo, J.; Javey, A. Nano Lett. 2012, 12 (4) 2060-2066
11. Larsson, M. W.; Wagner, J. B.; Wallin, M.; Hǎkansson, P.; Fröberg, L. E.; Samuelson, L.; Wallenberg, L. R. Nanotechnology 2007, 18 (1) 015504
12. Caroff, P.; Messing, M. E.; Borg, B. M.; Dick, K. A.; Deppert, K.; Wernersson, L.-E. Nanotechnology 2009, 20 (49) 495606
13. Johansson, S.; Egard, M.; Ghalamestani, S. G.; Borg, B. M.; Berg, M.; Wernersson, L. E.; Lind, E. IEEE Trans. Microw. Theory Technol. 2011, 59 (10) 2733-2738
14. Ahn, J.-H.; Kim, H.-S.; Lee, K. J.; Jeon, S.; Kang, S. J.; Sun, Y.; Nuzzo, R. G.; Rogers, J. A. Science 2006, 314 (5806) 1754-1757
15. Nah, J.; Fang, H.; Wang, C.; Takei, K.; Lee, M. H.; Plis, E.; Krishna, S.; Javey, A. Nano Lett. 2012, 12 (7) 3592-3595
16. Nam, S.; Jiang, X.; Xiong, Q.; Ham, D.; Lieber, C. M. P. Natl. Acad. Sci. USA 2009, 106 (50) 21035-21038
17. Rizzi, L. G.; Bianchi, M.; Behnam, A.; Carrion, E.; Guerriero, E.; Polloni, L.; Pop, E.; Sordan, R. Nano Lett. 2012, 12 (8) 3948-3953
18. Ding, L.; Liang, S.; Pei, T.; Zhang, Z.; Wang, S.; Zhou, W.; Liu, J.; Peng, L.-M. Appl. Phys. Lett. 2012, 100 (26) 263116-5
19. Dey, A. W.; Thelander, C.; Lind, E.; Dick, K. A.; Borg, B. M.; Borgstrom, M.; Nilsson, P.; Wernersson, L. E. IEEE Electron Device Lett. 2012, 33 (6) 791-793
20. Passlack, M.; Abrokwah, J. K.; Droopad, R.; Zhiyi, Y.; Overgaard, C.; Sang In, Y.; Hale, M.; Sexton, J.; Kummel, A. C. IEEE Electron Device Lett. 2002, 23 (9) 508-510
21. Ren, F.; Hong, M.; Hobson, W. S.; Kuo, J. M.; Lothian, J. R.; Mannaerts, J. P.; Kwo, J.; Chu, S. N. G.; Chen, Y. K.; Cho, A. Y. Solid-State Electron. 1997, 41 (11) 1751-1753
22. Nainani, A.; Irisawa, T.; Ze, Y.; Yun, S.; Krishnamohan, T.; Reason, M.; Bennett, B. R.; Boos, J. B.; Ancona, M. G.; Nishi, Y.; Saraswat, K. C. Tech. Dig. IEDM 2010, Dec. 6-8) 6.4.1-6.4.4
23. Radosavljevic, M.; Ashley, T.; Andreev, A.; Coomber, S. D.; Dewey, G.; Emeny, M. T.; Fearn, M.; Hayes, D. G.; Hilton, K. P.; Hudait, M. K.; Jefferies, R.; Martin, T.; Pillarisetty, R.; Rachmady, W.; Rakshit, T.; Smith, S. J.; Uren, M. J.; Wallis, D. J.; Wilding, P. J.; Chau, R. Tech. Dig. IEDM 2008, Dec. 15-17) 1-4
24. Nainani, A.; Irisawa, T.; Yuan, Z.; Bennett, B. R.; Boos, J. B.; Nishi, Y.; Saraswat, K. C. IEEE Trans. Electron Devices 2011, 58 (10) 3407-3415
25. Bennett, B. R.; Ancona, M. G.; Boos, J. B.; Shanabrook, B. V. Appl. Phys. Lett. 2007, 91 (4) 042104-3
26. Takahashi, T.; Takei, K.; Adabi, E.; Fan, Z.; Niknejad, A. M.; Javey, A. ACS Nano 2010, 4 (10) 5855-5860