Tunable electronic transport properties of metal-cluster-decorated III-V nanowire transistors

Advanced Materials

Volumn 25, Issue 32, 2013, Pages 4445-4451

  Han, Ning ^a   Wang, Fengyun ^a   Hou, Jared J ^a   Yip, Sen Po ^a   Lin, Hao ^a   Xiu, Fei ^a   Fang, Ming ^a   Yang, Zaixing ^a   Shi, Xiaoling ^a   Dong, Guofa ^a   Hung, Tak Fu ^a   Ho, Johnny C ^a  

^a CITY UNIVERSITY OF HONG KONG   (Hong Kong)

Author keywords

contact printing; III V nanowire field effect transistors; inverters; metal decoration; n channel metal oxide semiconductor (NMOS); threshold voltage modulation

Indexed keywords

ELECTRIC INVERTERS; III-V SEMICONDUCTORS; INDIUM ARSENIDE; METALS; MODULATION; MOS DEVICES; NANOWIRES; NARROW BAND GAP SEMICONDUCTORS; OXIDE SEMICONDUCTORS; THRESHOLD VOLTAGE; TRANSPORT PROPERTIES;

CONTACT PRINTING; ELECTRONIC TRANSPORT PROPERTIES; FREE CARRIERS; METAL CLUSTER; METAL DECORATION; METAL OXIDE SEMICONDUCTOR; NANOWIRE TRANSISTORS; THRESHOLD VOLTAGE MODULATIONS;

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 84882706953     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201301362     Document Type: Article

References (38)

1. W. I. Van, S. R. Plissard, E. P. Bakkers, S. M. Frolov, L. P. Kouwenhoven, Nano Lett. 2013, 13, 387.
2. J. J. Hou, N. Han, F. Wang, F. Xiu, S. Yip, A. T. Hui, T. Hung, J. C. Ho, ACS Nano 2012, 6, 3624.
3. J. Wallentin, M. Ek, L. R. Wallenberg, L. Samuelson, M. T. Borgström, Nano Lett. 2012, 12, 151.
4. P. M. Wu, N. Anttu, H. Xu, L. Samuelson, M. E. Pistol, Nano Lett. 2012, 12, 1990.
5. K. Tomioka, M. Yoshimura, T. Fukui, Nature 2012, 488, 189.
6. J. A. del Alamo, Nature 2011, 479, 317.
7. A. M. Ionescu, H. Riel, Nature 2011, 479, 329.
8. D. Spirkoska, A. F. i Morral, J. Dufouleur, Q. Xie, G. Abstreiter, Phys. Status Solidi RRL 2011, 5, 353.
9. M. S. Gudiksen, L. J. Lauhon, J. Wang, D. C. Smith, C. M. Lieber, Nature 2002, 415, 617.
10. C. Thelander, P. Caroff, S. Plissard, A. W. Dey, K. A. Dick, Nano Lett. 2011, 11, 2424.
11. A. C. Ford, J. C. Ho, Y. L. Chueh, Y. C. Tseng, Z. Y. Fan, J. Guo, J. Bokor, A. Javey, Nano Lett. 2009, 9, 360.
12. M. D. Schroer, J. R. Petta, Nano Lett. 2010, 10, 1618.
13. T. Takahashi, K. Takei, E. Adabi, Z. Fan, A. M. Niknejad, A. Javey, ACS Nano 2010, 4, 5855.
14. Y. Huang, X. Duan, Y. Cui, C. M. Lieber, Nano Lett. 2002, 2, 101.
15. S. A. Dayeh, D. P. R. Aplin, X. Zhou, P. K. L. Yu, E. T. Yu, D. Wang, Small 2007, 3, 326.
16. B. Nikoobakht, Chem. Mater. 2007, 19, 5279.
17. Y. Xuan, Y. Wu, P. Ye, IEEE Electron Dev. Lett. 2008, 29, 294.
18. X. Zou, X. Liu, C. Wang, Y. Jiang, Y. Wang, X. Xiao, J. C. Ho, J. Li, C. Jiang, Q. H. Xiong, L. Liao, ACS Nano 2013, 7, 804.
19. W. K. Hong, J. I. Sohn, D. K. Hwang, S. S. Kwon, G. Jo, S. Song, S. M. Kim, H. J. Ko, S. J. Park, M. E. Welland, Nano Lett. 2008, 8, 950.
20. G. Jo, W. K. Hong, J. Maeng, M. Choe, W. Park, T. Lee, Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 173118.
21. W. K. Hong, D. K. Hwang, I. K. Park, G. Jo, S. Song, S. J. Park, T. Lee, B. J. Kim, E. A. Stach, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 243103.
22. C. Y. Chen, J. R. D. Retamal, D. H. Lien, M. W. Chen, I. W. Wu, Y. Ding, Y. L. Chueh, C. I. Wu, J. H. He, ACS Nano 2012, 6, 9366.
23. M. W. Chen, J. R. D. Retamal, C. Y. Chen, J. H. He, IEEE Electron Dev. Lett. 2012, 33, 411.
24. M. W. Chen, C. Y. Chen, D. H. Lien, Y. Ding, J. H. He, Optics Express 2010, 18, 14836.
25. A. C. Ford, J. C. Ho, Z. Y. Fan, O. Ergen, V. Altoe, S. Aloni, H. Razavi, A. Javey, Nano Res. 2008, 1, 32.
26. A. T. Hui, F. Wang, N. Han, S. P. Yip, F. Xiu, J. J. Hou, Y. T. Yen, T. F. Hung, Y. L. Chueh, J. C. Ho, J. Mater. Chem. 2012, 22, 10704.
27. N. Han, F. Y. Wang, A. T. Hui, J. J. Hou, G. C. Shan, F. Xiu, T. F. Hung, J. C. Ho, Nanotechnology 2011, 22, 285607.
28. M. Huang, Y. Chang, C. Chang, Y. Lee, P. Chang, J. Kwo, T. Wu, M. Hong, Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 252104.
29. O. Hayden, M. T. Björk, H. Schmid, H. Riel, U. Drechsler, S. F. Karg, E. Lörtscher, W. Riess, Small 2007, 3, 230.
30. D. R. Lide, CRC Handbook of Chemistry and Physics 90th ed., CRC press, Boca Raton 2010.
31. M. S. Fuhrer, J. Hone, Nat. Nanotechnol. 2013, 8, 146.
32. S. Kim, P. D. Carpenter, P. K. Jean, H. Chen, C. Zhou, S. Ju, D. B. Janes, ACS Nano 2012, 6, 7352.
33. J. Weber, A. Janotti, C. Van de Walle, Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 192106.
34. L. Olsson, C. Andersson, M. Håkansson, J. Kanski, L. Ilver, U. O. Karlsson, Phys. Rev. Lett. 1996, 76, 3626.
35. Z. Y. Fan, J. C. Ho, T. Takahashi, R. Yerushalmi, K. Takei, A. C. Ford, Y. L. Chueh, A. Javey, Adv. Mater. 2009, 21, 3730.
36. M. Yu, Y. Z. Long, B. Sun, Z. Fan, Nanoscale 2012, 4, 2783.
37. A. Seyedi, A. Pavel, A. Sharma, N. Islam, IET Micro Nano Lett. 2009, 4, 16.
38. A. Bindal, S. Hamedi-Hagh, Semicond. Sci. Technol. 2006, 22, 54.