Carbon doping of InSb nanowires for high-performance p-channel field-effect-transistors

Nanoscale

Volumn 5, Issue 20, 2013, Pages 9671-9676

  Yang, Zai Xing ^a   Han, Ning ^a   Wang, Fengyun ^a   Cheung, Ho Yuen ^a   Shi, Xiaoling ^a   Yip, Senpo ^a   Hung, Takfu ^a   Lee, Min Hyung ^b   Wong, Chun Yuen ^a   Ho, Johnny C ^a  

^a CITY UNIVERSITY OF HONG KONG   (Hong Kong)

^b Kyung Hee University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMORPHOUS CARBON; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; CMOS INTEGRATED CIRCUITS; ELECTRIC FIELD EFFECTS; ENERGY GAP; HOLE MOBILITY; III-V SEMICONDUCTORS; INDIUM ANTIMONIDES; INDIUM ARSENIDE; NANOWIRES; NARROW BAND GAP SEMICONDUCTORS; SEMICONDUCTING ANTIMONY COMPOUNDS; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR DOPING;

AMORPHOUS SUBSTRATE; ELECTRICALLY ACTIVES; HIGH PERFORMANCE DEVICES; HIGH-FREQUENCY ELECTRONICS; P-CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTORS; SEMICONDUCTOR NANOWIRE; SOLID-SOURCE CHEMICAL VAPOR DEPOSITIONS; STOICHIOMETRIC COMPOSITIONS;

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 84884891032     PISSN: 20403364     EISSN: 20403372     Source Type: Journal    
DOI: 10.1039/c3nr03080f     Document Type: Article

References (36)

1. M. S. Gudiksen L. J. Lauhon J. Wang D. C. Smith C. M. Lieber Nature 2002 415 617
2. J. A. del Alamo Nature 2011 479 317
3. J. W. Jiang J. S. Wang B. W. Li Nanoscale 2010 2 2864
4. J. J. Hou N. Han F. Wang F. Xiu S. Yip A. T. Hui T. Hung J. C. Ho ACS Nano 2012 6 3624
5. E. Russo-Averchi M. Heiss L. Michelet P. Krogstrup J. Nygard C. Magen J. R. Morante E. Uccelli J. Arbiol A. F. i Morral Nanoscale 2012 4 1486
6. P. M. Wu N. Anttu H. Xu L. Samuelson M. E. Pistol Nano Lett. 2012 12 1990
7. S. W. Ma Q. L. Liao H. S. Liu Y. Song P. Li Y. H. Huang Y. Zhang Nanoscale 2012 4 6415
8. A. C. Ford J. C. Ho Z. Fan O. Ergen V. Altoe H. Razav A. Javey Nano Res. 2008 1 32
9. A. T. Vogel J. de Boor J. V. Wittemann S. L. Mensah P. Werner V. Schmidt Cryst. Growth Des. 2011 11 1896
10. C. Thelander P. Caroff S. Plissard K. A. Dick Appl. Phys. Lett. 2012 100 232105
11. A. C. Ford J. C. Ho Y. L. Chueh Y. C. Tseng Z. Fan J. Guo J. Bokor A. Javey Nano Lett. 2009 9 360
12. S. R. Plissard D. R. Slapak M. A. Verheijen M. Hocevar G. W. G. Immink I. van Weperen S. Nadj-Perge S. M. Frolov L. P. Kouwenhoven E. P. A. M. Bakkers Nano Lett. 2012 12 1794
13. H. Y. Li O. Wunnicke M. T. Borgström W. G. G. Immink M. H. M. van Weert M. A. Verheijen E. P. A. M. Bakkers Nano Lett. 2007 7 1144
14. J. C. Ho A. C. Ford P. W. Leu Y. L. Chueh A. Javey Appl. Phys. Lett. 2009 95 072108
15. A. C. Ford S. Chuang J. C. Ho Y. L. Chueh A. Javey Nano Lett. 2010 10 509
16. N. Han F. Y. Wang A. T. Hui J. J. Hou G. C. Shan X. Fei T. F. Hung J. C. Ho Nanotechnology 2011 22 285607
17. A. T. Hui F. Y. Wang N. Han S. P. Yip F. Xiu J. J. Hou Y. T. Yen T. F. Hung Y. L. Chueh J. C. Ho J. Mater. Chem. 2012 22 10704
18. M. Ek B. M. Borg J. Johansson K. A. Dick ACS Nano 2013 7 3668
19. N. Han F. Wang J. J. Hou S. P. Yip H. Lin M. Fang F. Xiu X. Shi T. F. Hung J. C. Ho Cryst. Growth Des. 2012 12 6243
20. S. G. Ihn J. I. Song T. W. Kim D. S. Leem T. Lee S. G. Lee E. K. Koh K. Song Nano Lett. 2007 7 39
21. S. A. Fortuna J. Wen I. S. Chun X. Li Nano Lett. 2008 8 4421
22. N. Han A. T. Hui F. Y. Wang J. J. Hou F. Xiu T. F. Hung J. C. Ho Appl. Phys. Lett. 2011 99 083114
23. T. B. Massalski, H. Okamoto, P. R. Subramanian and L. Kacprzak. Binary alloy phase diagrams, William W. Scott, Jr, USA, 1990, p. 346
24. A. Maiti A. Ricca Chem. Phys. Lett. 2004 395 7
25. K. Asaka M. Karita Y. Saito Appl. Surf. Sci. 2011 257 2850
26. Y. Zhang N. W. Franklin R. J. Chen H. Dai Chem. Phys. Lett. 2000 331 35
27. O. Salehzadeh X. Zhang B. D. Gates K. L. Kavanagh S. P. Watkins J. Appl. Phys. 2012 112 094323
28. C. D. Wanger, W. M. Riggs, L. E. Davis and J. F. Moulder, Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy, G. E. Muilenberg Perkin-Elmer Corp., Eden Prairie, Minnesota, USA, 1979, p. 190
29. E. F. Schubert, Doping in III-V Semiconductors, Cambridge University Press, Cambridge, UK, 1993, p. 190
30. S. Nozaki K. Takahashi M. Shirahama K. Nagao J. Shirakashi E. Tokumitsu M. Konagai Appl. Phys. Lett. 1993 62 1913
31. H. C. Kuo D. Ahmari B. G. Moser J. Mu M. Hattendorf D. Scott R. Meyer M. Feng G. E. Stillman J. Vac. Sci. Technol., B 1999 17 1185
32. H. Sohn E. R. Weber S. Nozaki M. Konagai K. Takahashi Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1992 262 129
33. J. D. Wiley, R. K. Willardson and A. C. Beer, Semiconductors and Semimetals, Academic Press, New York, 1975, p. 91
34. L. Botha P. Shamba J. R. Botha Phys. Status Solidi C 2008 5 620
35. W. V. Schoenfeld M. J. Antonell C. R. Abernathy Appl. Phys. Lett. 1998 72 1235
36. H. T. Pham S. F. Yoon K. P. Chen D. Boning J. Phys. D: Appl. Phys. 2008 41 025304